摩托罗拉
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通过MCM101524 / D
产品预览
MCM101524
1M ×4位快速静态
与随机存取存储器
ECL I / O
该MCM101524是组织了4,194,304位静态随机存取存储器
作为4位1,048,576字。这个电路是使用高性能制造
硅栅BiCMOS技术。异步设计省去了
外部时钟或定时选通。
该MCM101524是400万， 36引线接头可用。
快速访问次数： 12 ， 15纳秒
平等的地址和芯片选择访问时间
电力操作： - 195毫安最大，交流活动
框图
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
D0
D3
Q0
Q3
S
W
列I / O
列解码器
ROW
解码器
存储矩阵
1024行×
4096柱
VEE
VCC
TB包
400 MIL TAB
CASE 984A -01
引脚分配
A10
A11
A12
A13
A14
S
D0
Q0
VCC
VEE
Q1
D1
W
A0
A15
A16
A17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
A1
A2
A3
A8
A19
NC
D3
Q3
VEE
VCC
Q2
D2
NC
A9
A4
A5
A6
A7
输入
数据
控制
A19 A18 A7 A6
A5 A4
A3 A2 A1
A0
Q0
A18
Q3
引脚名称
A0 - A19 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。片选
Q0 - Q3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输出
VEE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。电源
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
D0 - D3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
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REV 2
9/94
摩托罗拉公司1994年
摩托罗拉快速SRAM
MCM101524
1
真值表
（ X =无关）
S
H
L
L
W
X
H
L
手术
未启用
读
写
数据
X
X
X
产量
L
Q
L
当前
—
IEE
IEE
绝对最大额定值
（见注）
等级
VEE端子电位（接地）
电压相对于VCC的任何引脚
除了VEE
输出电流（每个I / O）
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度 - 塑料
符号
VEE
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TJ
价值
- 7.0 + 0.5
VEE - 0.5 + 0.5
– 50
2.0
- 30至+ 85
0至+ 60
单位
V
V
mA
W
°C
°C
该器件包含电路保护
不受损坏，由于高静投入
电压或电场;然而，它是AD-
vised正常的预防措施，采取
避免应用程序的任何电压高于
最大额定电压为这些高
阻抗电路。
该内存的BiCMOS电路已
专为满足DC和AC规格
表中所示的系统蒸发散，热equi-后
利眠宁已经建立。该电路是
在一个测试插座或安装在印刷税务局局长
CUIT板和至少横向气流
500每分钟直线英尺维持。
TSTG
- 55至+ 125
°C
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于使用条件
TIONS 。暴露于高于推荐电压为延长的时期
可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VCC = 0 V ， VEE = - 5.2 V
±
5 ％ ， TJ = 0至+ 60 ° C，除非另有说明）
DC操作条件和供电电流
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入低电平电流
输入高电流
片选输入低电平电流
工作电源电流： tAVAV = 20纳秒（所有输出开） *
静态电源电流： FO = 0兆赫（输出打开）
补偿电压（ VOH ）
补偿电压（ VOL ）
*地址递增
符号
VEE
VIH
VIL
VOH
VOL
IIL
IIH
IIL （ CS ）
IEE
IEEQ
V
OH / ΔVEE
V
OL / ΔVEE
民
– 5.46
– 1165
– 1810
– 1025
– 1810
– 50
—
0.5
—
—
典型值
– 5.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
– 4.94
– 880
– 1475
– 880
– 1620
—
220
170
– 195
– 150
单位
V
mV
mV
mV
mV
A
A
A
mA
mA
±
35 mV / V的@ - 4.94至 - 5.46 V
±
60 mV / V的@ - 4.94至 - 5.46 V
上升/下降时间特性
参数
输出上升时间
输出下降时间
符号
tr
tf
测试条件
20 ％至80％
20 ％至80％
民
0.5
0.5
典型值
1.0
1.0
最大
1.5
1.5
单位
ns
ns
电容
（ F = 1.0 MHz时， TA = 25 ° C，周期性采样救父100 ％测试）
参数
输入电容
输出电容
地址和数据
S，W
Q
符号
CIN
CCK
COUT
典型值
3.5
4
4
最大
7
7
8
单位
pF
pF
MCM101524
2
摩托罗拉快速SRAM
交流工作条件和特点
（ VEE = - 5.2 V
±
5 ％ ， VCC = 0 V ， TJ = 0至+ 60 ° C，除非另有说明）
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1.7 V至 - 0.9 V（见图1 ）
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1纳秒
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 ％
输出定时测量参考电平。 。 VOH = - 1165毫伏
VOL = - 1475毫伏
输出负载（ AC测试电路） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图2
读周期时序
（见注1和2 ）
MCM101524–12
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
选择高输出低电平
从地址变更输出保持
电时间
关机时间
符号
tAVAV
tAVQV
tSLQV
TSHQL
tAXQX
tSLIEEH
tSHIEEL
民
12
—
—
0
4
0
—
最大
—
12
12
8
—
—
12
MCM101524–15
民
15
—
—
0
4
0
—
最大
—
15
15
9
—
—
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
4
6
笔记
2, 3
注意事项：
1， W为高读周期。
2.产品sensitivites噪声要求在读取和写入周期适当的接地和电源去耦。
3.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.设备不断选择（S
≤
VIL ） 。
6.地址有效之前或重合带S变低。
AC测试条件
VCC
– 0.9 V
80%
50%
20%
tr
TR =上升时间
TF =下降时间
50 ％ =时序参考电平
80%
50%
20%
tf
0.1
F
VEE
RL = 50
CL = 30 pF的
0.01
F
Q
CL
– 1.7 V
– 2.0 V
RL
图1.输入电平
图2. AC测试电路
摩托罗拉快速SRAM
MCM101524
3
写周期1
（W控制，见注1和2 ）
MCM101524–12
参数
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
数据有效到写结束
数据保持时间
写高到输出有效
写高到输出有效
写恢复时间
写低到输出低
符号
tAVAV
tAVWL
tAVWH
tWLWH ，
tWLSH
tDVWH
tWHDX
TWHQX
tWHQV
tWHAX ALE低
tWLQL
民
12
1
9
8
8
1
4
—
1
0
最大
—
—
—
—
—
—
—
13
—
8
MCM101524–15
民
15
1
10
9
9
1
4
—
1
0
最大
—
—
—
—
—
—
—
16
—
9
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
笔记
3
注意事项：
1. s低和W低重叠在写发生。
2.产品sensitivites噪声要求在读取和写入周期适当的接地和电源去耦。
3.所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
写周期1
（W控制，见注1 ， 2 ，3）
tAVAV
A（地址）
tAVWH
tAVWL
S（片选）
tWLSH
D（ DATA IN ）
数据有效
tDVWH
tWLWH
W（写使能）
tWHQV
tWLQL
TWHQX
Q（ DATA OUT ）
tWHDX
地址有效
tWHAX ALE低
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摩托罗拉
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摩托罗拉快速SRAM
MCM101524
5
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