订购数量： ENA0389A
MCH4009
RF晶体管
3.5V ， 40毫安， FT = 25GHz的， NPN单MCPH4
特点
http://onsemi.com
低噪音使用
： NF = 1.1分贝典型值（ F = 2GHz的）
高截止频率： FT = 25GHz的典型值（ VCE = 3V ）
低工作电压
高增益
:
|
S21e
|
2
= 17分贝典型值（ F = 2GHz的）
无卤合规
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
条件
评级
10
3.5
2.5
40
120
150
-
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7020A-002
2.0
4
3
0至0.02
0.15
产品&包装信息
包
： MCPH4
JEITA ， JEDEC
： SC - 82 ， SC- 82AB ， SOT- 343
最小包装数量： 3000个/卷。
MCH4009-TL-H
0.25
包装类型： TL
记号
LOT号
LOT号
2.1
1.6
GG
0.25
1
0.65
2
0.3
TL
电气连接
0.85
1
1
2
1 ：收藏家
2 ：发射器
3 ：基本
4 ：发射器
MCPH4
0.07
3
4
3
2, 4
半导体元件工业有限责任公司， 2013
八月， 2013
90512 TKIM / 53106AB MSIM TB- 00002266号A0389-1 / 15
MCH4009
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反向传输电容
正向传输增益
噪声系数
1dB压缩点
3阶截取点
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
CRE
2
|S21e|
1
|S21e|
2
NF
PO(1dB)
OIP3
2
条件
VCB = 5V ， IE = 0A
VEB = 1V ， IC = 0A
VCE = 1V ， IC = 5毫安
VCE = 3V ， IC = 20mA下
VCB = 1V ， F = 1MHz的
VCE = 1V ， IC = 5毫安， F = 2GHz的
VCE = 3V ， IC = 20mA时， F = 2GHz的
VCE = 1V ， IC = 5毫安， F = 2GHz的
VCE = 3V ， IC = 20mA时， F = 2GHz的
VCE = 3V ， IC = 20mA时， F = 2GHz的
评级
民
典型值
最大
1.0
1.0
50
20
9
25
0.15
13.5
17
1.1
13.5
23
1.5
120
单位
μA
μA
GHz的
pF
dB
dB
dB
DBM
DBM
注）注意处理好，因为它容易受静电的，由于采用了高频率的过程。
订购信息
设备
MCH4009-TL-H
包
MCPH4
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
35
IC - VCE
300
μ
A
270
μ
A
240
μ
A
210
μ
A
180
μ
A
40
IC - VBE
30
集电极电流， IC - 毫安
集电极电流， IC - 毫安
VCE=1V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
25
30
20
20
15
150
μ
A
120
μ
A
90
μ
A
60
μA
30
μA
IB=0
μA
0
1
2
3
4
IT11105
10
10
5
0
0
0.9
1.0
1.1
集电极 - 发射极电压VCE - V
3
基极发射极电压VBE - V
5
3V
IT11106
的hFE - IC
CRE - VCB
f=1MHz
2
反向传输电容， Cre重组酶 - pF的
2
3
5 7 100
IT11107
3
直流电流增益， hFE参数
2
100
7
5
VCE=3V
1V
0.1
7
5
3
2
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
3
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
集电极电流， IC - 毫安
集电极 - 基极电压VCB - V
7
10
IT11108
第A0389-2 / 15
QQ：2880707522 复制
