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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCM62110 / D
32K ×9位同步双I / O
或独立的I / O快速静态RAM
与奇偶校验器
该MCM62110是294912位同步静态随机存取存储器
组织为9位32,768字,使用摩托罗拉制造的高性
曼斯硅栅CMOS技术。该器件集成了一个32K ×9 SRAM
核心拥有先进的外围电路包括地址寄存器,两套
输入数据寄存器,两组输出锁存器,高电平有效和低电平有效的芯片
使能和一个奇偶校验器。 RAM在RAM检查,奇校验读
周期。数据奇偶校验错误( DPE)的输出为开漏输出类型用来指明
盖茨此检查的结果。该装置增加了输出驱动能力
由多个电源引脚支持。此外,该输出电平可以是3.3伏
或5 V TTL通过选择合适的输出总线电源兼容。
该装置具有异步和同步输入。异步
输入包括所述处理器的输出使能(POE) ,系统的输出使能( SOE)和
的时钟(K) 。
将地址( A 0 - A 14 )和芯片使能( E1和E2 )的输入是同步
并注册于K的下降沿写使能(W),处理器输入
启用(PIE)和系统输入使能(SIE)上注册的上升沿
对K.写入到RAM都是自定时的。
所有的数据输入/输出, PDQ0 - PDQ7 , SDQ0 - SDQ7 , PDQP和SDQP
有通过在时钟的上升沿触发的输入数据寄存器中。这些引脚也
具有三态输出锁存器这期间的高水平是透明的
时钟和在时钟的低电平被锁存。
该器件具有一个特殊的功能,它允许数据通过传递
在任一方向的系统和处理器端口之间的RAM。此流
通过从一个端口和异步输出在数据锁存完成
使其他端口。另外,也可以写入到RAM中,而流。
附加的电源管脚已被用于最大性能。该
输出缓冲器功率( VCCQ )和接地引脚( VSSQ )是电隔离
VSS和VCC ,并供给电源和地仅向输出缓冲器。这使得
连接输出缓冲器到3.3伏,而不是5.0 V的如果需要的话。如果3.3 V的输出电平
被选择,在'高'状态下的输出缓冲器阻抗近似等于
在'低'状态的阻抗,从而允许简化传输线路之三
minations 。
该MCM62110是一个52引脚塑料有引线芯片载体( PLCC )提供。
此设备是非常适合用于管线系统和系统具有多个
数据总线和多处理系统,其中,本地处理器具有总线异
从一公共系统总线迟来。
采用5 V单
±
10 %的电力供应
5 V或3.3 V的选择
±
10%的电源的输出电平
兼容性
快速访问和周期时间: 15/17/20 ns(最大值)
自定时写周期
时钟控制输出锁存器
地址,芯片使能,数据输入寄存器
常见的数据输入和数据输出
双I / O进行单独的处理器和内存总线
单独的输出使能控制三态输出
奇数奇偶校验器在读取
在数据奇偶校验错误( DPE )允许的电线或门开漏输出
输出
高输出驱动能力: 85 PF /输出额定访问时间
高板密度52引脚PLCC封装
高有效和低码片启用,方便存储深度扩展
可作为独立的I / O X9
MCM62110
FN包装
塑料
CASE 778-02
引脚分配
SIE
PIE
国有企业
POE
W
K
VCC
VSS
DPE
A6
A4
A2
A0
E2
E1
PDQ7
SDQ7
VSSQ
PDQ5
SDQ5
VCCQ
PDQ3
SDQ3
VSSQ
PDQ1
SDQ1
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
8
46
9
45
10
44
11
43
12
42
13
41
14
40
15
39
16
38
17
37
18
36
19
35
20
34
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
A14
A13
A12
A11
A10
VSS
VCC
A9
A8
A7
A5
A3
A1
PDQP
SDQP
VSSQ
PDQ6
SDQ6
VCCQ
PDQ4
SDQ4
PDQ2
SDQ2
VSSQ
PDQ0
SDQ0
引脚名称
A0 - A14 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。时钟输入
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
E1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。低电平有效芯片使能
E2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。高电平有效芯片使能
PIE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。处理器输入使能
SIE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。系统的输入使能
POE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。处理器输出使能
国有企业。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。系统输出使能
DPE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据奇偶校验错误
PDQ0 - PDQ7 。 。 。 。 。 。 。处理器的数据I / O
PDQP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。处理器,数据校验
SDQ0 - SDQ7 。 。 。 。 。 。 。 。 。系统的数据I / O
SDQP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。系统数据校验
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 V电源
VCCQ 。 。 。 。 。 。输出缓冲器电源
VSSQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出缓冲地
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
所有电源和地引脚都必须
连接该设备的正确操作。
VCC
VCCQ在任何时候,包括电。
REV 3
5/95
摩托罗拉公司1994年
摩托罗拉快速SRAM
MCM62110
1
框图
DPE
PDQ0 - PDQ7 , PDQP
POE
K
数据
注册
数据
注册
9
数据
LATCH
控制
数据
注册
国有企业
SDQ0 - SDQ7 ,
SDQP输出
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
高-Z
高-Z
DATA IN
流数据
DATA IN
流数据
DATA IN
高-Z
高-Z
DATA IN
DATA IN
DPE
奇偶出
奇偶出
奇偶出
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2, 5
2, 6
2
2, 7
2, 7
2, 7
2, 7
5
2, 8
2, 8
2, 8
2, 8
A0 – A14
32K
×
9阵
注册
奇偶
司机
9
W
E1
E2
PIE
SIE
SENSE
扩音器
数据
LATCH
9
SDQ0 - SDQ7 , SDQP
功能真值表
(见注1和2 )
W
1
1
1
1
X
0
0
0
0
1
1
0
X
X
X
X
PIE
1
1
1
X
0
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
1
SIE
1
1
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
0
0
POE
0
1
0
1
X
1
1
1
0
1
0
X
0
0
0
1
国有企业
1
0
0
1
X
1
1
0
1
0
1
X
0
1
0
0
模式
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
内存子系统
周期
处理器读
复制回
双总线读
NOP
NOP
处理器写命中
分配
通过写
分配随着流
高速缓存写入禁止
高速缓存禁止阅读
NOP
无效
无效
无效
无效
PDQ0 - PDQ7 ,
PDQP输出
数据输出
高-Z
数据输出
高-Z
高-Z
DATA IN
高-Z
DATA IN
流数据
DATA IN
流数据
高-Z
DATA IN
DATA IN
高-Z
笔记
3, 4
3, 4
3, 4
注意事项:
1. “0”表示输入电压
VIL和一个“1”表示输入电压
VIH 。所有输入必须满足规定的建立和保持时间
对于K的上升沿或下降沿在这个真值表有些条目表示锁存值。此表假定芯片选择(即
E 1 = 0和E 2 = 1)和VCC的电流等于ICCA 。如果这是不正确的,芯片将处于待机模式时, VCC电流将等于ISB1或ISB2
DPE将默认为1,所有RAM的输出将是高阻抗。控制输入其他可能的组合并不包括在此注释,或表
以上不支持,不指定RAM的行为。
2.如果两个IE信号进行采样,低时钟的上升沿,相应的OE是一个不关心,以及相应的输出是高阻。
3,一种读取周期被定义为一个周期,其中数据是通过在RAM驱动内部数据总线上。
4. DPE登记K上的上升沿在接下来的时钟周期的开始
5.不执行RAM周期。
6.一个写周期定义为一个周期,其中数据是通过数据I / O端口( PDQ0之一驱动到内部数据总线 - PDQ7和PDQP
或SDQ0 - SDQ7和SPDQ ) ,并写入到RAM中。
7.数据驱动内部数据总线上的一个I / O端口,通过它的数据输入寄存器和锁存到其他I的数据输出锁存器输入/输出
端口。
会出现8.数据争用。
MCM62110
2
摩托罗拉快速SRAM
奇偶校验器
奇偶计划
E1 = VIH和/或E2 = VIL
RAMP = RAM0
RAM1
. . .
RAM7
坡道
RAM0
RAM1
. . .
RAM7
DPE
1
1
0
注:坡道, RAM0 , RAM1 。 。 。 ,指的是存在于RAM的内部总线的数据,
不一定是数据驻留在RAM阵列中。 DPE总是延迟一个
时钟,并且被登记K上的上升沿处,在下一个时钟的开始
周期(参见AC特性) 。
绝对最大额定值
(电压参考VSS = VSSQ = 0 V)
等级
电源
电压相对于VSS / VSSQ为任何
销除VCC和VCCQ
输出电流(每个I / O)
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度
符号
VCC
VIN,VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
1.2
- 10至+ 85
0至+70
单位
V
V
mA
W
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏,由于高静电压
年龄或电场;然而,建议
正常的预防措施,以避免
施加任何电压的比马克西更高
妈妈的额定电压,以这种高阻抗
电路。
该CMOS存储器电路已
专为满足DC与AC规范
表中所示,热平衡后
已经建立。
该器件包含电路,将
确保输出设备是在高Z在
电。
TSTG
- 55至+ 125
°C
注:如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
摩托罗拉快速SRAM
MCM62110
3
DC操作条件和特点
( VCC = 5.0 V
±
10 % , VCCQ = 5.0 V或3.3 V
±
10 % , TA = 0 + 70 ° C,除非另有说明)
推荐工作条件
(电压参考VSS = VSSQ = 0 V)
参数
电源电压(工作电压范围)
输出缓冲器电源电压( 5.0 V TTL兼容)
(3.3 V 50
兼容)
输入高电压
输入低电压
* VIL (分钟) = - 3.0 V AC(脉冲宽度
20纳秒)
符号
VCC
VCCQ
VIH
VIL
4.5
4.5
3.0
2.2
– 0.5*
最大
5.5
5.5
3.6
VCC + 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
DC特性
参数
输入漏电流(所有输入, VIN = 0至VCC )
输出漏电流( POE , SOE = VIH )
交流电源电流(所有输入= VIL或VIH , VIL = 0.0 V和VIH
3.0 V,
IOUT = 0 mA时,周期时间
tKHKH分钟)
MCM62110-15 : tKHKH = 15 ns的
MCM62110-17 : tKHKH = 17 ns的
MCM62110-20 : tKHKH = 20 ns的
TTL待机电流( VCC =最大,E1 = VIH或E2 = VIL )
CMOS待机电流( VCC =最大, F = 0兆赫, E1 = VIH或E2 = VIL ,
VIN
VSS + 0.2 V或
VCC - 0.2 V )
输出低电压( IOL = + 8.0毫安, DPE : IOL = + 23.0毫安)
输出高电压( IOH = - 4.0毫安)
符号
ILKG (I)的
ILKG ( O)
ICCA
ISB1
ISB2
VOL
VOH
2.4
190
190
190
40
30
0.4
mA
mA
V
V
最大
±
1.0
±
1.0
单位
A
A
mA
电容
( F = 1.0兆赫,DV = 3.0 V, TA = 25 ° C,而定期取样超过100%测试)
参数
输入电容(所有引脚除外的I / O )
输入/输出电容( PDQ0 - PDQ7 , SDQ0 - SDQ7 , PDQP , SDQP )
数据奇偶校验错误输出电容( DPE )
符号
CIN
COUT
COUT ( DPE )
典型值
2
6
6
最大
3
7
7
单位
pF
pF
pF
AC SPEC载荷
+5V
RL = 50
DQ
Z0 = 50
VL = 1.5 V
480
DQ
255
5 pF的
DPE
+5V
200
50 pF的
图1A
图1b
图1c
MCM62110
4
摩托罗拉快速SRAM
交流工作条件和特点
( VCC = 5.0 V
±
10 % , VCCQ = 5.0 V或3.3 V
±
10 % , TA = 0 + 70 ° C,除非另有说明)
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3纳秒
输出测量时序水平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1A除非另有说明
读周期
(见注1 )
MCM62110–15
参数
读周期时钟高到时钟高
时钟低脉冲宽度
时钟高电平脉冲宽度
时钟高到DPE有效
时钟高到输出有效
时钟( K)高到输出低Z写入后
从时钟高电平输出保持
时钟高到Q高阻( E1或E2 = FALSE)
建立时间:
A
W
E1, E2
PIE
SIE
POE
国有企业
A
W
E1, E2
PIE
SIE
POE
国有企业
符号
TKHKH
TKLKH
TKHKL
tKHDPEV
TKHQV
tKHQX1
tKHQX2
TKHQZ
tAVKL
tWHKH
tEVKL
tPIEHKH
tSIEHKH
tPOEVKH
tSOEVKH
tKLAX
TKHWX
tKLEX
tKHPIEX
tKHSIEX
tKHPOEX
tKHSOEX
tPOEHQZ
tSOEHQZ
tPOEHQX
tSOEHQX
tPOELQX
tSOELQX
tPOELQV
tSOELQV
15
5
7
8
5
2.5
最大
7
7
8
MCM62110–17
17
5
7
8
5
2.5
最大
8
7.5
9
MCM62110–20
20
5
7
8
5
2.5
最大
10
10
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 6
6
5
4, 3
笔记
1, 2
7
7
2
2
2
ns
保持时间:
7
7
0
5
0
8
5
0
5
0
9
6
0
5
0
9
8
ns
ns
ns
ns
6
6
6
输出使能高到Q高阻
从输出输出使能保持高
输出使能低到Q活动
输出使能低到输出有效
注意事项:
1.读取由W的高定义的建立和保持时间。
2.所有读周期定时从K,国有企业,或POE引用。
3.存取时间由tKLQV控制,如果时钟低脉冲宽度小于( tKLQV - tKHQV ) ;否则它是由KHQV控制。
4. 必须是在一个较高的水平,输出进行转换。
5. DPE是有效的恰好一个时钟周期后输出的数据是有效的。
6.转换测量
±
500毫伏的稳态电压与图1B的输出负载。这个参数进行采样,而不是100 %测试。
在任何给定的电压和温度, tKHQZ小于tKHQX , tPOEHQZ小于tPOELQX对于给定的设备,而tSOEHQZ是少
比tSOELQX对于给定的设备。
7.这些读周期时序用于保证只有正确的校验操作。
摩托罗拉快速SRAM
MCM62110
5
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