TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
SOT- 89塑封装晶体管
MCK 100 - 6 - 8
特点
SOT-89
硅
平面PNPN
晶闸管
1.KATHODE
目前，我
GT
: 200
μ
A
I
真有效值
:
V
DRM
:
0.8 A
MCK100-6 ： 400 V
MCK100-8 ： 600 V
工作和存储结温范围
T
J
，T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
2.ANODE
3.GATE
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
导通电压
*
符号
V
TM
V
GT
除非
TEST
否则
条件
I
TM
=1A
V
AK
=7V
特定网络版）
民
最大
1.7
0.8
单位
V
V
门极触发电压
重复峰值正向和反向
阻断电压
MCK100-6
MCK100-8
峰值正向或反向阻断
当前
保持电流
V
DRM
和
I
DRM
= 10
μA
,V
最大
=1010 V
400
600
V
V
RRM
I
DRM
I
RRM
I
H
A2
A1
V
AK
=额定
V
DRM
或V
RRM
I
HL
= 20毫安，平均=
7V
10
A
5
5
15
15
30
mA
A
A
门极触发电流
I
GT
A
V
AK
=7V
30
80
A
B
80
200
A
*正向电流申请1 ms的最长期限，责任cycle≤1 ％ 。
MCK100-8
敏感栅
SEN
可控硅整流器器
硅片
ONTR
卓
整流
特点
■敏感的门极触发电流：I
GT
= 200uA最大
■低通态电压： V
TM
= 1.2 （典型值） @我
TM
■低反向和正向阻断电流：
I
DRM
/I
PRM
=100uA@TC=125℃
■低保持电流：我
H
= 5毫安最大
概述
敏感触发可控硅适合于应用程序，其中
栅极电流限制，如微控制器，逻辑综合
电路中，小型电机控制，用于大型可控硅门极驱动，传感
和检测电路。
通用开关和相位控制应用
绝对最大额定值
符号
V
DRM
/V
RRM
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
的di / dt
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
参数
重复峰值断态电压
通态电流有效值（ 180
o
导通角）
通态平均电流（ 80
o
导通角）
不重复浪涌峰值通态电流
TP = 10毫秒
对于融合I了价值
峰值功率门
通态电流临界上升率
I
TM
= 2A ;我
G
= 10毫安;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒
T
J
=125℃
T
J
=125℃
T
J
=125℃
T
J
=125℃
TP = 8.3毫秒
Note(1)
TI=85℃
TI=85℃
TP = 8.3毫秒
价值
600
0.8
0.5
9
单位
V
A
A
A
8
0.41
2
50
0.1
1
5
-40~125
-40~150
A
2
s
W
A / μs的
W
A
V
℃
℃
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
T
J,
T
英镑
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压
结温
储存温度
注1 ：
虽然不建议，断态电压高达800 V可以无损伤被应用，但可能晶闸管
开关电流的上升上state.The率应不大于15 A / μs的。
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
民
-
-
价值
典型值
-
-
最大
60
150
单位
℃/W
℃/W
版本A Jun.2011
版权所有@ Winsemi微电子有限公司，保留所有权利。
MCK100-8
电气特性
(T
J
= 25 ° C，R
GK
= 1千欧，除非另有规定）
符号
I
DRM
/I
RRM
断态泄漏电流
(V
AK
= V
DRM RRM
)
/V
转发“关于”电压（I
TM
= 1A TP = 380μs ）
门极触发电流（连续直流）
I
GT
V
GT
V
GD
(V
AK
= 7伏， RL = 100 Ω ）
门极触发电压（连续直流）
(V
AK
= 7伏， RL = 100 Ω ）
栅极阈值电压
兴起断态电压的电压率
dv / dt的
(V
D
=0.67V
DRM
;指数波形）
I
H
I
L
R
d
保持电流（ VD = 12 V ; IGT = 0.5 mA）的
闭锁电流（ VD = 12 V ; IGT = 0.5 mA）的
动态电阻
T
J
=125℃
门开路
-
-
-
25
2
2
-
5
6
245
mA
mA
mΩ
(Note2.1)
T
J
=125℃
(Note2.2)
-
0.2
500
-
-
800
0.8
-
-
V / μs的
V
V
特征
Tc=25℃
Tc=125℃
(Note2.1)
(Note2.2)
民
-
典型值。
-
最大
1
单位
μA
100
-
15
1.2
-
1.7
200
V
μA
V
TM
注2.1脉冲width≤1.0ms ，值班cycle≤1 ％
2.2 R
GK
当前不包含在测量。
2 /5
稳定，让你提前
SEMIWELL
半导体
MCK100-8
符号
3.门
○
○
敏感栅
可控硅整流器器
特点
重复峰值断态电压： 600V
◆
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
= 0.8 A )
◆
低导通电压（ 1.2V （典型值） @我
TM
)
◆
▼
1
2
3
○
2.阳极
1.阴极
SOT- 89
概述
敏感触发可控硅适合于应用程序，其中
栅极电流的限制，例如小型电动机的控制，栅极驱动器
对于大型可控硅，传感和检测电路。
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
T
J
T
英镑
( T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
评级
600
半正弦波：T已
C
= 112 °C
所有的导通角
1/2周期， 60Hz的正弦波
不重复
T = 8.3ms的
T
A
= 25 ° C，脉冲宽度
≤
1.0
T
A
= 25 ° C，T = 8.3ms的
0.5
0.8
10
0.415
2
0.1
1
5.0
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
参数
重复峰值断态电压
平均通态电流
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
对于融合
正向峰值门功耗
正向平均门功耗
正向栅极峰值电流
反向峰值电压门
工作结温
储存温度
单位
V
A
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
四月， 2003年修订版0
1/5
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