订购数量: EN6446C
MCH6603
三洋半导体
数据表
MCH6603
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
超高速开关
1.5V驱动
包含在单个封装2的MOSFET的复合型,有利于高密度安装
无卤conplaiance
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)1unit
2
条件
评级
--50
±10
--0.14
--0.56
0.8
150
-
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
本产品设计为“静电放电抗扰度< 200V *” ,所以请搬运时要小心。
*
机器型号
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7022A-006
2.0
0.15
产品&包装信息
包
: MCPH6
JEITA , JEDEC
: SC - 88 , SC- 70-6 , SOT- 363
最小包装数量: 3000个/卷。
MCH6603-TL-H
0.25
6
5
4
0吨 0.02
包装类型: TL
记号
LOT号
LOT号
FC
2.1
1.6
0.25
1
0.65
2
3
0.3
TL
电气连接
1 :源1
2 : GATE1
3 : Drain2
4 :源2
5 : GATE2
6 : Drain1
三洋: MCPH6
6
5
4
0.07
0.85
1
2
3
6
5
4
1
2
3
http://semicon.sanyo.com/en/network
71112 TKIM / 51506PE MSIM TB- 00002290 / O3105PE MSIM TB- 00001861 / N1999 TSIM TA- 2458 No.6446-1 / 7
MCH6603
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = - 70毫安, VGS = 0V
VDS = - 10V , VGS = - 10V , ID = - 70毫安
条件
ID = - 1mA时, VGS = 0V
VDS = - 50V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = - 10V , ID = - 100μA
VDS = - 10V ,ID = - 40毫安
ID = - 40毫安, VGS = - 4V
ID = - 20mA时, VGS = - 2.5V
ID = - 5毫安, VGS = - 1.5V
VDS = - 10V , F = 1MHz的
评级
民
--50
-
-1
±10
--0.4
70
110
18
20
30
7.4
4.2
1.3
20
请参阅特定网络版测试电路。
35
160
150
1.40
0.16
0.23
--0.85
--1.2
23
28
60
-
-1.4
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
mS
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VDD = --25V
0V
--4V
VIN
VIN
ID = --40mA
RL=625Ω
D
VOUT
PW=10μs
D.C.≤1%
G
P.G
50Ω
S
MCH6603
订购信息
设备
MCH6603-TL-H
包
MCPH6
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
No.6446-2/7