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MCL4148 / MCL4448
威世半导体
小信号快速开关二极管
特点
硅外延平面二极管
节省空间
e2
气密密封件
适合到SOD323 / SOT23封装的脚印
电气数据等同于设备1N4148
分别1N4448
微型晶圆电阻包
铅(Pb) -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
9612315
应用
极速开关
机械数据
案例:
MicroMELF玻璃外壳
重量:
约。 12毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒TR3 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 12.5 K /箱TR / 2.5
零件表
部分
MCL4148
MCL4448
类型分化
V
RRM
= 100 V, V
F
在我
F
50毫安= 1 V
V
RRM
= 100 V, V
F
在我
F
百毫安= 1 V
订购代码
MCL4148 - TR3或MCL4148 -TR
MCL4448 - TR3或MCL4448 -TR
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
平均正向电流
功耗
V
R
= 0
t
p
= 1 s
测试条件
符号
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
合计
价值
100
75
2
450
200
150
500
单位
V
V
A
mA
mA
mA
mW
文档编号85566
修订版1.9 , 07 -MAR -06
www.vishay.com
1
MCL4148 / MCL4448
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
结到环境空气
测试条件
安装在环氧树脂 - 玻璃硬
组织,图5 ,
35微米的铜包铝, 0.9毫米
2
每个电极铜面积
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
175
- 65 + 175
°C
°C
符号
R
thJA
价值
500
单位
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 5毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
反向电流
V
R
= 20 V
V
R
= 20 V ,T
j
= 150 °C
V
R
= 75 V
击穿电压
二极管电容
整流效率
反向恢复时间
I
R
= 100 μA ,T
p
/T = 0.01,
t
p
0.3毫秒
V
R
= 0中,f = 1兆赫,V
HF
= 50毫伏
V
HF
= 2 V , F = 100 MHz的
I
F
= I
R
= 10 mA时,我
R
= 1毫安
I
F
= 10 mA时, V
R
= 6 V,
i
R
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100
Ω
部分
MCL4448
MCL4148
MCL4448
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
V
( BR )
C
D
η
r
t
rr
t
rr
45
8
4
100
4
620
860
930
典型值。
最大
720
1000
1000
25
50
5
单位
mV
mV
mV
nA
A
A
V
pF
%
ns
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
1000
MCL 4148
I
F
- 正向电流(mA )
100
散射极限
10
I
F
- 正向电流(mA )
1000
MCL 4448
100
散射极限
10
1
T
j
= 25 °C
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
T
j
= 25
°
C
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
16641
V
F
- 前进
电压
(V)
16643
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.正向电流与正向电压
图2.正向电流与正向电压
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2
文档编号85566
修订版1.9 , 07 -MAR -06
MCL4148 / MCL4448
威世半导体
1000
I
R
- 反向电流( NA)
T
j
= 25 °C
100
散射极限
10
1
1
94 9098
10
V
R
- 反向
电压
(V)
100
图3.反向电流和反向电压
3.0
C
D
- 二极管电容(pF )
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.1
94 9099
F = 1 MHz的
T
j
= 25 °C
1
10
100
V
R
- 反向
电压
(V)
图4.二极管电容与反向电压
0.71
1.3
1.27
0.152
9.9
25
0.355
10
2.5
95 10329
24
图5.董事会的R
thJA
定义(单位mm)
文档编号85566
修订版1.9 , 07 -MAR -06
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3
MCL4148 / MCL4448
威世半导体
单位:mm包装尺寸(英寸)
阴极indification
1 ( 0.039 )表面计划
玻璃柜
MicroMELF
1.
2.0 (0.079)
1.8 (0.071)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
> 2.5 (R 0.098 )
玻璃
ISO方法E
再溢流焊接
1.2 (0.047)
1.4 (0.055)
波峰焊
0.8 (0.031)
0.8 (0.031)
2.4 (0.094)
文件
编号:
6.560-5007.01-4
牧师11 , 07.Feb.2005
9612072
0.8 (0.031)
0.9 (0.035)
1.0 (0.039)
2.8 (0.110)
www.vishay.com
4
表面计划
0.6
(0.024)
0.9 (0.035)
35
G
& LT ;
la
ss
(0
.0
5
3)
文档编号85566
修订版1.9 , 07 -MAR -06
MCL4148 / MCL4448
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
文档编号85566
修订版1.9 , 07 -MAR -06
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MCL4448-TR3
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
MCL4448-TR3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
MCL4448-TR3
VISHAY
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VISHAY/威世
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电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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VISHAY/威世
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