订购数量： ENA0780
MCH5836
三洋半导体
数据表
MCH5836
特点
MOSFET ： P通道MOSFET硅
SBD ：肖特基二极管
通用开关设备
应用
复合型与P型沟道MOSFET的硅（ MCH3307 ）和肖特基势垒二极管（ SS10015M ）
包含在一个包促进高密度安装。
[ MOSFET ]
低导通电阻。
1.8V驱动器。
[ SBD ]
短的反向恢复时间。
低正向电压。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
[ MOSFET ]
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷基板
(900mm
2
0.8mm)
1unit
符号
条件
评级
单位
--
20
±10
--1
V
V
A
A
W
°C
°C
--
4
0.8
150
--55到125
标记： YA
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
41807PE TI IM TC- 00000614号A0780-1 / 6
MCH5836
从接下页。
参数
[ SBD ]
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压浪涌
平均输出电流
正向电流浪涌
结温
储存温度
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
TSTG
50Hz正弦波， 1个周期
15
15
1
3
--55到125
--55到125
V
V
A
A
°C
°C
符号
条件
评级
单位
电气特性
在TA = 25℃
参数
[ MOSFET ]
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
[ SBD ]
反向电压
正向电压
反向电流
端间电容
反向恢复时间
VR
VF 1
VF 2
IR
C
TRR
IR=0.5mA
IF=0.3A
IF=0.5A
VR=6V
VR = 10V ， F = 1MHz的
IF = IR = 100mA时，请参阅特定网络版测试电路。
15
0.3
0.33
20
10
0.33
0.36
90
V
V
V
A
pF
ns
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
ID ↓
--
1mA时， VGS = 0V
VDS =
--
20V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VDS =
--
10V ，ID =
--
100A
VDS =
--
10V ，ID =
--
500mA
ID ↓
--
500毫安， VGS =
--
4V
ID ↓
--
300毫安， VGS =
--
2.5V
ID ↓
--
100mA时VGS =
--
1.8V
VDS =
--
10V ， F = 1MHz的
VDS =
--
10V ， F = 1MHz的
VDS =
--
10V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS =
--
10V ， VGS =
--
4V ，ID =
-
1A
-
VDS =
--
10V ， VGS =
--
4V ，ID =
-
1A
-
VDS =
--
10V ， VGS =
--
4V ，ID =
-
1A
-
是“
--
1A ， VGS = 0V
符号
条件
评级
民
典型值
最大
单位
-
20
-
--
1
±10
V
A
A
V
S
500
760
1000
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
--
0.4
0.72
1.2
380
540
670
115
23
15
8
6
15
7
1.5
0.4
0.3
-
1.4
-
--
0.89
-
1.2
-
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7021A-008
电气连接
5
4
0.25
2.0
0.15
5
4
0至0.02
1 ：门
2 ：源
3 ：阳极
4 ：阴极
5 ：排水
1
2
3
2.1
1.6
0.25
1
0.65
2
3
0.3
顶视图
0.85
1
2
3
1 :
门
2 :
来源
3 :
阳极
4 :
阴极
5 :
漏
三洋： MCPH5
0.07
5
4
第A0780-2 / 6
MCH5836
10
7
5
3
2
IF - VF
100000
IR - VR
Ta=125
°C
100°C
10000
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0
0.1
0.2
反向电流， IR -
A
正向电流IF - 一个
1000
75
°
C
50
°
C
100
25
°
C
Ta
=1
2
10
5
°
C
0
°
C
75
°
C
50
°
C
25
°
C
10
--2
5
°
C
1.0
--25
°
C
0.1
0.01
0.3
0.4
0.5
IT07150
2
0
5
10
15
IT07151
0.001
正向电压VF - V
平均远期功耗， PF （ AV ） - 含
0.7
PF （ AV ） - IO
反向电压VR - V
- VR
(1)
端间电容，C - pF的
0.6
（ 1 ）矩形波
θ=60°
（2）的矩形波
θ=120°
（3）矩形波
θ=180°
（ 4 ）正弦波
θ=180°
f=1MHz
(2) (4)(3)
100
7
5
0.5
0.4
0.3
矩形波
θ
360°
3
2
0.2
正弦波
0.1
0
0
180°
360°
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
10
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
平均输出电流， IO - 一个
12
IT07152
反向电压VR - V
IT07153
IFSM - 吨
电流波形50Hz正弦波
IS
正向电流浪涌， IFSM （峰值） - 一个
10
8
20ms
t
6
4
2
0
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
时间t - S
IT00626
第A0780-5 / 6
QQ：2880707522 复制
