【订购数量： ENA1852MCH6431三洋半导体数据表MCH6431特点N沟道MOSFET硅通用开】,IC型号MCH6431,MCH6431 PDF资料,MCH6431经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA1852

MCH6431

三洋半导体

数据表

MCH6431

特点

N沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

导通电阻RDS （ ON） 1 = 42米

（典型值）。

4V DRIVE

无卤素规定。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

当安装在陶瓷基体（ 1200毫米

×0.8mm)

条件

评级

±20

1.5

150

--55到150

单位

°C

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7022A-009

2.0

0至0.02

0.15

产品&包装信息

包

： MCPH6

JEITA ， JEDEC

： SC - 88 ， SOT- 363

最小包装数量： 3000个/卷。

0.25

包装类型： TL

记号

LOT号

2.1

1.6

0.25

0.65

0.3

0.85

1 ：排水

2 ：排水

3 ：门

4 ：源

5 ：排水

6 ：排水

三洋： MCPH6

电气连接

1, 2, 5, 6

0.07

http://semicon.sanyo.com/en/network

N1010PE TKIM TC- 00002505号A1852-1 / 4

MCH6431

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

条件

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ， ID = 2.5A

ID = 2.5A ， VGS = 10V

ID = 1.2A ， VGS = 4.5V

ID = 1.2A ， VGS = 4V

VDS = 10V ， F = 1MHz的

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = 15V ，V GS = 10V ，ID = 5A

IS = 5A ， VGS = 0V

评级

民

±10

1.2

2.2

280

5.7

5.6

1.2

0.8

0.85

1.2

109

2.6

典型值

最大

单位

μA

mΩ

开关时间测试电路

VDD=15V

10V

VIN

ID=2A

RL=7.5Ω

VIN

VOUT

PW=10μs

D.C.≤1%

P.G

50Ω

MCH6431

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

ID - VDS

4.0V

ID - VGS

VDS=10V

10.0V

16.0V

4.5

漏极电流ID -

6.0

3.0V

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

VGS=2.5V

--25

IT16002

漏极至源极电压VDS - V

IT16001

栅极 - 源极电压VGS - V

第A1852-2 / 4

MCH6431

250

RDS （ ON） - VGS

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

ID=1.2A

2.5A

160

140

120

100

--60

RDS （ ON） - TA

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

200

150

100

=1.2

， ID

4.0V

=1.2

， ID

=4.5

VGS

=2.5A

0V ， I D

=10.

V GS

--40

--20

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

- ID

IT16003

1.0

0.1

环境温度，钽 -

IS - VSD

IT16004

正向转移导纳，

-- S

VDS=10V

VGS=0V

1.0

--2

源出电流，是 - 个

0.4

0.1

0.01

5 7 0.1

5 7 1.0

漏极电流ID -

SW时间 - ID

TD （关闭）

5 7 10

IT16005

0.01

0.2

0.6

--25

0.8

1.0

1.2

IT16006

VDD=15V

VGS=10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

西塞

TD （上）

100

科斯

CRSS

1.0

0.1

1.0

IT16008

漏极电流ID -

VGS - 的Qg

IT16007

1.0

0.1

漏极至源极电压VDS - V

ASO

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS=10V

ID=5A

漏极电流ID -

IDP = 20A （ PW

≤

μs)

ID=5A

ATI

在这一领域

)

由RDS （ ON）的限制。

IT16009

0.01

Ta=25°C

单脉冲

当安装在陶瓷基板

(1200mm

×0.8mm)

2 3

5 7 0.1

2 3

5 7 1.0

2 3

5 7 10

2 3

总栅极电荷QG - 数控

漏极至源极电压VDS - V

IT16010

第A1852-3 / 4

MCH6431

1.8

PD - TA

当安装在陶瓷基板

(1200mm

×0.8mm)

允许功耗， PD - 含

1.6

1.5

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT16011

注意使用情况：由于MCH6431是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备

高电荷的物体。

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，

通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得

被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，

航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号

系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁

人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得

其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用

我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序

应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前

使用目的，我们的客户须自行负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并

不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该

客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估

独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的

产品或设备。

三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任

超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）

有限公司。本文描述或包含的产品。

三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有

半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障

或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给

上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，

采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但

不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及

结构设计。

倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为

在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要

从有关根据上述法律，当局出口许可证。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或

机械，包括影印和录音，或任何信息存储或检索系统，或

否则，没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。

任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化

产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的

三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。

本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证

量产。

当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照应

授予有关知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或

第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任

党的它，是由于使用的技术信息和产品的知识产权

上面提到的。

本产品目录提供的信息截至11月， 2010年说明和信息，在此受

更改，恕不另行通知。

PS第A1852-4 / 4

订购数量： ENA1852A

MCH6431

三洋半导体

数据表

MCH6431

特点

N沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

导通电阻RDS （ ON） 1 = 42米

（典型值）。

4V DRIVE

无卤合规

在保护二极管

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

当安装在陶瓷基体（ 1200毫米

×0.8mm)

条件

评级

±20

1.5

150

--55到150

单位

°C

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7022A-009

2.0

0.15

产品&包装信息

包

： MCPH6

JEITA ， JEDEC

： SC - 88 ， SC- 70-6 ， SOT- 363

最小包装数量： 3000个/卷。

MCH6431-TL-H

0.25

包装类型： TL

记号

LOT号

2.1

1.6

0至0.02

0.25

0.65

0.3

0.85

电气连接

1 ：排水

2 ：排水

3 ：门

4 ：源

5 ：排水

6 ：排水

三洋： MCPH6

1, 2, 5, 6

0.07

http://semicon.sanyo.com/en/network

62012 TKIM / N1010PE TKIM TC- 00002505号A1852-1 / 7

MCH6431

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

IS = 5A ， VGS = 0V

VDS = 15V ，V GS = 10V ，ID = 5A

条件

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ， ID = 2.5A

ID = 2.5A ， VGS = 10V

ID = 1.2A ， VGS = 4.5V

ID = 1.2A ， VGS = 4V

VDS = 10V ， F = 1MHz的

评级

民

±10

1.2

2.2

280

5.7

请参阅特定网络版测试电路。

5.6

1.2

0.8

0.85

1.2

109

2.6

典型值

最大

单位

μA

mΩ

开关时间测试电路

VDD=15V

10V

VIN

ID=2A

RL=7.5Ω

VIN

VOUT

PW=10μs

D.C.≤1%

P.G

50Ω

MCH6431

订购信息

设备

MCH6431-TL-H

包

MCPH6

航运

3,000pcs./reel

备忘录

无铅和无卤素

第A1852-2 / 7

MCH6431

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

ID - VDS

4 .5

4.0V

ID - VGS

VDS=10V

10.0V

16.0V

漏极电流ID -

6.0

3.0V

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

VGS=2.5V

--25

IT16002

漏极至源极电压VDS - V

250

RDS （ ON） - VGS

IT16001

160

栅极 - 源极电压VGS - V

RDS （ ON） - TA

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

140

120

100

--60

200

ID=1.2A

2.5A

150

100

=1.2

， ID

=4.0

VGS

=1.2

V， I D

=4.5

VGS

=2.5A

.0V ， I D

=10

V GS

--40

--20

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

- ID

IT16003

1.0

0.1

环境温度，钽 -

IS - VSD

IT16004

正向转移导纳，

-- S

VDS=10V

VGS=0V

1.0

--2

源出电流，是 - 个

0.4

0.1

0.01

5 7 0.1

5 7 1.0

漏极电流ID -

SW时间 - ID

TD （关闭）

5 7 10

IT16005

0.01

0.2

0.6

--25

0.8

1.0

1.2

IT16006

VDD=15V

VGS=10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

西塞

TD （上）

100

科斯

CRSS

1.0

0.1

1.0

IT16008

漏极电流ID -

IT16007

漏极至源极电压VDS - V

第A1852-3 / 7

MCH6431

VGS - 的Qg

VDS=10V

ID=5A

漏极电流ID -

1.0

0.1

ASO

IDP = 20A （ PW

≤

μs)

ID=5A

ATI

在这一领域

)

由RDS （ ON）的限制。

栅极 - 源极电压VGS - V

IT16009

0.01

Ta=25°C

单脉冲

当安装在陶瓷基板

(1200mm

×0.8mm)

2 3

5 7 0.1

2 3

5 7 1.0

2 3

5 7 10

2 3

总栅极电荷QG - 数控

1.8

PD - TA

漏极至源极电压VDS - V

IT16010

允许功耗， PD - 含

1.6

1.5

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

当安装在陶瓷基板

(1200mm

×0.8mm)

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT16011

第A1852-4 / 7

MCH6431

大坪特定网络阳离子

MCH6431-TL-H

第A1852-5 / 7