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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCM56824A / D
DSPRAM
8K ×24位高速静态RAM
该MCM56824A是组织为196,608位静态随机存取存储器
8192字的24位。该器件集成了8K ×24的SRAM核心的多
芯片使能输入,输出使能,以及外部控制的单地址引脚
多路复用器。这些功能允许直接连接到摩托罗拉
DSP56001数字信号处理器,并提供一个非常有效的对于执行装置
的减小的零件心理状态计数系统无需额外的接口逻辑。
多芯片的可用性使能( E1和E2)和输出使能( G) IN-
看跌期权提供了更高的系统灵活性,当多台设备使用。同
无论是芯片使能输入无效状态,设备将进入待机模式,有用
在低功率应用。单芯片多路选择A12或X / Y为
最高级地址输入取决于V / S控制输入端的状态。
此功能允许一个物理静态RAM组成,以有效地存储亲
克和矢量或标量操作数通过动态地重新划分所述RAM的
数组。典型应用在逻辑上映射向量操作数到高端内存
与标量操作数被存储在低位存储器中。通过连接
DSP56001address A15到向量/标量( V / S) MUX控制
销,这样的分区可以发生,没有额外的组件。这AL-
该内存资源的低点高效利用,不论操作数
DQ0
型。参见图应用在本文档加成的结束
DQ1
人的信息。
DQ2
多个电源和接地引脚已被用来最小化的效果
VSS
通过输出噪声引起的。
DQ3
该MCM56824A可在一个52引脚塑料有引线芯片载体
DQ4
( PLCC)和一个9 ×10网格, 86凸点表面安装的PBGA 。
DQ5
采用5 V单
±
10 %的电力供应
快速访问和周期时间: 20/25/35 ns(最大值)
全静态读写操作
平等的地址和芯片使能访问时间
单位片上地址多路复用器
高电平和低电平有效芯片使能输入
输出使能控制三态输出
高板密度PLCC封装
低功耗待机模式
完全兼容TTL
引脚名称
A0 - A11 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
A12 , X / Y 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。复用的地址
V / S 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址多路控制
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
E1,E2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
DQ0 - DQ23 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
该装置中,所有的VSS的正确操作
引脚必须接地。
DQ6
DQ7
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
MCM56824A
FN包装
52引脚PLCC
CASE 778-02
9 ×10 GRID
86 BUMP PBGA
CASE 896A -01
引脚分配
PLCC
A10
A11
A12
X / Y
V / S
NC
V CC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
46
8
45
9
44
10
43
11
42
12
41
13
40
14
39
15
38
16
37
17
36
18
35
19
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 3334
DQ11
A9
A8
A7
A6
G
VCC
VSS
E1
E2
W
NC
DQ12
10
鉴于PBGA封装底部
9
8
7
6
5
4
3
2
DQ23
DQ22
DQ21
VSS
DQ20
DQ19
DQ18
DQ17
DQ16
DQ15
VSS
DQ14
DQ13
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
W
E1
VSS
VCC
G
A7
A9
D13 VSS
D12 D14
E2
VSS
D16 D17 D18 D20 D21 D23
D15
D19 D22 VSS A5
A3
A1
A4
A2
A0
VCC
A6
A8
D11
D9
D8
D7
D6
D4
D5
VSS
D3
D1
D2
V / S NC
A12 X / Y
A10 A11
D0
D10 VSS
DSPRAM是摩托罗拉公司的一个商标。
REV 2
4/95
不按比例
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉快速SRAM
MCM56824A
1
框图
V / S
X / Y
A12
A0
A12
1
Q
0
2:1多路复用器
存储阵列
ROW
解码器
VCC
VSS
A5
A10
A11
512排x
384列
DQ0
DQ23
E1
E2
W
G
输入
数据
控制
列I / O
列解码器
A6
( LSB )
(MSB)
A9
真值表
E1
H
X
L
L
L
L
L
E2
X
L
H
H
H
H
H
G
X
X
H
L
L
X
X
W
X
X
H
H
H
L
L
V / S
X
X
X
H
L
H
L
模式
未选择
未选择
输出禁用
阅读使用X / Y
阅读使用A12
编写使用X / Y
编写使用A12
供应
当前
ISB
ISB
ICC
ICC
ICC
ICC
ICC
I / O
状态
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
注: X =不在乎。
绝对最大额定值
(电压参考VSS = 0 V)
等级
电源电压
电压相对于VSS的任何引脚
除了VCC
输出电流(每个I / O)
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度
符号
VCC
VIN,VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
TSTG
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
1.75
- 10至+ 85
0至+ 70
- 55至+ 125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
该器件包含电路保护
不受损坏,由于高静电压
或电场;然而,它是表示
要采取正常的预防措施,以避免应用程序
任何电压的阳离子比最大高
额定电压为这个高阻抗
电路。
该CMOS存储器电路已经DE-
签署,以满足DC和AC规格
表中所示,热equi-后
利眠宁已经建立。该电路是
假定是在一个测试插座或安装
上具有至少300的印刷电路板
横向气流存在的LFPM
维护。
注:如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
MCM56824A
2
摩托罗拉快速SRAM
DC操作条件和特点
( VCC = 5.0 V
±
10 % , TA = 0 + 70 ° C,除非另有说明)
推荐工作条件
(电压参考VSS = 0 V)
参数
电源电压(工作电压范围)
输入高电压
输入低电压
* VIL (分钟) = - 3.0 V AC(脉冲宽度
20纳秒)
符号
VCC
VIH
VIL
4.5
2.2
– 0.5*
典型值
5.0
最大
5.5
VCC + 0.3
单位
V
V
V
0.8
DC特性
参数
输入漏电流(所有输入, VIN = 0至VCC )
输出漏电流(G = VIH ,E1 = VIH , E2 = VIL时,VOUT = 0 VCC )
交流电源电流(G = VIH ,E1 = VIL , E2 = VIH , IOUT = 0毫安,
所有其它输入
VIL = 0.0 V和VIH
3.0 V)
MCM56824A - 20周期时间:
20纳秒
MCM56824A -25周期时间:
25纳秒
MCM56824A - 35周期时间:
35纳秒
待机电流( E1 = VIH , E2 = VIL ,所有输入= VIL或VIH )
CMOS待机电流( E1
VCC - 0.2 V , E2
0.2 V ,所有输入
VCC - 0.2 V或
0.2 V)
输出低电压( IOL = + 8.0毫安)
输出高电压( IOH = - 4.0毫安)
符号
ILKG (I)的
ILKG ( O)
ICCA
ISB1
ISB2
VOL
VOH
2.4
260
220
180
15
10
0.4
mA
mA
V
V
最大
±
1.0
±
1.0
单位
A
A
mA
电容
( F = 1.0兆赫,DV = 3.0 V, TA = 25 ° C,而定期取样超过100%测试)
参数
输入电容
输入/输出电容
所有引脚除了DQ0 - DQ23
DQ0 - DQ23
符号
CIN
COUT
典型值
4
6
最大
6
8
单位
pF
pF
+5V
RL = 50
产量
Z0 = 50
VL = 1.5 V
480
产量
255
5 pF的
(a)
(b)
图1. AC测试负载
摩托罗拉快速SRAM
MCM56824A
3
交流工作条件和特点
( VCC = 5.0 V
±
10 % , TA = 0 + 70 ° C,除非另有说明)
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3纳秒
输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1a除非另有说明
读周期时序
(见注1 , 2 ,3)
MCM56824A–20
参数
读周期时间
地址访问时间
MUX有效控制到输出有效
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
输出有源,从芯片使能
输出有效的输出使能
从地址变更输出保持
从MUX控制变更输出保持
芯片使能到输出高阻
输出使能高到输出高阻
符号
tAVAV
tAVQV
tVSVQV
tE1LQV
tE2HQV
TGLQV
tE1LQX
tE2HQX
TGLQX
tAXQX
tVSXQX
tE1HQZ
tE2LQZ
TGHQZ
20
2
0
4
4
0
0
最大
20
20
20
8
10
8
MCM56824A–25
25
2
0
5
5
0
0
最大
25
25
25
10
15
15
MCM56824A–35
35
0
0
5
5
0
0
最大
35
35
35
15
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
5
4, 5
5
4
笔记
注意事项:
1.读周期为W的高定义。
2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址或矢量/标量过渡到所述第一地址或矢量/标量过渡引用。
3.地址有效之前或重合E1变低或E2变高。
4. E1中的时序图表示两个E1和E2与E1置为低电平和E2置为高电平。
5.转换测量
±
500毫伏的稳态电压与图1B的载荷。这个参数进行采样,而不是100 %测试。在任何
给定的电压和温度, tE1HQZ max小于tE1LQX分钟, tE2LQZ max小于tE2HQX分钟, tGHQZ max小于
tGLQX闵对于给定的设备和从设备到设备。
读周期
tAVAV
A(地址)
tAVQV
V / S (MUX CONTROL)
tVSVQV
E1 ( CHIP ENABLE )
tE1LQV
TGLQV
G(输出使能)
TGLQX
Q( DATA OUT )
高-Z
tE1LQX
TGHQZ
数据有效
高-Z
tE1HQZ
tVSXQX
tAXQX
MCM56824A
4
摩托罗拉快速SRAM
写周期时序
(写使能启动,见注1 )
MCM56824A–20
参数
写周期时间
地址建立时间
MUX控制建立时间
地址有效到写结束
MUX控制有效到结束写入的
把脉冲宽度
写使能以芯片启用禁用
芯片使能写操作的结束
数据有效到写结束
数据保持时间
写恢复时间
MUX控制恢复时间
写高到输出低Z
写低到输出高阻
符号
tAVAV
tAVWL
tVSVWL
tAVWH
tVSVWH
tWLWH
tWLE1H
tWLE2L
tE1LWH
tE2HWH
tDVWH
tWHDX
tWHAX ALE低
tWHVSX
TWHQX
TWLQZ
20
0
0
15
15
15
15
15
8
0
0
0
4
0
最大
15
MCM56824A–25
25
0
0
20
20
15
15
15
10
0
0
0
5
0
最大
15
MCM56824A–35
35
0
0
30
30
20
20
20
15
0
0
0
5
0
最大
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
6
5
2
3
3, 4
3, 4
2
笔记
注意事项:
1.写周期开始于E1低,W低或高E2的最新转变。在E1的高,W高,或E2的最早的过渡A写循环结束
低。
2.写要高的所有地址转换。
3.当w变为低电平一致或之前的E1低或E2高的输出将保持在高阻抗状态。
4. E1中的时序图表示两个E1和E2与E1置为低电平和E2置为高电平。
5.在此期间,输出引脚可以处于输出状态。相位相反的信号不被施加到输出端,在此时间。
6.转换测量
±
500毫伏的稳态电压与图1B的载荷。这个参数进行采样,而不是100 %测试。在任何
给定的电压和温度, tE1HQZ max小于tE1LQX分钟, tE2LQZ max小于tE2HQX分钟, tGHQZ max小于
tGLQX闵对于给定的设备和从设备到设备。
我们发起写周期
tAVAV
A(地址)
tAVWH
V / S (MUX CONTROL)
tVSVWH
tE1LWH
E1 ( CHIP ENABLE )
tVSVWL
W(写使能)
tAVWL
tDVWH
D( DATA IN )
TWLQZ
Q( DATA OUT )
高-Z
高-Z
tWLE1H
tWHDX
tWLWH
tWHVSX
tWHAX ALE低
有效的数据在
TWHQX
摩托罗拉快速SRAM
MCM56824A
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