【订购数量： ENN7009MCH3312P沟道MOSFET硅MCH3312超高速开关应用特点包装尺寸】,IC型号MCH3312,MCH3312 PDF资料,MCH3312经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENN7009

MCH3312

P沟道MOSFET硅

MCH3312

超高速开关应用

特点

包装尺寸

单位：mm

2167A

[MCH3312]

0.25

低导通电阻。

超高速开关。

4V的驱动器。

0.3

0.15

2.1

1.6

0.25

0.65

2.0

0.07

0.85

1 ：门

2 ：源

3 ：排水

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷板（ 900毫米

!0.8mm)

条件

三洋： MCPH3

评级

-30

±20

--2

--8

150

--55到150

单位

°C

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

条件

ID = - 1mA时， VGS = 0

VDS = -

-30V ， VGS = 0

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = -

-10V ， ID = - 1毫安

VDS = -

-10V ，ID = -

-1A

ID = - 1A ， VGS = -

-10V

ID = - 0.5A ， VGS = -

-4V

评级

民

--30

--1

±10

--1.2

1.4

2.0

110

205

145

290

--2.6

典型值

最大

单位

标记： JM

接下页。

描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理

适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的

控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的

物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的

描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。

三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他

在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含

在本文中。

三洋电机有限公司。半导体公司

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

71801 TS IM TA- 3098 No.7009-1 / 4

MCH3312

从接下页。

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

条件

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

请参阅特定网络版测试电路

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 2A

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 2A

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 2A

IS = - 2A ， VGS = 0

评级

民

典型值

200

7.2

2.9

8.7

5.5

0.98

0.82

--0.85

--1.5

最大

单位

开关时间测试电路

VIN

--10V

VIN

ID = --1A

RL=15

VDD = --15V

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

MCH3312

P.G

--2.0

ID - VDS

--10.

--5.0

--4.5

--4.0

ID - VGS

VDS = --10V

--6.0

--1.6

漏极电流ID -

--4.

--3

--1.2

漏极电流ID -

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--0.8

VGS = --3.0V

--0.4

--1.0

--0.5

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

--3.0

--3.5

--25

--1.5

--4.0

--4.5

漏极至源极电压VDS - V

400

IT03223

400

RDS （ ON） - VGS

栅极 - 源极电压VGS - V

IT03224

RDS （ ON） - TA

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

350

300

250

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

350

300

250

200

150

--1.0A

200

= --4

， VGS

--0.5

I D =

ID = --0.5A

150

100

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--18

--20

I D =

100

--60

= --10

A，V GS

--1.0

--40

--20

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

IT03225

环境温度，钽 -

°C

IT03226

No.7009-2/4

MCH3312

fs - ID

VDS = --10V

正向转移导纳，

fs - S

--10

IF - 室间隔缺损

VGS=0

正向电流IF - 一个

--1.0

--0.1

1.0

--2

Ta=7

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

0.1

--0.01

5 7 --0.1

5 7 --1.0

漏极电流ID -

100

5 7 --10

IT03227

--0.01

--0.2

--0.7

--25

--0.8

--0.9

--1.0

--1.1

--1.2

SW时间 - ID

西塞，科斯，的Crss - VDS

f=1MHz

西塞

二极管的正向电压， VSD - V

IT03228

VDD “

--15V

VGS =

--10V

切换时间， SW时间 - NS

1.0

--0.1

--1.0

IT03229

--10

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT03230

西塞，科斯，的Crss - pF的

100

TD （关闭）

TD （上）

科斯

CRSS

漏极电流ID -

--10

--9

VGS - 的Qg

漏极至源极电压VDS - V

ASO

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS = --10V

ID = --2A

IDP = --8A

ID = --2A

<10s

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

IT03231

漏极电流ID -

--1.0

--0.1

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

!0.8mm)

5 7--0.1

2 3

5 7--1.0 2 3

5 7 --10

2 3

RATI

--0.01

--0.01 2 3

总栅极电荷QG - 数控

1.2

PD - TA

漏极至源极电压VDS - V

5 7--100

IT03232

允许功耗， PD - 含

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.8

)

160

100

120

140

环境温度，钽 -

°C

IT03233

No.7009-3/4

MCH3312

任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，

特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证

的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的

产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，

客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。

三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有

半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能

事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，

或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，

确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性

电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。

在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述

此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，

这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照

有关在按照上述规律。

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PS No.7009-4 / 4