摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCM6206D / D
32K ×8位高速静态RAM
该MCM6206D使用摩托罗拉的高性能硅栅制造
CMOS技术。静态设计，无需外部时钟或定时
选通，而CMOS电路减少了功耗，并提供了
更高的可靠性。
该器件符合JEDEC标准的功能和引脚排列，并且是可用
能够在塑料双列直插式塑料小外形J形引线封装。
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
全静态 - 无时钟或定时选通必要
快速访问时间：12， 15，20，和25纳秒
平等的地址和芯片使能访问时间
输出使能（G ）功能提高系统的灵活性和
消除总线争用问题
低功耗工作： 125 - 140 mA最大交流
充分TTL兼容 - 三态输出
MCM6206D
P包
300军用塑料
CASE 710B -01
套餐
300万SOJ
CASE 810B -03
引脚分配
框图
A1
A3
A4
A6
A7
A8
A9
A11
ROW
解码器
存储矩阵
256排x
128× 8列
VCC
VSS
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ0
DQ7
输入
数据
控制
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V CC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
.
.
.
VSS
列I / O
列解码器
引脚名称
A0 - A14 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
DQ0 - DQ7 。 。 。数据输入/输出数据
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。电源（ + 5V）
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
E
W
G
A0
A2
A5
A10 A12 A13 A14
REV 1
5/95
摩托罗拉公司1994年
摩托罗拉快速SRAM
MCM6206D
1
真值表
（ X =无关）
E
H
L
L
L
G
X
H
L
X
W
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
VCC电流
ISB1 ， ISB2
ICCA
ICCA
ICCA
产量
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
周期
–
–
读周期
写周期
绝对最大额定值
等级
电源电压
电压相对于VSS的任何引脚
除了VCC
输出电流
功耗
在偏置温度
工作温度
存储温度塑料
符号
VCC
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
1.0
- 10至+ 85
0至+ 70
单位
V
V
mA
W
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静电压
年龄或电场;然而，建议
正常的预防措施，以避免
施加任何电压的比马克西更高
妈妈的额定电压，以这种高阻抗
电路。
该CMOS存储器电路已经DE-
签署，以满足DC和AC规格
表中所示，热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和横向的空气至少500线性的流
每分钟英尺得以保持。
TSTG
- 55至+ 125
°C
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。曝光为前高于推荐电压
时间段往往会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±10%,
TA = 0 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VIH
VIL
民
4.5
2.2
– 0.5
*
典型值
5.0
—
—
最大
5.5
VCC + 0.3
**
0.8
单位
V
V
V
* VIL （分钟） = - 0.5 V直流; VIL （分） = - 2.0 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒）
** VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2.0 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒）
DC特性
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）
输出漏电流（ E = VIH或G = VIH时，VOUT = 0 VCC ）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
输出低电压（ IOL = 8.0毫安）
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
VOH
VOL
民
—
—
2.4
—
最大
±
1
±
1
—
0.4
单位
A
A
V
V
电源电流
参数
活动交流电源电流（IOUT = 0 mA时， VCC =最大， F = f最大）
AC待机电流（E = VIH ， VCC =最大， F = FMAX ）
CMOS待机电流（ VCC =最大， F = 0兆赫，E
≥
VCC - 0.2 V
VIN
≤
VSS + 0.2 V或
≥
VCC - 0.2 V ）
符号
ICCA
ISB1
ISB2
– 12
140
40
20
– 15
135
35
20
– 20
130
35
20
– 25
125
30
20
单位
mA
mA
mA
电容
（ F = 1 MHz时，DV = 3 V ， TA = 25 ° C，周期性采样，而不是100 ％测试）
特征
地址输入电容
控制引脚输入电容（E ，G ， W）
I / O容量
符号
CIN
CIN
CI / O
最大
6
8
8
单位
pF
pF
pF
MCM6206D
2
摩托罗拉快速SRAM
交流工作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5纳秒
输出定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。图1A除非另有说明
读周期
（见注1 ）
– 12
参数
读周期时间
地址访问时间
启用访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
使能低到输出有效
能高到输出高阻
输出使能低到输出有效
输出使能高到输出高阻
电时间
关机时间
符号
tAVAV
tAVQV
TELQV
TGLQV
tAXQX
TELQX
TEHQZ
TGLQX
TGHQZ
tELICCH
tEHICCL
民
12
—
—
—
4
4
0
0
0
0
—
最大
—
12
12
6
—
—
7
—
6
—
12
民
15
—
—
—
4
4
0
0
0
0
—
– 15
最大
—
15
15
8
—
—
8
—
7
—
15
民
20
—
—
—
4
4
0
0
0
0
—
– 20
最大
—
20
20
10
—
—
9
—
8
—
20
民
25
—
—
—
4
4
0
0
0
0
—
– 25
最大
—
25
25
12
—
—
10
—
10
—
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5,6
4,5,6
4,5,6
4,5,6
4,5,6
3
笔记
2
注意事项：
1， W为高读周期。
2.所有的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3.地址有效之前或重合为E变低。
4.在任何给定的电压和温度， tEHQZ （max）是小于tELQX （ min），而tGHQZ （max）是小于tGLQX （分钟） ，都为一
定设备和从设备到设备。
5.转换测量
±500
毫伏从稳态电压与图1b中的负荷。
6.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
7.设备不断选择（E = VIL ，G = VIL） 。
AC测试负载
+5 V
Z0 = 50
产量
50
VL = 1.5 V
产量
255
5 pF的
480
时序极限值
定时值的表显示任一
最小或最大极限为每个参
安静。输入要求从指定
视外部系统点。因此， AD-
着装设置时间被示为最小
因为系统必须提供至少是
多少时间（尽管大部分设备不
需要的话） 。另一方面，响应从
存储器从设备指定
观点看法。因此，访问时间显示
作为最大的，因为该设备从未亲
志愿组织的数据超过该时间后。
图1A
图1b
摩托罗拉快速SRAM
MCM6206D
3
写周期1
（W控制，见注1和2 ）
– 12
参数
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写脉冲宽度，
摹高
数据有效到写结束
数据保持时间
写低到输出高阻
写高到输出有效
写恢复时间
符号
tAVAV
tAVWL
tAVWH
tWLWH ，
TWLEH
tWLWH ，
TWLEH
tDVWH
tWHDX
TWLQZ
TWHQX
tWHAX ALE低
民
12
0
10
10
10
6
0
0
4
0
最大
—
—
—
—
—
—
—
6
—
—
民
15
0
12
12
10
7
0
0
4
0
– 15
最大
—
—
—
—
—
—
—
7
—
—
民
20
0
15
15
12
8
0
0
4
0
– 20
最大
—
—
—
—
—
—
—
8
—
—
民
25
0
20
20
15
10
0
0
4
0
– 25
最大
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5,6,7
5,6,7
4
笔记
3
注意事项：
1.电子低和W低的重叠期间，写操作。
2.若G变为低电平一致或之后W变低时，输出将保持在高阻抗状态。
3.所有的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.若G
≥
VIH ，输出将保持在高阻抗状态。
5.在任何给定的电压和温度， tWLQZ （max）是小于tWHQX （分钟） ，无论对于一个给定的设备和从设备到设备。
6.转换测量
±500
毫伏从稳态电压与图1b中的负荷。
7.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
写周期1
（W控制，见注1和2 ）
tAVAV
A（地址）
tAVWH
E（ CHIP ENABLE ）
tWLWH
TWLEH
W（写使能）
tAVWL
D（ DATA IN ）
TWLQZ
Q（ DATA OUT ）
高-Z
高-Z
tDVWH
数据有效
TWHQX
tWHDX
tWHAX ALE低
摩托罗拉快速SRAM
MCM6206D
5
QQ：2881677436 复制
