摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCM32N864 / D
超前信息
256KB二级高速缓存模块
随着标签和可选脏
486处理器系统
这些256K字节的高速缓存模块提供双异步32K ×32的银行
内存。有一个16K ×8的标签内存主内存缓存能力高达64
兆字节。该MCM32N865和MCM32P865包括16K ×1通用I / O
脏位的回写高速缓存功能。该模块设计用于支持
常见的486芯片组，它采用芯片使能（ CEX ）字节的控制和银行的写
使能（ CWEx ） 。该MCM32N864和MCM32N865在5 V时的操作
MCM32P864和MCM32P865工作在3.3 V电源。提供用于PD引脚
高速缓存的大小确定在系统启动时
可缓存内存64MB
低调边缘连接器：的Burndy型号： CELP2X56SC3Z48
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
快速的模块周期时间：到外部处理器总线的33MHz的速度
高速缓存行写，字节芯片使能，行输出使能
去耦电容用于每个快速静态RAM
高品质多层FR4电路板，带独立电源和地平面
5 V和3.3 V电源支持
MCM32N864
MCM32N865
MCM32P864
MCM32P865
112–LEAD
卡边
案例1112年至1101年
顶视图
1
45
46
56
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。
REV 1
6/95
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉快速SRAM
MCM32N864MCM32N865MCM32P864MCM32P865
1
引脚分配
高速缓存模块
112 PIN CARDEDGE
顶视图
VSS
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
VCC5
NC
DQ8
DQ10
DQ12
VSS
DQ14
DQ16
DQ18
DQ20
VCC5
DQ22
NC
DQ24
DQ26
VSS
DQ28
DQ30
CA3B
CA3A
VCC5
A4
A6
A8
A10
A12
A14
A16
NC
VSS
NC
TDQ0
TDQ2
TDQ4
VSS
TDQ6
NC
TE
TWE
VCC5
VSS
NC
* DIRTYWE
NC
VCC5
G0
CWE0
PD0
PD2
NC
VSS
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
VSS
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
VCC3
NC
DQ9
DQ11
DQ13
VSS
DQ15
DQ17
DQ19
DQ21
VCC3
DQ23
NC
DQ25
DQ27
VSS
DQ29
DQ31
NC
NC
VCC3
A5
A7
A9
A11
A13
A15
A17
NC
VSS
NC
TDQ1
TDQ3
TDQ5
VSS
TDQ7
DIRTY *
NC
CE0
VCC3
VSS
CE1
CE2
CE3
VCC3
G1
CWE1
PD1
PD3
NC
VSS
PD3
NC
NC
GND
PD2
NC
GND
GND
PD1
NC
NC
NC
PD0
NC
NC
NC
缓存
SIZE
—
256KB
256KB
脏
—
No
是的
模块
无模块
32N864
32P864
32N865
32P865
引脚名称
A4 - A17 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
CA3A ， CA3B 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。银行地址输入
CWEx 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。银行写使能
CEX 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。字节的芯片使能
G0，G1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。行输出使能
DQ0 - DQ31 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。高速缓冲存储器的数据输入/输出
TDQ0 - TDQ8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。标签数据输入/输出
TWE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。标签写使能
TE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。标签芯片使能
DIRTYWE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。肮脏的写使能
脏了。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。肮脏的输入/输出
PD0 - PD3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。设备检测
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
VCC5 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V电源
VCC3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.3V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
*无连接的MCM32N864和MCM32P864
MCM32N864MCM32N865MCM32P864MCM32P865
2
摩托罗拉快速SRAM
MCM32N865
486 256KB缓存模块框图
8个标志比特又脏
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
W
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
W
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
W
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
W
CWE0
G0
CA3A
DQ0 - DQ7
DQ8 - DQ15
DQ16 - DQ23
DQ24 - DQ31
8
8
8
8
A0 – A13
16K ×1
脏
DIRTYWE
74F244
A4 – A17
TDQ0 - TDQ7
TWE
14
A0 – A13
DQ0 - DQ7
W
16K ×8
E
TE
DQ
W
E
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
G
W
CWE1
G1
CA3B
W
W
W
CE0
CE1
CE2
CE3
摩托罗拉快速SRAM
MCM32N864MCM32N865MCM32P864MCM32P865
3
MCM32N864
486 128KB缓存模块框图
8个变量位
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
W
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
W
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
W
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
W
CWE0
G0
CA3A
DQ0 - DQ7
DQ8 - DQ15
DQ16 - DQ23
DQ24 - DQ31
8
8
8
8
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
G
32K ×8
A1 – A14
DQ0 - DQ7
E
A0
G
W
CWE1
G1
CA3B
W
W
W
CE0
CE1
CE2
CE3
74F244
A4 – A17
TDQ0 - TDQ7
TWE
14
A0 – A13
DQ0 - DQ7
W
16K ×8
E
TE
MCM32N864MCM32N865MCM32P864MCM32P865
4
摩托罗拉快速SRAM
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