摩托罗拉
半导体技术资料
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由MCM4464 / D
MCM4464系列
R4000 1MB二级缓存
快速静态RAM模块套装
四MCM4464模块包括一个完整的1 MB二级缓存为
R4000处理器。每个模块包含9 MCM6709J快速静态RAM的
64K X 36的标记部分的缓存数据的大小，取决于字线的大小，
包含以下两种MCM6709J或者一个MCM6706J快速静态RAM 。所有输入信
的NAL ，除了A0和我们使用的是74FBT2827司机与25系列缓冲
电阻器。
该MCM6709J和MCM6706J使用高性能sili-制造
CON-门BiCMOS技术。静态设计省去了内部
时钟或定时选通。
所有1MB R4000支持二级缓存选项。
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
快速的模块访问时间： 17年12月15日NS
零等待状态操作
统一或分割Seconday缓存模块可供选择（参见订购
信息详细内容）
字线尺寸为4 ， 8 ， 16 ，和32个可供选择（参见订购
信息详细内容）
引脚兼容MCM44256系列也可支持全
R4000 4MB二级缓存。
去耦电容用于每个快速静态RAM和缓冲区，
随着大容量电容的最大噪声抗扰度
高品质多层FR4电路板，带独立电源和接地
飞机
引脚分配
80 LEAD SIMM - 顶视图
VCC
DQ1
DQ3
DQ5
VSS
DQ8
DQ10
DQ12
DQ14
DQ15
DQ17
DQ19
DQ21
VSS
DQ23
DQ25
DQ27
DQ29
DQ30
DQ32
DQ34
VSS
A0
A2
A4
A6
VCC
OE
A8
A10
VSS
A13
A15
NC
TDQ0
TDQ1
TDQ3
TDQ5
TDQ7
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66*
68*
70
72
74
76
78
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
73
75
77
VSS
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
DQ7
DQ9
DQ11
DQ13
VSS
DQ16
DQ18
DQ20
DQ22
VCC
DQ24
DQ26
DQ28
VSS
DQ31
DQ33
DQ35
WE
A1
A3
A5
VSS
DCS
A7
A9
A11
A12
A14
NC
TCS
VSS
TDQ2
TDQ4
TDQ6
引脚名称
A0 - A15 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
WE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
DCS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据启用
TCS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。标签启用
OE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
DQ0 - DQ35 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
TDQ0 - TDQ7 。 。 。 TAG数据输入/输出
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
对于设备的正常运行，必须VSS
被连接到地。
79 VCC
VSS 80
注：引脚分配是统一缓存。为
拆分缓存选项，引脚68变为
地址MSB （ A15 ）和引脚66是NC 。
REV 1
8/94
摩托罗拉公司1994年
摩托罗拉快速SRAM
MCM4464系列
1
绝对最大额定值
（电压参考VSS = 0 V）
等级
电源电压
电压相对于VSS
输出电流（每个I / O）
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度
符号
VCC
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
TSTG
价值
- 0.5 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
30
10
- 10至+ 85
0至+ 70
- 25 + 125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
该器件此模块包含的电路
以保护输入对造成的损害
高静态电压或电场;不过，
它是表示，正常的预防措施，
避免应用任何电压高于
最大额定电压为这些高阻抗
ANCE电路。
这些的BiCMOS存储电路已
专为满足DC与AC规范
表中所示，热平衡后
已经建立。该模块是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
并在真皮休闲包500英尺长的横向气流
每分钟保持。
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
（电压参考VSS = 0 V）
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
（ DQ0 - 35 ， TDQ0 - 7 ， WE， A0 ）
（ A1 - A15 ， OE ， DCS ， TCS ）
输入低电压
VIL
符号
VCC
VIH
2.2
2.0
– 0.5
**
—
—
—
VCC + 0.3 V *
VCC + 0.3 V *
0.8
V
民
4.5
典型值
5.0
最大
5.5
单位
V
V
* VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒）
** VIL （分钟） = - 3.0 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒）
DC特性
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）
输出漏电流（G ， XCS = VIH时，VOUT = 0 VCC ）
交流电源电流（G ， XCS = VIL ， IOUT = 0毫安）
输出低电压（ IOL = + 8毫安）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
注：当地的电源良好的去耦要经常使用。
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
ICCA
VOL
VOH
民
2.4
典型值
最大
±
10
±
10
1850
0.4
单位
A
A
mA
V
V
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）
参数
输入电容
输入/输出电容
（A0， WE）
（ A1 - A15 ， OE ， DCS ， TCS ）
符号
CIN
CIN
COUT
典型值
最大
110
10
10
单位
pF
pF
pF
摩托罗拉快速SRAM
MCM4464系列
3
交流工作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3纳秒
输出定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1a
读周期
（见注1和2 ）
–12
参数
地址访问时间
A0访问时间
数据/标签启用访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
从A0更改输出保持
数据/标签使能低到输出有效
数据/标签使能高到输出高阻
输出使能低到输出有效
输出使能高到输出高阻
符号
tAVQV
tA0QV
TELQV
TGLQV
tAXQX
tA0XQX
TELQX
TEHQZ
TGLQX
TGHQZ
民
—
—
—
—
4
4
2
1
1
1
最大
12
10
12
9
—
—
—
9
—
9
民
—
—
—
—
4
4
2
1
1
1
–15
最大
15
12
15
10
—
—
—
10
—
10
民
—
—
—
—
4
4
2
1
1
1
–17
最大
17
14
17
11
—
—
—
11
—
11
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3, 4
3, 4
3, 4
3, 4
笔记
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.启用时序是相同的DCS和TCS 。
3.过渡时测得的200毫伏从稳态电压与图1B的载荷。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC测试负载
+5 V
480
产量
Z0 = 50
RL = 50
VL = 1.5 V
产量
255
5 pF的
时序极限值
定时值的表显示任一
最小或最大极限为每个参
安静。输入要求从指定
视外部系统点。因此， AD-
着装设置时间被示为最小
因为系统必须提供至少是
多少时间（尽管大部分设备不
需要的话） 。另一方面，响应从
存储器从设备指定
观点看法。因此，访问时间显示
作为最大的，因为该设备从未亲
志愿组织的数据超过该时间后。
图1A
图1b
MCM4464系列
4
摩托罗拉快速SRAM
读周期1
（见注）
A1 – A15
tAVQV
A0
tA0VQV
tA0XQX
tAXQX
Q（ DATA OUT ）
以前的数据有效
数据有效
注：模块连续选择（ DCS或TCS = VIL ， OE = VIL） 。
读周期2
（见注）
A1 – A15
tAVQV
A0
tA0VQV
TELQV
TEHQZ
DCS / TCS
（ DATA / TAG ENABLE ）
TELQX
OE （输出使能）
TGLQV
TGLQX
Q（ DATA OUT ）
数据有效
TGHQZ
注：地址之前或重合与DCS或TCS变为低电平有效。
摩托罗拉快速SRAM
MCM4464系列
5
QQ：2880707522 复制
