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摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MCM62486B / D

32K ×9位BurstRAM

同步静态RAM

突发计数器和自定时写

该MCM62486B是294912位同步静态随机存取

存储器设计成提供一个可破裂的，高性能的，二级高速缓存

为i486的和Pentium 微处理器。它是作为32768字

9位，制造与摩托罗拉的高性能硅栅CMOS

技术。该器件集成了输入寄存器，一个2位计数器，高速

SRAM和高驱动能力输出到一个单片电路，再

duced元件数实现缓存数据RAM的应用程序。同步的

理性设计允许使用一个外部时钟（K）的精确的周期控制。

CMOS电路，降低了集成功能的整体功耗

系统蒸发散为更高的可靠性。

地址（ A 0 - A 14 ），数据输入（ D0 - D8），和所有的控制信号以外

输出使能（G）中的时钟（K），通过控制正边沿触发

同相寄存器。

连发可以与任一地址状态处理器（ ADSP ）或地址来启动

状态高速缓存控制器（ ADSC ）输入引脚。随后的脉冲串地址可以

由MCM62486B内部产生的（突发序列模仿是的

的i486和Pentium ）和色同步地址来提前（ ADV）输入引脚控制。

以下页面提供有关突发控制的更多详细信息。

写周期是内部自定时的通过的上升沿发起

时钟（ K）的输入。这个特性消除了复杂的片写脉冲的产生

并且提供了用于输入信号的增加的灵活性。

该MCM62486B将在一个44引脚塑料有引线芯片载体

（ PLCC ）。多个电源和接地引脚已被用来最小化的效果

通过输出噪声引起的。独立的电源和地引脚都被使用

为DQ0 - DQ8以允许5伏或3.3伏的用户控制的输出电平。

采用5 V单

10 ％电源（用于MCM62486BFN11 ± 5 ％）

5 V或3.3 V的选择

10％的电源的输出电平

兼容性

快速访问时间： 11/12/14/19 ns（最大值）和周期时间： 15/20/25 ns（最小值）

内部输入寄存器（地址，数据，控制）

内部自定时写周期

ADSP ， ADSC和ADV突发控制引脚

异步输出使能控制三态输出

常见的数据输入和数据输出

高输出驱动能力：每个I 85 pF的输入/输出

高板密度PLCC封装

完全兼容TTL

高有效和低码片选输入，方便纵深拓展

MCM62486B

FN包装

44引脚PLCC

CASE 777-01

引脚分配

ADV

ADSC

ADSP

V CC

A10

VSS

DQ0

DQ1

VSSQ

VCCQ

DQ2

6 5 4 3 2 1 44 43 42 41 40

18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28

V SSQ

V SS

DQ3

V CC

V SS

DQ8

V SSQ

A11

A12

A13

A14

VSS

DQ7

DQ6

VSSQ

VCCQ

DQ5

DQ4

引脚名称

A0 - A14 。。。。。。。。。。。。。。。。地址输入

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。时钟

W的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。写使能

-G。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。输出使能

S0，S1 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。芯片选择

ADV 。。。。。。。。。。。。突发地址进展

ADSP ， ADSC 。。。。。。。。。。。。地址状态

DQ0 - DQ8 。。。。。。。。。。。数据输入/输出

VCC 。。。。。。。。。。。。。。。。 + 5 V电源

VCCQ 。。。。。。。输出缓冲器电源

VSS 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。地

VSSQ 。。。。。。。。。。。。输出缓冲地

所有的电源和地引脚必须CON组

已连接的设备的正确操作。 VCC

≥

VCCQ在任何时候，包括电。

BurstRAM是摩托罗拉公司的一个商标。

的i486和Pentium是英特尔公司的商标。

REV 2

5/95

摩托罗拉公司1994年

摩托罗拉快速SRAM

MCM62486B

框图

（见注）

ADV

突发的逻辑

二进制

计数器

A1′

国内

A0 '地址

32K ×9

内存

ARRAY

ADSC

ADSP

CLR

A0 – A14

地址

A1 – A0

A2 – A14

写

DATA- IN

DQ0 - DQ8

启用

产量

卜FF器

注意：

所有寄存器都是正边沿触发。在ADSC或ADSP信号控制脉冲的持续时间和的开始

下一个突发。当ADSP采样为低电平时，任何正在进行的突发中断和读（独立的W和ADSC的）是per-

使用新的外部地址的形成。当ADSC采样为低电平（和ADSP采样为高电平），任何正在进行的是爆

中断和一个读或写操作（取决于瓦）使用新的外部地址进行的。芯片选择（ S0，S1 ）的

只有当一个新的基地址被装入取样。脉冲串的第一个周期后，阿德福韦控制随后的脉冲串周期。

当ADV采样为低电平时，内部地址是在操作之前提前。当ADV采样为高电平，内部

地址并不先进，这样就插入等待状态进入突发序列访问。当一个脉冲串的结束后，将

地址将返回到其初始状态。看

突发序列表。

突发序列表

（见注）

外部地址

第一个突发地址

第二届突发地址

第三突发地址

A14 – A2

注：完成后突发绕到它的初始状态。

MCM62486B

摩托罗拉快速SRAM

同步真值表

（见注1 ， 2 ， 3 ， 4 ）

ADSP

ADSC

ADV

L-H

地址一起使用

不适用

外部地址

下一个地址

当前地址

手术

取消

读周期，开始突发

写周期，开始突发

读周期，开始突发

写周期，继续突发

读周期，继续突发

写周期，暂停突发

读周期，暂停突发

注意事项：

1， X表示不关心。

2. G之外的所有输入必须满足建立和保持时间的时钟低到高的转变（ K）。

3. S代表S0和S1 。 T蕴含S1 = L和S 0 = H; F意味着S1 = H或S0 = L。

4.等待状态，暂停爆裂插入。

异步真值表

（见注1和2 ）

手术

读

写

取消

I / O状态

数据输出（ DQ0 - DQ8 ）

高-Z

高-Z - 数据输入（ DQ0 - DQ8 ）

高-Z

注意事项：

1， X表示不关心。

2.对于下面的读出操作的写操作，G必须是输入数据前的高

所需的安装时间，并通过输入数据保持较高的保持时间。

绝对最大额定值

（参考电压到VSS = 0）

等级

电源电压

输出电源电压

电压相对于VSS

输出电流（每个I / O）

功耗

在偏置温度

工作温度

储存温度

符号

VCC

VCCQ

VIN，VOUT

IOUT

Tbias

价值

- 0.5 7.0

- 0.5至VCC

- 0.5 VCC + 0.5

1.0

- 10至+ 85

0至+ 70

单位

°C

该器件包含电路保护

输入不受损坏，由于高静

电压或电场;然而，它是AD-

vised正常的预防措施，以避免

施加任何电压的比马克西更高

妈妈的额定电压，以这种高阻抗

电路。

该CMOS存储器电路已经DE-

签署，以满足DC和AC规格

表中所示，热平衡后

已经建立。

TSTG

- 55至+ 125

°C

注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备

超标。功能操作应仅限于推荐能操作

阿婷条件。暴露于高于推荐电压

长时间可能会影响器件的可靠性。

摩托罗拉快速SRAM

MCM62486B

DC操作条件和特点

（ VCC ， VCCQ = 5.0 V

5％， TA = 0至+ 70℃，对于设备MCM62486B -11）的

（ VCC = 5.0 V

10 ％， VCCQ = 5.0 V或3.3 V

10％ TA = 0至+ 70℃，对所有其它装置）

推荐工作条件

（电压参考VSS = 0 V）

参数

电源电压（工作电压范围）

输出缓冲器的电源电压

（ 5.0 V TTL兼容）

(3.3 V 50

兼容）

输入高电压

输入低电压

* VIL （分钟） = - 3.0 V AC（脉冲宽度

≤

20纳秒）

符号

VCC

VCCQ

4.5

3.0

VIH

VIL

2.2

– 0.5

5.5

3.6

VCC + 0.3

0.8

民

4.5

最大

5.5

单位

DC特性

参数

输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）

输出漏电流（G ， S1 = VIH ， S0 = VIL时，VOUT = 0至VCCQ ）

交流电源电流（G ， S1 = VIL ， S0 = VIH ，所有输入= VIL = 0.0 V和VIH

≥

3.0 V,

IOUT = 0 mA时，周期时间

≥

tKHKH分钟）

待机电流（ S1 = VIH ， S0 = VIL ，所有输入= VIL和VIH ，周期时间

≥

tKHKH分钟）

输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）

输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）

符号

ILKG （I）的

ILKG （ O）

ICCA

ISB1

VOL

民

—

最大

1.0

160

0.4

单位

VOH

2.4

—

注：当地的电源良好的去耦要经常使用。直流特性都保证了所有可能的i486和Pentium

总线周期。

电容

（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）

特征

输入电容（所有引脚除外DQ0 - DQ8 ）

输入/输出电容（ DQ0 - DQ8 ）

符号

CIN

CI / O

典型值

最大

单位

MCM62486B

摩托罗拉快速SRAM

（ VCC ， VCCQ = 5.0 V

5％， TA = 0至+ 70℃，对于设备MCM62486B -11）的

（ VCC = 5.0 V

10 ％， VCCQ = 5.0 V或3.3 V

10％ TA = 0至+ 70℃，对所有其它装置）

输入定时测量参考电平。。。。。。。。。。。。。。。 1.5 V

输入脉冲电平。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0 3.0 V

输入上升/下降时间。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3纳秒

输出时序参考电平。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1.5 V

输出负载。。。。。。。。。。。。。。。。图1A除非另有说明

交流工作条件和特点

读/写周期时序

（见注1 ， 2 ，3）

62486B–11

参数

周期

时钟存取时间

输出启用访问

钟高输出活跃

时钟由高到低的Q值变化

输出使能到Q活动

输出禁止向Q高阻

时钟高到Q高阻

时钟高电平脉冲宽度

时钟低脉冲宽度

建立时间：

地址

地址状态

DATA IN

写

地址前进

芯片选择

地址

地址状态

DATA IN

写

地址前进

芯片选择

符号

TKHKH

TKHQV

TGLQV

tKHQX1

tKHQX2

TGLQX

TGHQZ

TKHQZ

TKHKL

TKLKH

TAVKH

TADSVKH

TDVKH

TWVKH

TADVVKH

tS0VKH

tS1VKH

TKHAX

TKHADSX

TKHDX

TKHWX

TKHADVX

tKHS0X

tKHS1X

民

—

5.5

最大

—

62486B–12

民

—

最大

—

62486B–14

民

—

最大

—

62486B–19

民

—

最大

—

单位

笔记

保持时间：

—

注意事项：

1.读周期为W的高或低ADSP的设置中定义和保持时间。写周期由W低， ADSP高的设置定义

时间和保持时间。

2.所有的读写周期时序从K或引用G.

3. G是不在乎当W采样为低电平。

4.转换测量

500毫伏的稳态电压与图1B的载荷。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。在任何

给定的电压和温度， tKHQZ max小于tKHQX1分钟为一个给定的设备和从设备到设备。

5.这是一个同步装置。所有的地址必须符合规定的建立和保持时间

所有

时钟的上升沿（ K）时ADSP

和ADSC低，芯片被选中。所有其他的同步输入必须符合规定的建立和保持时间

所有

上升沿

钾在芯片selected.Chip在时钟的装置（当ADSP或ADSC每个上升沿选择必须是真实的（ S1低， S0高）

低），以保持启用状态。定时S1和S0是相似的。

AC测试负载

+5V

RL = 50

产量

Z0 = 50

VL = 1.5 V

产量

255

5 pF的

480

图1A

图1b

摩托罗拉快速SRAM

MCM62486B