【订购数量： EN6920CMCH6613功率MOSFET30V ， 0.35A ， 3.7Ω-30V】,IC型号MCH6613-TL-E,MCH6613-TL-E PDF资料,MCH6613-TL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： EN6920C

MCH6613

功率MOSFET

30V ， 0.35A ， 3.7

-30V ， -0.2A ， 10.4

，互补双MCPH6

特点

http://onsemi.com

该MCH6613集成在同一封装中这是N沟道和P沟道低两个元素

导通电阻及高速开关MOSFET ，从而能够高密度地安装

优异的导通电阻特性

1.5V驱动

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

当安装在陶瓷基体（ 900毫米

×0.8mm)

1unit

条件

N沟道

±10

0.35

1.4

0.8

150

P沟道

--30

±10

-0.2

--0.8

单位

°C

-55到+150

本产品设计为“静电放电抗扰度< 200V *” ，所以请搬运时要小心。

机器型号

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作

条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7022A-006

MCH6613-TL-E

订购&包装信息

设备

MCH6613-TL-E

包

MCPH6

SC- 88 ， SC- 70-6 ， SOT- 363

航运

3,000

件/卷

备忘录

无铅

2.0

0.25

0.15

包装类型： TL

记号

LOT号

2.1

1.6

0至0.02

0.25

0.65

0.3

电气连接

0.85

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ： Drain2

4 ：源2

5 ： GATE2

6 ： Drain1

MCPH6

0.07

半导体元件工业有限责任公司， 2013

七月， 2013

71013 TKIM TC- 00002962 / 71112 TKIM / 52506PE MSIM TB- 00002278 / 52101 TSIM TA- 324 No.6920-1 / 8

MCH6613

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ N沟道]

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ P沟道]

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏“米勒”充电

二极管的正向电压

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

IS = - 100mA时VGS = 0V

VDS = - 10V ， VGS = - 10V ， ID = - 百毫安

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 8V ， VDS = 0V

VDS = - 10V ， ID = - 100μA

VDS = - 10V ，ID = - 50毫安

ID = - 50mA时VGS = - 4V

ID = - 30mA时VGS = - 2.5V

ID = - 1mA时， VGS = - 1.5V

-0.4

110

7.5

5.7

1.8

120

130

1.43

0.18

0.25

--0.83

-1.2

10.4

15.4

--30

-1

±10

--1.4

μA

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

IS = 150毫安， VGS = 0V

VDS = 10V ， VGS = 10V ， ID = 150毫安

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = 10V ， F = 1MHz的

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 8V ， VDS = 0V

VDS = 10V ， ID = 100μA

VDS = 10V ，ID = 80毫安

ID = 80毫安， VGS = 4V

ID = 40毫安， VGS = 2.5V

ID = 10毫安， VGS = 1.5V

±10

0.4

150

220

2.9

3.7

6.4

7.0

5.9

2.3

155

120

1.58

0.26

0.31

0.87

1.2

3.7

5.2

12.8

1.3

μA

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

No.6920-2/8

MCH6613

开关时间测试电路

[ N沟道]

VDD=15V

VIN

P.G

50Ω

P.G

50Ω

ID=80mA

RL=187.5Ω

VOUT

VIN

[ P沟道]

VDD = --15V

ID = --50mA

RL=300Ω

VOUT

--4V

PW=10μs

D.C.≤1%

PW=10μs

D.C.≤1%

MCH6613

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

ID - VDS

[ N沟道]

--0.10

--0.09

--0.08

ID - VDS

--3.5V

[ P沟道]

4.0V

6.0

3.0

漏极电流ID -

--6.0

--0.07

--0.06

--0.05

--0.04

--0.03

--0.02

--3

2.0

--4

3.5V

--2

--2.0V

VGS=1.5V

0.06

0.04

0.02

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

VGS = --1.5V

--0.01

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

--1.4

--1.6

--1.8

--2.0

漏源极电压， VDS - V

0.30

IT00029

ID - VGS

漏源极电压， VDS - V

--0.20

--0.18

--0.16

IT00077

[ N沟道]

ID - VGS

[ P沟道]

0.25

--25

VDS=10V

VDS = --10V

--25

漏极电流ID -

25°C

0.20

--0.14

--0.12

--0.10

--0.08

--0.06

--0.04

--0.02

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

0.15

0.10

0.05

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

IT00030

--3.0

--3.5

--4.0

门源电压， VGS - V

IT00078

No.6920-3/8

MCH6613

RDS （ ON） - VGS

[ N沟道]

Ta=25°C

RDS （ ON） - VGS

[ P沟道]

Ta=25°C

静态漏源

通态电阻， RDS （ ON） -

静态漏源

通态电阻， RDS （ ON） -

80mA

ID = --30mA

--50mA

ID=40mA

--1

--2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

--9

--10

门源电压， VGS - V

IT00031

门源电压， VGS - V

100

IT00079

RDS （ ON） - ID

[ N沟道]

VGS=4V

RDS （ ON） - ID

[ P沟道]

VGS = --4V

静态漏源

通态电阻， RDS （ ON） -

静态漏源

通态电阻， RDS （ ON） -

Ta=75°C

25°C

--25°C

Ta=75°C

--25°C

25°C

1.0

0.01

0.1

IT00032

1.0

--0.01

--0.1

漏极电流ID -

RDS （ ON） - ID

漏极电流ID -

100

IT00080

[ N沟道]

VGS=2.5V

RDS （ ON） - ID

[ P沟道]

VGS = --2.5V

静态漏源

通态电阻， RDS （ ON） -

静态漏源

通态电阻， RDS （ ON） -

Ta=75°C

25°C

--25°C

Ta=75°C

25°C

--25°C

1.0

0.01

0.1

IT00033

1.0

--0.01

--0.1

漏极电流ID -

100

RDS （ ON） - ID

漏极电流ID -

1000

IT00081

[ N沟道]

VGS=1.5V

静态漏源

通态电阻， RDS （ ON） -

RDS （ ON） - ID

[ P沟道]

VGS = --1.5V

静态漏源

通态电阻， RDS （ ON） -

Ta=75°C

--25°C

25°C

100

Ta=75°C

--25°C

25°C

--0.001

1.0

0.001

0.01

IT00034

--0.0001

漏极电流ID -

IT00082

No.6920-4/8

MCH6613

RDS （ ON） - TA

[ N沟道]

--60

RDS （ ON） - TA

[ P沟道]

静态漏源

通态电阻， RDS （ ON） -

静态漏源

通态电阻， RDS （ ON） -

40m

=4.0

I D =

VGS

=80

A，V

.5V

-30

4.0

= --

A，V

50m

= --

2.5

--60

--40

--20

100

120

140

160

--40

--20

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

1.0

- ID

IT00035

环境温度，钽 -

°C

1.0

[ N沟道]

正向转移导纳，

-- S

VDS=10V

- ID

IT00083

[ P沟道]

VDS = --10V

正向转移导纳，

-- S

25°C

-25

TA = -

25°C

0.1

TA = -

0.01

0.1

IT00036

0.01

--0.01

--0.1

漏极电流ID -

1.0

IS - VSD

漏极电流ID -

IT00084

[ N沟道]

VGS=0V

IS - VSD

[ P沟道]

VGS=0V

源出电流，是 - 个

--2

--0.1

0.1

--0.7

0.01

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

IT00037

--0.01

--0.5

--0.6

--25

--0.8

--0.9

--1.0

--1.1

IT00085

二极管的正向电压， VSD - V

1000

二极管的正向电压， VSD - V

1000

SW时间 - ID

切换时间， SW时间 - NS

[ N沟道]

VDD=15V

VGS=4V

SW时间 - ID

[ P沟道]

VDD = --15V

VGS = --4V

TD （关闭）

100

TD （上）

0.01

0.1

IT00038

--0.01

漏极电流ID -

--0.1

IT00086

No.6920-5/8