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摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MCM32A732 / D
超前信息
128KB / 256KB二级缓存
模块
与标签,有效的,脏的i486
处理器系统
这个家庭的缓存模块非常适合于提供二级缓存
英特尔 82420 PCI芯片组。该系列提供了128K字节和256K字节
缓存大小与有效的,肮脏和7 , 8 , 9或标记位的选择。标签/有效位
具有33 MHz的时钟速率的零等待状态12 ns的访问时间。在PD
标签映射到82420的用于自动配置的配置寄存器
在系统启动时的高速缓存控制器。
低调边缘连接器:的Burndy型号: CELP2X56SC3Z48
采用5 V单
±
10 %的电力供应
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
快速的模块周期时间:到外部处理器总线的33MHz的速度
缓存字节写入,银行芯片使能,行输出使能
去耦电容用于每个快速静态RAM
高品质多层FR4电路板,带独立电源和地平面
MCM32A732
MCM32A832
MCM32A932
MCM32A764
MCM32A864
MCM32A964
112–LEAD
卡边
案例1112年至1101年
顶视图
1
45
46
56
BurstRAM是摩托罗拉公司的注册商标。
I486是注册商标英特尔公司
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息,如有变更,恕不另行通知。
REV 1
6/95
摩托罗拉公司1994年
摩托罗拉快速SRAM
MCM32A732/764MCM32A832/864MCM32A932/964
1
引脚分配
高速缓存模块
112 -LEAD CARDEDGE
顶视图
VSS
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
VCC
NC
DQ8
DQ10
DQ12
VSS
DQ14
DQ16
DQ18
DQ20
VCC
DQ22
NC
DQ24
DQ26
VSS
DQ28
DQ30
LA2
LA3
VCC
A4
A6
A8
A10
A12
A14
A16
NC
VSS
DIRTYD
TDQ0
TDQ2
TDQ4
VSS
TDQ6
有效
TE
TWE
VCC
VSS
TG
DIRTYWE
DIRTYE
VCC
G0
E0
PD0
PD2
PD4
VSS
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
VSS
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
VCC
NC
DQ9
DQ11
DQ13
VSS
DQ15
DQ17
DQ19
DQ21
VCC
DQ23
NC
DQ25
DQ27
VSS
DQ29
DQ31
HA2
HA3
VCC
A5
A7
A9
A11
A13
A15
NC
NC
VSS
DIRTYQ
TDQ1
TDQ3
TDQ5
VSS
TDQ7*
TDQ8**
ALE
WE0
VCC
VSS
WE1
WE2
WE3
VCC
G1
E1
PD1
PD3
NC
VSS
PD4
NC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
PD3
NC
VCC
NC
NC
VCC
NC
NC
PD2
NC
NC
NC
VCC
NC
NC
VCC
PD1
NC
NC
NC
NC
VCC
VCC
VCC
PD0
NC
VCC
VCC
VCC
NC
NC
NC
缓存
SIZE
128KB
128KB
128KB
256KB
256KB
256KB
内存
最大
16MB
32MB
64MB
32MB
64MB
128MB
模块
无模块
32A732
32A832
32A932
32A764
32A864
32A964
引脚名称
A4 - A19 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
HCA2 , HCA3 。 。 。 。 。 。 。上银行地址输入
LCA2 , LCA3 。 。 。 。 。 。 。 。较低的银行地址输入
ALE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址锁存使能
WX 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。字节写使能
E0,E1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。银行芯片使能
G0,G1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。行输出使能
DQ0 - DQ31 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。高速缓冲存储器的数据输入/输出
TDQ0 - TDQ8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。标签数据输入/输出
TWE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。标签写使能
TG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。标签输出使能
TE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。标签芯片使能
VALID 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。有效位
DIRTYWE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。肮脏的写使能
DIRTYE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。肮脏的芯片使能
DIRTYD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。脏数据输入
DIRTYQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。脏数据输出
PD0 - PD4 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。设备检测
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
*无连接为32A864 , 32A832
**无连接为32A764 , 32A864 , 32A732 , 32A832
MCM32A732/764MCM32A832/864MCM32A932/964
2
摩托罗拉快速SRAM
486 256KB缓存模块框图
9变量位
32K ×8
A2 – A14
DQ0 - DQ7
W
A0
A1
G
32K ×8
A2 – A14
DQ0 - DQ7
W
A0
A1
G
32K ×8
A2 – A14
DQ0 - DQ7
W
A0
A1
G
32K ×8
A2 – A14
DQ0 - DQ7
W
A0
A1
G
32K ×8
A2 – A14
DQ0 - DQ7
W
A0
A1
G
32K ×8
A2 – A14
DQ0 - DQ7
W
A0
A1
G
32K ×8
A2 – A14
DQ0 - DQ7
W
A0
A1
G
32K ×8
A2 – A14
DQ0 - DQ7
W
A0
A1
G
W0
E
E
W1
E
E
W2
E
E
W3
E
E0
G0
LCA3
LCA2
DQ0 - DQ7
DQ8 - DQ15
DQ16 - DQ23
DQ24 - DQ31
DIRTYQ
DIRTYD
DIRTYWE
ALE
A4 – A17
TDQ0 - TDQ8
有效
TWE
14
8
8
8
8
E
E1
G1
HCA3
HCA2
A0 – A13
16K ×1
DOUT
DIN
W
74F373
A0 – A13
DQ0 - DQ8
DQ9
16K ×10
W
DIRTYE
TE
TG
摩托罗拉快速SRAM
MCM32A732/764MCM32A832/864MCM32A932/964
3
486 128KB缓存模块框图
9变量位
32K ×8
A2 – A14
DQ0 - DQ7
W
A0
A1
G
32K ×8
A2 – A14
DQ0 - DQ7
W
A0
A1
G
32K ×8
A2 – A14
DQ0 - DQ7
W
A0
A1
G
32K ×8
A2 – A14
DQ0 - DQ7
W
A0
A1
G
W0
E
W1
E
W2
E
W3
NC
NC
NC
NC
E1
G1
HCA3
HCA2
E
E0
G0
LCA3
LCA2
DQ0 - DQ7
DQ8 - DQ15
DQ16 - DQ23
DQ24 - DQ31
DIRTYQ
DIRTYD
DIRTYWE
ALE
A4 – A17
TDQ0 - TDQ8
有效
TWE
A0 – A12
8K ×1
DOUT
DIN
W
74F373
A0 – A12
DQ0 - DQ8
DQ9
8K ×10
W
DIRTYE
TE
TG
MCM32A732/764MCM32A832/864MCM32A932/964
4
摩托罗拉快速SRAM
真值表
( X =无关)
E
H
L
L
L
G
X
H
L
X
W
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
VCC电流
ISB1 , ISB2
ICCA
ICCA
ICCA
产量
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
周期
读周期
写周期
注: E = EXX , ET ; W = WXX , WT , WA ; G = GA , GB
绝对最大额定值
等级
电源电压
电压相对于VSS的任何引脚
除了VCC
输出电流
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度 - 塑料
符号
VCC
VIN,VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
11.0
- 10至+ 85
0至+ 70
单位
V
V
mA
W
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏,由于高静电压
年龄或电场;然而,建议
正常的预防措施,以避免
施加任何电压的比马克西更高
妈妈的额定电压,以这种高阻抗
电路。
该CMOS存储器电路已经DE-
签署,以满足DC和AC规格
表中所示,热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和横向的空气至少500线性的流
每分钟英尺得以保持。
TSTG
- 55至+ 125
°C
注:如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。曝光为前高于推荐电压
时间段往往会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
( VCC = 5.0 V
±10%,
TA = 0 70 ° C,除非另有说明)
推荐工作条件
参数
电源电压(工作电压范围)
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VIH
VIL
4.5
2.2
– 0.5
*
典型值
5.0
最大
5.5
VCC + 0.3
**
0.8
单位
V
V
V
* VIL (分钟) = - 0.5 V直流; VIL (分) = - 2.0 V AC(脉冲宽度
20纳秒)
** VIH (最大值) = VCC + 0.3 V直流; VIH (最大值) = VCC + 2.0 V AC(脉冲宽度
20纳秒)
DC特性
参数
输入漏电流(所有输入, VIN = 0至VCC )
输出漏电流( E = VIH或G = VIH时,VOUT = 0 VCC )
输出高电压( IOH = - 4.0毫安)
输出低电压( IOL = 8.0毫安)
符号
ILKG (I)的
ILKG ( O)
VOH
VOL
2.4
最大
±
10
±
10
0.4
单位
A
A
V
V
电源电流
参数
活动交流电源电流(IOUT = 0 mA时, VCC =最大, F = f最大)
AC待机电流(E = VIH , VCC =最大, F = FMAX )
CMOS待机电流( VCC =最大, F = 0兆赫,E
VCC - 0.2 V
VIN
VSS + 0.2 V或
VCC - 0.2 V )
符号
ICCA
ISB1
ISB2
32Ax32
33兆赫
750
180
120
32Ax64
33兆赫
1250
300
200
单位
mA
mA
mA
摩托罗拉快速SRAM
MCM32A732/764MCM32A832/864MCM32A932/964
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MCM32A864SG33
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MCM32A864SG33
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9663
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