订购数量： ENA1272
MCH6341
三洋半导体
数据表
P沟道MOSFET硅
MCH6341
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
4V DRIVE
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 1200毫米
0.8mm)
2
条件
评级
--30
±20
--5
--20
1.5
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
条件
ID = -
-1mA ， VGS = 0V
VDS = -
-30V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = -
-10V ，ID = -
-1mA
VDS = -
-10V ，ID = -
-3A
ID = -
-3A ， VGS = -
-10V
ID = -
-1.5A ， VGS = -
-4.5V
ID = -
-1.5A ， VGS = -
-4V
--1.2
2.8
4.8
45
71
82
59
100
115
评级
民
--30
--1
±10
--2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
标记： YQ
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
73008PE TI IM TC- 00001516号A1272-1 / 4
MCH6341
2.0
PD - TA
当安装在陶瓷基板
(1200mm
2
0.8mm)
允许功耗， PD - 含
1.8
1.6
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°
C
IT13896
注意使用情况：由于MCH6341是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，
没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照，应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品中提到的知识产权
以上。
该目录规定的7月， 2008年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS第A1272-4 / 4
订购数量： ENA1272A
MCH6341
三洋半导体
数据表
MCH6341
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
无卤合规
4V DRIVE
在保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 1200毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
--30
±20
-
-5
--20
1.5
150
-
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7022A-009
2.0
0.15
产品&包装信息
包
： MCPH6
JEITA ， JEDEC
： SC - 88 ， SC- 70-6 ， SOT- 363
最小包装数量： 3000个/卷。
6
5
4
MCH6341-TL-E
MCH6341-TL-H
0吨 0.02
0.25
包装类型： TL
记号
LOT号
LOT号
2.1
1.6
YQ
0.25
1
0.65
2
3
0.3
TL
电气连接
0.85
1
2
3
1 ：排水
2 ：排水
3 ：门
4 ：源
5 ：排水
6 ：排水
三洋： MCPH6
1, 2, 5, 6
0.07
3
6
5
4
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
62012 TKIM / 73008PE TIIM TC- 00001516号A1272-1 / 7
MCH6341
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = - 5A ， VGS = 0V
VDS = - 15V ， VGS = - 10V ， ID = - 5A
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
条件
ID = - 1mA时， VGS = 0V
VDS = - 30V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = - 10V ，ID = - 1毫安
VDS = - 10V ， ID = - 3A
ID = - 3A ， VGS = - 10V
ID = - 1.5A ， VGS = - 4.5V
ID = - 1.5A ， VGS = - 4V
评级
民
--30
-
-1
±10
--1.2
2.8
4.8
45
71
82
430
105
75
7.5
26
45
35
10
2.0
2.5
-
-0.87
-
-1.5
59
100
115
-
-2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
0V
--10V
VIN
ID = --3A
RL=5Ω
VDD = --15V
D
PW=10μs
D.C.≤1%
VOUT
G
MCH6341
P.G
50Ω
S
订购信息
设备
MCH6341-TL-E
MCH6341-TL-H
包
MCPH6
MCPH6
航运
3,000pcs./reel
3,000pcs./reel
备忘录
无铅
无铅和无卤素
第A1272-2 / 7
MCH6341
大坪特定网络阳离子
MCH6341 - TL -E ， MCH6341 - TL -H
第A1272-5 / 7
QQ：2881677436 复制
