订购数量: ENA1260A
MCH3477
三洋半导体
数据表
MCH3477
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
超高速开关
无卤合规
1.8V驱动
在保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
20
±12
4.5
18
1.0
150
-
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7019A-003
MCH3477-TL-H
0.25
2.0
0.15
产品&包装信息
包
: MCPH3
JEITA , JEDEC
: SC - 70 , SOT- 323
最小包装数量: 3000个/卷。
包装类型: TL
0吨 0.02
TL
记号
3
2.1
1.6
FJ
LOT号
LOT号
1
0.25
0.65
2
0.3
电气连接
3
0.85
0.07
1 :门
2 :源
3 :排水
1
三洋: MCPH3
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
60612TKIM / 70208PE TIIM TC- 00001488号A1260-1 / 7
MCH3477
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 4.5A , VGS = 0V
VDS = 10V ,V GS = 4.5V ,ID = 4.5A
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 20V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V ,ID = 2A
ID = 2A , VGS = 4.5V
ID = 1A , VGS = 2.5V
ID = 0.5A , VGS = 1.8V
VDS = 10V , F = 1MHz的
评级
民
20
1
±10
0.4
2.0
3.4
29
43
69
410
84
59
7.5
请参阅特定网络版测试电路。
26
38
32
5.1
0.7
1.7
0.78
1.2
38
61
99
1.3
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
4.5V
0V
VIN
ID=2A
RL=5Ω
VDD=10V
D
PW=10μs
D.C.≤1%
VOUT
G
P.G
50Ω
S
MCH3477
订购信息
设备
MCH3477-TL-H
包
MCPH3
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1260-2 / 7