订购数量： ENA1566A
MCH6445
三洋半导体
数据表
MCH6445
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
4V DRIVE
低导通电阻
在保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 1500毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
60
±20
4
16
1.5
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7022A-009
2.0
6
5
4
0至0.02
产品&包装信息
包
： MCPH6
JEITA ， JEDEC
： SC - 88 ， SC- 70-6 ， SOT- 363
最小包装数量： 3000个/卷。
0.15
0.25
MCH6445-TL-E
包装类型： TL
记号
LOT号
LOT号
ZU
2.1
1.6
0.25
1
0.65
2
3
0.3
TL
电气连接
1 ：排水
2 ：排水
3 ：门
4 ：源
5 ：排水
6 ：排水
三洋： MCPH6
4
1, 2, 5, 6
0.07
0.85
1
2
3
3
6
5
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
62012 TKIM / D2409PE TKIM TC- 00002219号A1566-1 / 7
MCH6445
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 4A ， VGS = 0V
VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 4A
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 60V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 2A
ID = 2A ， VGS = 10V
ID = 1A ， VGS = 4.5V
ID = 1A ， VGS = 4V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
评级
民
60
1
±10
1.2
3
60
74
81
505
57
37
7.3
请参阅特定网络版测试电路。
9.8
40
24
10
1.6
2.1
0.82
1.2
78
104
114
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VDD=30V
10V
0V
VIN
ID=2A
RL=15Ω
VIN
G
D
VOUT
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
S
MCH6445
订购信息
设备
MCH6445-TL-E
包
MCPH6
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅
第A1566-2 / 7
订购数量： ENA1566
MCH6445
三洋半导体
数据表
MCH6445
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
4V的驱动器。
低导通电阻。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 1500毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
60
±20
4
16
1.5
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 60V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 2A
1.2
3
评级
民
60
1
±10
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
标记： ZU
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
D2409PE TK IM TC- 00002219号A1566-1 / 4
MCH6445
从接下页。
参数
符号
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
ID = 2A ， VGS = 10V
ID = 1A ， VGS = 4.5V
ID = 1A ， VGS = 4V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 4A
VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 4A
VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 4A
IS = 4A ， VGS = 0V
评级
民
典型值
60
74
81
505
57
37
7.3
9.8
40
24
10
1.6
2.1
0.82
1.2
最大
78
104
114
单位
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
静态漏 - 源极导通电阻
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7022A-009
2.0
6
5
4
0至0.02
0.15
开关时间测试电路
VDD=30V
10V
0V
VIN
ID=2A
RL=15Ω
VIN
G
D
VOUT
0.25
2.1
1.6
PW=10μs
D.C.≤1%
0.25
1
0.65
2
3
0.3
P.G
50Ω
S
MCH6445
0.85
1
2
3
1 ：排水
2 ：排水
3 ：门
4 ：源
5 ：排水
6 ：排水
三洋： MCPH6
0.07
6
5
4
7.0V
4.5
4.0
3.5
ID - VDS
V
4
.0V
6.0
5.5
5.0
ID - VGS
VDS=10V
V
10.0V
4.5
3.5
V
漏极电流ID -
15.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
3.0V
漏极电流ID -
4.5
4.0
3.5
3.0
2.0
1.5
1.0
0.5
TA
7
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
--25
3.0
°
C
VGS=2.5V
5
°
C
25
°
C
2.5
3.5
4.0
漏极至源极电压VDS - V
IT13789
栅极 - 源极电压VGS - V
IT13790
第A1566-2 / 4
MCH6445
1.8
PD - TA
当安装在陶瓷基板
(1500mm
2
×0.8mm)
允许功耗， PD - 含
1.6
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT15074
注意使用情况：由于MCH6445是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
结构设计。
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从有关根据上述法律，当局出口许可证。
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第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任
党的它，是由于使用的技术信息和产品的知识产权
上面提到的。
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更改，恕不另行通知。
PS第A1566-4 / 4
QQ：2880707522 复制
