订购数量： ENN7996
MCH3416
N沟道MOSFET硅
MCH3416
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
超高速开关。
4V的驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷板（ 900毫米
!0.8mm)
2
条件
评级
60
±20
1.8
7.2
1
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
条件
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 60V ， VGS = 0
VGS = ± 16V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 0.9A
ID = 0.9A ， VGS = 10V
ID = 0.9A ， VGS = 4V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
民
60
1
±10
1.2
1.1
2.1
170
210
220
28
20
8
5
27
20
220
300
2.6
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记： KR
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
N2504 TS IM TB- 00000254 No.7996-1 / 4
MCH3416
从接下页。
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 1.8A
VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 1.8A
VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 1.8A
IS = 1.8A ， VGS = 0
评级
民
典型值
6.4
1.1
1.1
0.85
1.2
最大
单位
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm
2167A
0.25
开关时间测试电路
VIN
VDD=30V
0.3
3
0.15
10V
0V
VIN
ID=0.9A
RL=33.3
2.1
1.6
D
0.07
VOUT
2
0.25
1
PW=10s
D.C.≤1%
0.65
2.0
（底视图）
G
3
MCH3416
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
1
2
（ TOP VIEW ）
P.G
50
S
0.85
三洋： MCPH3
.0V
V
V
VDS=10V
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
25
5
°
C
°
C
25
°
75
C
°
C
1.0
1.5
2.0
1.8
ID - VDS
4.0
10.0V
6.0V
5
4.0
ID - VGS
75
°
3.5
1.6
1.4
3.5
漏极电流ID -
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
3.0V
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT07434
400
0
0.5
--2
5
°
Ta
=
VGS=2.5V
漏极电流ID -
2.5
C
TA
--2
3.0
C
4.0
漏极至源极电压VDS - V
400
RDS （ ON） - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
IT07435
RDS （ ON） - TA
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
Ta=25°C
ID=0.9A
350
350
300
300
250
250
200
200
V
=4
S
， VG
9A
.
0V
=0
=1
ID
S
， VG
9A
0.
I
D=
150
150
100
50
--60
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
IT07436
环境温度，钽 -
°C
IT07437
No.7996-2/4
MCH3416
注意使用情况：由于MCH3416是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
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机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
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PS No.7996-4 / 4
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