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MCL101A , MCL101B , MCL101C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
低电容
低漏电流
低正向压降
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC
并根据WEEE指令2002/96 / EC
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
9612315
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流,低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器,用于笔记本电脑
机械数据
案例:
MicroMELF
重量:
约。 12毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒TR3 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 12.5 K /箱TR / 2.5
零件表
部分
MCL101A
MCL101B
MCL101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 410毫伏
V
R
= 50 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 400毫伏
V
R
= 40 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 390毫伏
订购代码
MCL101A - TR3或MCL101A -TR
MCL101B - TR3或MCL101B -TR
MCL101C - TR3或MCL101C -TR
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
t
p
= 10 s
测试条件
部分
MCL101A
MCL101B
MCL101C
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
60
50
40
2
150
30
单位
V
V
V
A
mA
mA
文档编号85627
修订版1.4 , 05 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
MCL101A , MCL101B , MCL101C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10 A
V
R
= 50 V
漏电流
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
I
F
= 1毫安
正向电压降
I
F
= 15毫安
部分
MCL101A
MCL101B
MCL101C
MCL101A
MCL101B
MCL101C
MCL101A
MCL101B
MCL101C
MCL101A
MCL101B
MCL101C
MCL101A
二极管电容
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
MCL101B
MCL101C
符号
V
( BR )
V
( BR )
V
( BR )
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
分钟。
60
50
40
200
200
200
410
400
390
1000
950
900
2
2.1
2.2
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
100
2.0
T
j
= 125 °C
10
T
j
= 100 °C
1
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
0.1
T
j
= 25 °C
0.01
0
16204
C
D
- 二极管电容(pF )
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T
j
= 25 °C
I
R
=反向电流( μA )
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
16205
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
R
- 反向
电压
(V)
V
R
- 反向
电压
(V)
图1.反向电流和反向电压
图2.二极管电容与反向电压
www.vishay.com
2
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修订版1.4 , 05 - 8 - 10
MCL101A , MCL101B , MCL101C
威世半导体
10.00
I
F
- 正向电流(mA )
1.00
0.10
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
16206
V
F
- 前进
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
包装尺寸
以毫米(英寸):
MicroMELF
阴极indification
1 (0.039)
表面计划
表面计划
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
& LT ;
1.
35
gl
(0
as
.0
s
53
)
*
2 (0.079)
1.8 (0.071)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
> R2.5 ( 0.098 )
玻璃
*
差距
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐:
再溢流焊接
2.4 (0.094)
0.8 (0.031)
0.8 (0.031)
0.9 (0.035)
WAVE
焊接
2.8 (0.110)
0.9 (0.035)
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
1 (0.039)
创建 - 日期: 26.July.1996
启示录13 - 日期: 07.June.2006
文件编号: 6.560-5007.01-4
96 12072
文档编号85627
修订版1.4 , 05 - 8 - 10
1.4 (0.055)
0.6 (0.024)
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3
MiniMELF SOD80
威世半导体
包装尺寸
毫米(英寸)
阴极indification
*
0.47 ( 0.019)最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐:
2.5 ( 0.098 )最大。
1.25 ( 0.49 )分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 ( 0.197 )参考。
文件编号: 6.560-5005.01-4
启示录
8
- 日期: 07.June.2006
96 12070
文档编号: 84024
修订版1.3 12 -JAN- 07
如有技术问题,请联系: EMI-filter@vishay.com
2 ( 0.079 )分钟。
www.vishay.com
21
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
全部产品,产品规格及数据如有更改,恕不另行通知,以改善
可靠性,功能,设计或其他原因。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理商和雇员,和所有代表及其或其各自的(统称个人,
“威世” ) ,包含在任何数据或任何其他的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前,Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证,声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内, Vishay不承担( i)任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用, ( ii)任何及所有责任,包括但不限于特殊,
间接或附带损失,及(iii)任何和所有的暗示担保,包括适销性和针对特定担保
目的,非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求,常常放置在日前,Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任,以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性,适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异,而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数,包括典型参数,必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明,否则Vishay产品不用于医疗,救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险,并同意
充分赔偿并日前,Vishay及其分销商,免受任何和所有索赔,债务,费用和
引起或导致此类使用或销售,包括律师费方面,即使此类索赔称,赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 11 -MAR- 11
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1
MCL101A–MCL101C
日前,Vishay
半导体
小信号肖特基势垒二极管
特点
D
对综合保护环
静电放电
D
低电容
D
低漏电流
D
低正向压降
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流,低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器,用于笔记本电脑
96 12315
订购说明
TYPE
MCL101A
MCL101B
MCL101C
类型分化
V
R
=60 V, V
F
@I
F
漏电流小于1mA 。 0.41 V
V
R
=50 V, V
F
@I
F
漏电流小于1mA 。 0.4 V
V
R
=40 V, V
F
@I
F
漏电流小于1mA 。 0.39 V
订购代码
MCL101A–TR
MCL101B–TR
MCL101C–TR
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向电压
g
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
结温
存储温度范围
t
p
=10
m
s
测试条件
TYPE
MCL101A
MCL101B
MCL101C
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
T
j
T
英镑
价值
60
50
40
2
150
30
125
–65...+150
单位
V
V
V
A
mA
mA
°
C
°
C
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
在PC板50 mmx50 mmx1.6毫米
符号
R
thJA
价值
320
单位
K / W
文档编号85627
第3版, 25军, 01
www.vishay.com
1 (4)
MCL101A–MCL101C
日前,Vishay
半导体
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
反向击穿电压
g
测试条件
I
R
=10
m
A
V
R
= 50 V
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
I
F
=1mA
正向电压降
I
F
=15mA
TYPE
MCL101A
MCL101B
MCL101C
MCL101A
MCL101B
MCL101C
MCL101A
MCL101B
MCL101C
MCL101A
MCL101B
MCL101C
MCL101A
MCL101B
MCL101C
符号
V
( BR )R
60
50
40
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
漏电流
g
I
R
V
F
V
F
二极管电容
V
R
= 0 V , F = 1MHz的
C
D
200
200
200
0.41
0.4
0.39
1
0.95
0.9
2.0
2.1
2.2
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明)
100.00
T
j
=150°C
2.0
1.8
C
D
- 二极管电容(pF )
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
R
- 反向电压( V)
16205
Tj=25
°
C
反向电流(
A)
T
j
=125°C
10.00
T
j
=100°C
1.00
T
j
=75°C
T
j
=50°C
R
0.10
T
j
=25°C
I
0.01
16204
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
R
- 反向电压( V)
图1.反向电流和反向电压
图2.二极管电容与反向电压
www.vishay.com
2 (4)
文档编号85627
第3版, 25军, 01
MCL101A–MCL101C
日前,Vishay
半导体
波峰焊
10.00
16774
I
F
- 正向电流(mA )
1.00
1.4
0.10
0.9
1.0
2.8
0.9
0.01
0
16206
推荐的脚垫(单位mm)
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
V
F
- 正向电压( V)
图3.正向电流与正向电压
再溢流焊接
16773
1.2
0.8
0.8
2.4
0.8
推荐的脚垫(单位mm)
尺寸(mm)
96 12072
文档编号85627
第3版, 25军, 01
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3 (4)
MCL101A–MCL101C
日前,Vishay
半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统,以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay -半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,半导体的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
www.vishay.com
4 (4)
文档编号85627
第3版, 25军, 01
MCL101A–MCL101C
日前,Vishay
半导体
小信号肖特基势垒二极管
特点
D
对综合保护环
静电放电
D
低电容
D
低漏电流
D
低正向压降
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流,低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器,用于笔记本电脑
96 12315
订购说明
TYPE
MCL101A
MCL101B
MCL101C
类型分化
V
R
=60 V, V
F
@I
F
漏电流小于1mA 。 0.41 V
V
R
=50 V, V
F
@I
F
漏电流小于1mA 。 0.4 V
V
R
=40 V, V
F
@I
F
漏电流小于1mA 。 0.39 V
订购代码
MCL101A–TR
MCL101B–TR
MCL101C–TR
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向电压
g
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
结温
存储温度范围
t
p
=10
m
s
测试条件
TYPE
MCL101A
MCL101B
MCL101C
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
T
j
T
英镑
价值
60
50
40
2
150
30
125
–65...+150
单位
V
V
V
A
mA
mA
°
C
°
C
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
在PC板50 mmx50 mmx1.6毫米
符号
R
thJA
价值
320
单位
K / W
文档编号85627
第3版, 25军, 01
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1 (4)
MCL101A–MCL101C
日前,Vishay
半导体
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
反向击穿电压
g
测试条件
I
R
=10
m
A
V
R
= 50 V
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
I
F
=1mA
正向电压降
I
F
=15mA
TYPE
MCL101A
MCL101B
MCL101C
MCL101A
MCL101B
MCL101C
MCL101A
MCL101B
MCL101C
MCL101A
MCL101B
MCL101C
MCL101A
MCL101B
MCL101C
符号
V
( BR )R
60
50
40
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
漏电流
g
I
R
V
F
V
F
二极管电容
V
R
= 0 V , F = 1MHz的
C
D
200
200
200
0.41
0.4
0.39
1
0.95
0.9
2.0
2.1
2.2
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明)
100.00
T
j
=150°C
2.0
1.8
C
D
- 二极管电容(pF )
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
R
- 反向电压( V)
16205
Tj=25
°
C
反向电流(
A)
T
j
=125°C
10.00
T
j
=100°C
1.00
T
j
=75°C
T
j
=50°C
R
0.10
T
j
=25°C
I
0.01
16204
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
R
- 反向电压( V)
图1.反向电流和反向电压
图2.二极管电容与反向电压
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2 (4)
文档编号85627
第3版, 25军, 01
MCL101A–MCL101C
日前,Vishay
半导体
波峰焊
10.00
16774
I
F
- 正向电流(mA )
1.00
1.4
0.10
0.9
1.0
2.8
0.9
0.01
0
16206
推荐的脚垫(单位mm)
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
V
F
- 正向电压( V)
图3.正向电流与正向电压
再溢流焊接
16773
1.2
0.8
0.8
2.4
0.8
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文档编号85627
第3版, 25军, 01
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日前,Vishay
半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统,以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay -半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,半导体的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
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