【订购数量： ENA0342MCH3375三洋半导体数据表MCH3375特点P沟道MOSFET硅通用开】,IC型号MCH3375,MCH3375 PDF资料,MCH3375经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA0342

MCH3375

三洋半导体

数据表

MCH3375

特点

P沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

导通电阻RDS （ ON） 1 = 227米

（典型值）。

4V DRIVE

无卤合规

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

当安装在陶瓷基体（ 900毫米

×0.8mm)

条件

评级

--30

±20

--1.6

--6.4

0.8

150

-55到+150

单位

°C

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7019A-003

2.0

2.1

1.6

0吨 0.02

0.15

产品&包装信息

包

： MCPH3

JEITA ， JEDEC

： SC - 70 ， SOT- 323

最小包装数量： 3000个/卷。

0.25

包装类型： TL

记号

LOT号

0.25

0.65

0.3

0.85

电气连接

1 ：门

2 ：源

3 ：排水

三洋： MCPH3

0.07

http://semicon.sanyo.com/en/network

N0211PE TKIM TC- 00002658号A0342-1 / 4

MCH3375

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

IS = - 1.6A ， VGS = 0V

VDS = - 15V ， VGS = - 10V ， ID = - 1.6A

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

条件

-1mA,

VGS=0V

ID = -

-30V,

VGS=0V

VDS = -

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

-10V,

ID = -

-1mA

VDS = -

-10V,

ID = -

-0.8A

VDS = -

-0.8A,

VGS = -

-10V

ID = -

-0.4A,

VGS = -

-4.5V

ID = -

-0.4A,

VGS = -

-4V

ID = -

评级

民

--30

-1

±10

--1.2

1.3

227

374

435

4.0

3.3

5.4

2.2

0.36

0.49

--0.9

--1.5

295

523

609

-2.6

典型值

最大

单位

μA

mΩ

开关时间测试电路

--10V

VIN

PW=10μs

D.C.≤1%

VDD = --15V

ID = --0.8A

RL=18.75Ω

VOUT

P.G

50Ω

MCH3375

--1.6

ID - VDS

--6

.0V

--8.

.0V

Ta=25

--2.0

--1.8

--1.6

ID - VGS

VDS = --10V

--1.4

--1.2

--1.0

--0.8

--0.6

--0.4

--0.2

--4

漏极电流ID -

.0V

--4

漏极电流ID -

--1.4

--1.2

--1.0

--0.8

--10

--3.5

--3.0V

VGS = --2.5V

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

--0.4

--0.2

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--25

--2.5

--3.0

--3.5

--0.6

--4.0

漏极至源极电压VDS - V

IT16626

栅极 - 源极电压VGS - V

IT16627

第A0342-2 / 4

MCH3375

1000

RDS （ ON） - VGS

Ta=25

ID = --0.4A

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

--60 --40

--20

RDS （ ON） - TA

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

900

800

700

600

500

400

300

200

100

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--0.8A

--0.4

I D =

.0V,

= --4

VGS

--0.4

I D =

--4.5

= --0.8A

0.0V ， I D

V GS = -

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

- ID

IT16637

--10

环境温度，钽 -

IS - VSD

IT16638

正向转移导纳，

-- S

VDS = --10V

VGS=0V

1.0

0.1

--0.01

Ta=7

--0.2

--0.4

--0.6

--0.01

5 7 --0.1

5 7 --1.0

漏极电流ID -

100

5 7 --10

IT16630

--0.001

--25

--0.8

--2

源出电流，是 - 个

--1.0

--0.1

--1.0

--1.2

IT16631

SW时间 - ID

切换时间， SW时间 - NS

VDD = --15V

VGS = --10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

1000

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

f=1MHz

TD （关闭）

1.0

--0.01

100

西塞

TD （上）

科斯

CRSS

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT16633

5 7 --0.1

5 7 --1.0

5 7 --10

IT16632

漏极电流ID -

--10

--9

VGS - 的Qg

漏极至源极电压VDS - V

--10

ASO

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS = --15V

ID = --1.6A

漏极电流ID -

IDP = --6.4A （ PW≤10μs ）

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

IT16634

ID = --1.6A

--1.0

--0.1

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

ATI

--0.01

--0.1

Ta=25

单脉冲

当安装在陶瓷基体（ 900毫米

×0.8mm)

5 7 --1.0

5 7 --10

总栅极电荷QG - 数控

漏极至源极电压VDS - V

5 7 --100

IT16639

第A0342-3 / 4

MCH3375

1.0

PD - TA

当安装在陶瓷基板

(900mm

×0.8mm)

允许功耗， PD - 含

0.8

0.6

0.4

0.2

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT16640

注意使用情况：由于MCH3375是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备

高电荷的物体。

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备。该产品本文档中提及

不得意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，

航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号

系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁

人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得

其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品，为新引进或其他应用程序

从汽车设备的使用现状，通信设备，办公设备的不同，

工业设备等，请向我们咨询有关使用条件（温度，运行时间等）

先于预期的用途。如果在预定使用之前没有咨询或查询，客户应

全权负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并

不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该

客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估

独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的

产品或设备。

三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任

超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）

有限公司。本文描述或包含的产品。

三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有

半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障

或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给

上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，

采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但

不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及

结构设计。

倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为

在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要

从有关根据上述法律，当局出口许可证。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或

机械，包括影印和录音，或任何信息存储或检索系统，或

否则，没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。

任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化

产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的

三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。

当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照应

授予有关知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或

第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任

党的它，是由于使用的技术信息和产品的知识产权

上面提到的。

本产品目录提供的信息截至11月， 2011年说明和信息，在此受

更改，恕不另行通知。

PS第A0342-4 / 4