订购数量: ENN7708
MCH6731
MCH6731
特点
PNP外延平面硅晶体管
肖特基二极管
DC / DC转换器应用
包含在一个包facilitatiing复合类型与一个PNP晶体管和一个肖特基势垒二极管
高密度安装。
超小型封装允许应用设置要小巧玲珑(安装高度0.85毫米) 。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
[ TR ]
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
[ SBD ]
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压浪涌
平均输出电流
浪涌电流
结温
储存温度
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
TSTG
50Hz正弦波, 1个周期
15
15
0.5
2
--55到125
--55到125
V
V
A
A
°C
°C
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板( 600毫米
2
!0.8mm)
-
-15
-
-12
--5
--1
--2
0.85
150
--55到125
V
V
V
A
A
W
°C
°C
符号
条件
评级
单位
标记: PF
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
63004 TS IM TB- 00000071 No.7708-1 / 5
MCH6731
电气特性
在TA = 25℃
参数
[ TR ]
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
[二]
反向电压
正向电压
反向电流
端间电容
反向恢复时间
VR
VF
IR
C
TRR
IR=0.5mA
IF=0.5A
VR=6V
VR = 10V , F = 1MHz的
IF = IR = 100mA时,请参阅特定网络版测试电路。
12
0.40
13
10
0.45
90
V
V
A
pF
ns
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
V( BR ) CBO
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
吨
TSTG
tf
VCB = - 12V , IE = 0
VEB = - 4V , IC = 0
VCE = - 2V , IC = - 10毫安
VCE = - 2V , IC = - 50毫安
VCB = - 10V , F = 1MHz的
IC = - 400毫安, IB = - 20毫安
IC = - 400毫安, IB = - 20毫安
IC = - 10μA , IE = 0
IC = - 1mA时, RBE = ∞
IE = - 10μA , IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
--15
--12
-
-5
30
75
15
300
450
6
--120
--0.9
--180
--1.2
--0.1
--0.1
700
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
A
A
符号
条件
评级
民
典型值
最大
单位
包装尺寸
单位:mm
2191A
0.25
0.3
4
5
6
0.15
2.1
1.6
0.25
3 2
0.65
2.0
0.07
1
6
5
4
(底视图)
0.85
1 :基本
2 :发射器
3 :阳极
4 :通用(集电极/阴极)
5 :通用(集电极/阴极)
6 :通用(集电极/阴极)
三洋: MCPH6
1
2
3
( TOP VIEW )
电气连接
6
5
4
1 :基本
2 :发射器
3 :阳极
4 :通用(集电极/阴极)
5 :通用(集电极/阴极)
6 :通用(集电极/阴极)
顶视图
1
2
3
No.7708-2/5
MCH6731
开关时间测试电路
[ TR ]
PW=20s
D.C.≤1%
输入
IB1
产量
IB2
VR
50
RB
+
220F
VBE=5V
+
470F
VCC = --5V
TRR指定线路
[二]
税
≤
10%
百毫安100毫安
10mA
RL
50
10s
100
10
--5V
TRR
IC = 20IB1 = --20IB2 = --400mA
--1000
IC - VCE
--20
mA
--30
--1
A
10mA
5m
--
[ TR ]
--1200
IC - VBE
[ TR ]
mA
VCE = --2V
--900
--7mA
--1000
集电极电流, IC - 毫安
--5mA
--3mA
--2mA
--700
--600
--500
--400
--300
--200
--100
0
0
集电极电流, IC - 毫安
--800
--800
--1mA
--0.5mA
--400
--200
IB=0
--100 --200 --300 --400 --500 --600 --700 --800 --900 --1000
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT05095
集电极 - 发射极电压VCE - 毫伏
1000
IT05094
的hFE - IC
基极发射极电压VBE - V
--1000
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
--1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
[ TR ]
VCE (SAT) - IC
TA
75
°
C
2
5
°
C
--25
°
C
--600
[ TR ]
VCE = --2V
Ta=75
°C
IC / IB = 20
7
直流电流增益, hFE参数
5
25
°C
--25
°C
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - 毫伏
3
°
C
25
°
C
75
a=
T
5
°
C
--2
2
100
--1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
集电极电流, IC - 毫安
--1000
7
5 7--1000
IT05096
VCE (SAT) - IC
集电极电流, IC - 毫安
--10
7
5 7--1000
IT05097
[ TR ]
VBE (星期六) - IC
[ TR ]
IC / IB = 50
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
IC / IB = 20
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - 毫伏
5
3
2
5
3
2
--100
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
25
°C
TA = --25 ℃,
75
°C
25
°
C
5
°
C
=7
Ta
5
°
C
--2
--10
--1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
5 7--1000
IT05098
--0.1
--1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
集电极电流, IC - 毫安
集电极电流, IC - 毫安
5 7--1000
IT05099
No.7708-3/5
MCH6731
平均远期功耗, PF ( AV ) - 含
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.2
0.4
180°
360°
θ
360°
PF ( AV ) - IO
矩形波
(1)
(2) (4) (3)
[ SBD ]
7
5
- VR
[ SBD ]
f=1MHz
端间电容,C - pF的
1.4
IT06888
正弦波
3
2
( 1 )矩形波
θ=60°
(2)的矩形波
θ=120°
(3)矩形波
θ=180°
( 4 )正弦波
θ=180°
0.6
0.8
1.0
1.2
10
7
5
1.0
2
3
5
7
10
2
3
平均正向电流, IO - 一个
反向电压VR - V
IT06889
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
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PS No.7708-5 / 5