【订购数量： EN9000AMCH3383P沟道功率MOSFET-12V ， -3.5A ， 69米Ω】,IC型号MCH3383-TL-H,MCH3383-TL-H PDF资料,MCH3383-TL-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： EN9000A

MCH3383

P沟道功率MOSFET

-12V ， -3.5A ， 69米

，单MCPH3

特点

http://onsemi.com

导通电阻RDS （ ON） 1 = 57米

（典型值）。

0.9V驱动

无卤合规

在保护二极管

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

工作温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TOPR

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

当安装在陶瓷基体（ 900毫米

×0.8mm)

条件

评级

--12

±5

-3.5

-14

1.0

150

--5至+150

-55到+150

单位

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作

条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7019A-003

MCH3383-TL-H

2.0

0.25

2.1

1.6

0至0.02

0.15

产品&包装信息

包

： MCPH3

JEITA ， JEDEC

： SC - 70 ， SOT- 323

最小包装数量： 3000个/卷。

包装类型： TL

记号

LOT号

0.25

0.65

0.3

电气连接

0.85

0.07

1 ：门

2 ：源

3 ：排水

MCPH3

半导体元件工业有限责任公司， 2013

七月， 2013

53012TKIM / 62211PE TKIM TC- 00002604 No.9000-1 / 7

MCH3383

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

RDS(on)4

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

条件

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 12V ， VGS = 0V

VGS = ± 4V ， VDS = 0V

VDS = - 6V ，ID = - 1毫安

VDS = - 6V ，ID = - 1.5A

ID = - 1.5A ， VGS = - 2.5V

ID = - 0.7A ， VGS = - 1.8V

ID = - 0.3A ， VGS = - 1.2V

ID = - 50mA时VGS = - 0.9V

VDS = - 6V ， F = 1MHz的

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = - 6V ， VGS = - 2.5V ， ID = - 3.5A

IS = - 3.5A ， VGS = 0V

评级

民

--12

--10

±10

-0.3

5.3

115

250

1010

130

9.9

109

6.2

1.6

1.1

--0.83

--1.2

173

500

--0.8

典型值

最大

单位

μA

mΩ

静态漏 - 源极导通电阻

开关时间测试电路

VIN

PW=10μs

D.C.≤1%

VDD = --6V

ID = --1.5A

RL=4Ω

VOUT

--2.5V

P.G

50Ω

MCH3383

订购信息

设备

MCH3383-TL-H

包

MCPH3

航运

3,000pcs./reel

备忘录

无铅和无卤素

No.9000-2/7

MCH3383

--4.5V

--4.0

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

ID - VDS

--2.5

--1.

--1

.4V

--4

ID - VGS

VDS = --10V

漏极电流ID -

--1.2V

--3

--2

--1.0V

--0.9V

VGS = --0.8V

--0.1 --0.2

--0.3 --0.4 --0.5 --0.6

--0.7 --0.8

--0.9 --1.0

IT16289

--1

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

--1.4

--1.6

--1.8 --2.0

IT16290

漏极至源极电压VDS - V

500

RDS （ ON） - VGS

栅极 - 源极电压VGS - V

300

RDS （ ON） - TA

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

450

400

350

300

250

200

150

100

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

--3.0

--3.5

Ta=25

ID = --50mA

--0.3A

--0.7A

--1.5A

250

VGS = --0.9V ，我

= --5

0mA

200

150

V，I

= --0.3

V GS = --1.2

, I

= --0

VGS = --1.8V

100

.7A

= --1.5A

VGS = --2.5V ， ID

--4.0

--4.5

--5.0

--25

100

125

150

175

栅极 - 源极电压VGS - V

- ID

IT16291

--10

--1.0

--0.1

--0.01

环境温度，钽 -

IS - VSD

IT16292

正向转移导纳，

-- S

VDS = --10V

VGS=0V

0.1

--0.01

5 7 --0.1

5 7 --1.0

漏极电流ID -

500

RDS （ ON） - ID

5 7 --10

IT16293

--0.2

--0.4

--0.6

1.0

源出电流，是 - 个

--0.8

--1.0

--1.2

--1.4

--1.6

二极管的正向电压， VSD - V

1000

SW时间 - ID

IT16294

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

450

400

350

300

250

200

150

100

--0.01

5 7 --0.1

VDD = --6V

VGS = --2.5V

TD （关闭）

VGS = --0.9V

切换时间， SW时间 - NS

100

1.0

--0.1

TD （上）

--1.2V

--1.8V

--2.5V

5 7 --1.0

漏极电流ID -

5 7 --10

IT16295

--1.0

--10

漏极电流ID -

IT16296

No.9000-3/7

MCH3383

10000

1000

100

--2

--4

--6

--8

--10

--12

IT16297

1.2

西塞，科斯，的Crss - VDS

f=1MHz

栅极 - 源极电压VGS - V

--2.5

VGS - 的Qg

VDS = --6V

ID = --3.5A

--2.0

西塞，科斯，的Crss - pF的

西塞

--1.5

科斯

CRSS

--1.0

--0.5

IT16298

漏极至源极电压VDS - V

--100

ASO

总栅极电荷QG - 数控

PD - TA

允许功耗， PD - 含

当安装在陶瓷基板

(900mm

×0.8mm)

IDP = --14A （ PW≤10μs ）

1.0

漏极电流ID -

--10

--1.0

--0.1

ID = --3.5A

100

ERA

100

TIO

0.8

0.6

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

0.4

--0.01

--0.01 2 3

Ta=25°C

单脉冲

当安装在陶瓷基体（ 900毫米

×0.8mm)

5 7--0.1 2 3

5 7--1.0 2 3

5 7--10

2 3

0.2

漏极至源极电压VDS - V

5 7

--100

IT16299

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT16300

No.9000-4/7

MCH3383

大坪特定网络阳离子

MCH3383-TL-H

No.9000-5/7

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