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订购数量: ENN8185
MCH3219
MCH3219
应用
NPN外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
继电器驱动器,灯驱动器,电机驱动器,闪存。
特点
通过MBIT过程。
大电流电容。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
狭窄的hFE范围。
超小型封装有利于小型化终产物(安装高度: 0.85毫米) 。
高允许功耗。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板( 600毫米
!0.8m)
2
条件
评级
100
100
50
6
1.0
3
200
0.7
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
VCB = 40V , IE = 0
VEB = 4V , IC = 0
VCE = 2V , IC =百毫安
VCE = 10V , IC = 300毫安
250
420
条件
评级
典型值
最大
0.1
0.1
400
兆赫
单位
A
A
标记: CP
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
12505EA TS IM TB- 00001034 No.8185-1 / 4
MCH3219
从接下页。
参数
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
COB
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
V( BR ) CBO
V( BR ) CES
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
TSTG
tf
条件
VCB = 10V , F = 1MHz的
IC = 500毫安, IB = 10毫安
IC = 500毫安, IB = 10毫安
IC = 10μA , IE = 0
IC = 100μA , RBE = 0
IC = 1mA时, RBE = ∞
IE = 10μA , IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
100
100
50
6
38
332
40
评级
典型值
6
105
0.81
160
1.2
最大
单位
pF
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位:mm
2194A
0.25
开关时间测试电路
0.3
3
0.15
PW=20s
D.C.≤1%
输入
IB1
产量
IB2
VR
50
RB
2.1
1.6
RL
+
+
470F
VCC=25V
0.25
0.65
2.0
(底视图)
0.07
2
1
100F
3
VBE = --5V
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
1
2
( TOP VIEW )
IC = 20IB1 = --20IB2 = 500毫安
0.85
三洋: MCPH3
50mA
40毫安30
mA
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
IC - VCE
A
20
m
10mA
1.0
IC - VBE
VCE=2V
8mA
6mA
5mA
4mA
0.8
15m
A
集电极电流, IC - 一个
3mA
2mA
集电极电流, IC - 一个
0.6
TA = --2
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.4
°
C
0.2
IB=0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
IT08995
0
0.7
0.8
0.9
1.0
集电极 - 发射极电压VCE - V
基极发射极电压VBE - V
75
°
C
IT08996
1mA
25
°
C
No.8185-2/4
MCH3219
1000
的hFE - IC
VCE=2V
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
3
2
VCE (SAT) - IC
IC / IB = 20
7
5
直流电流增益, hFE参数
Ta=75
°C
3
0.1
7
5
25
°C
--25°C
2
3
2
C
25
°
T
7
a=
C
5
°
5
°
C
--2
100
7
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
集电极电流, IC - 一个
5
3
2
2
1.0
IT08997
0.01
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
VCE (SAT) - IC
集电极电流, IC - 一个
2
2
1.0
IT08998
VBE (星期六) - IC
IC / IB = 50
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
IC / IB = 50
1.0
25
°C
TA = --25
°C
75
°
C
0.1
7
5
3
2
25
°
C
75
TA
°
C
7
°
C
--25
5
3
0.01
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
集电极电流, IC - 一个
1000
2
1.0
IT08999
2
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
IT09000
F T - IC
集电极电流, IC - 一个
3
COB - VCB
VCE=10V
增益带宽积, F T - 兆赫
7
5
f=1MHz
3
2
输出电容,科夫 - pF的
2
10
7
5
100
7
5
0.01
3
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
集电极电流, IC - 一个
5
3
2
2
1.0
IT09001
2
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7
ASO
集电极 - 基极电压VCB - V
0.8
IT09002
PC - TA
ICP=3A
1m
s
10s
50
集电极耗散,电脑 - 含
0
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
100
s
集电极电流, IC - 一个
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
IC=1A
DC
s
10
m
10
0m
op
er
ATI
o
s
M
ou
nt
ed
s
on
ac
er
am
n
ic
bo
ar
d
(6
00
m
0.01
0.1
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板( 600毫米
2
!0.8mm)
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5
7
m
2
!
0.
8m
m
)
160
0
20
40
60
80
100
120
140
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT09003
环境温度,钽 -
°C
IT09004
No.8185-3/4
MCH3219
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的1月, 2005年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
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联系人:夏先生
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MCPH3
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ON/安森美
2443+
23000
MCPH3
一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:刘经理
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86000
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