飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V13250H
第0版， 6/2011
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
射频功率晶体管设计在1300 MHz的运行应用程序。
这些设备适合于脉冲和连续波应用。
典型性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 100毫安
信号类型
脉冲（ 200
微秒，
10 ％占空比）
P
OUT
(W)
250峰
f
（兆赫）
1300
G
ps
（ dB）的
22.7
η
D
(%)
57.0
IRL
（ dB）的
--18
MRF6V13250HR3
MRF6V13250HSR3
1300兆赫， 250 W， 50 V
横向N-
声道
RF功率MOSFET
典型性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 10毫安，T
C
= 25
°C
信号类型
CW
P
OUT
(W)
230 CW
f
（兆赫）
1300
G
ps
（ dB）的
21.0
η
D
(%)
55.0
IRL
（ dB）的
--17
能够处理10负载不匹配： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 1300兆赫
在所有相位角
250瓦峰值脉冲功率，占空比为10％ ， 200
微秒
CW有能力
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
合格高达50伏的最大
DD
手术
从20 V特点，以50 V的扩展功率范围
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 12 。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
CASE 465-
-06 ，风格1
NI-
-780
MRF6V13250HR3
CASE 465A-
-06 ，风格1
NI-
-780S
MRF6V13250HSR3
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
P
D
价值
--0.5, +120
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
476
2.38
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
W
W / ℃，
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
脉冲：外壳温度65℃ ， 250W的脉冲， 200
微秒
脉冲宽度， 10 ％占空比
周期， 50伏直流电，我
DQ
= 100毫安， 1300兆赫
CW ：外壳温度77 ° C， 235宽的CW ， 50伏直流电，我
DQ
= 10毫安， 1300兆赫
符号
价值
(2,3)
单位
° C / W
Z
θJC
R
θJC
0.07
0.42
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2011。保留所有权利。
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
B（最低）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 50 mA）的
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 90伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 640
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 100 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.58 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.2
58
340
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.0
2.0
0.1
1.8
2.4
0.25
2.7
3.0
0.3
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
120
—
—
—
—
—
—
1
—
10
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100毫安， P
OUT
= 250 W峰值（ 25瓦平均） ， F = 1300 MHz的
脉冲， 200
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
G
ps
η
D
IRL
21.5
53.5
—
—
—
—
22.7
57.0
--18
21.0
55.0
--17
24.0
—
--9
—
—
—
dB
%
dB
dB
%
dB
典型性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 10毫安， P
OUT
= 230 W CW ， F = 1300兆赫，T
C
= 25°C
负载不匹配
（在飞思卡尔应用测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100毫安， P
OUT
= 250 W峰值（ 25瓦的魅力。 ）
F = 1300 MHz的脉冲， 200
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
驻波比10 ： 1 ，在所有相位角
1.部分内部输入匹配。
Ψ
在输出功率不降低
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
R1
+
C1
+
C2
C3
Z10
Z19
+
C4
Z9
Z18
C7
C8
C9
C10
C11
C12
V
供应
RF
输入
Z11
Z1
C5
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
DUT
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
C6
Z17
RF
产量
Z20
Z21
+
C18
C17
C16
C15
C14
C13
V
供应
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9*
Z10
0.447 “× 0.063 ”微带
0.030 “× 0.084 ”微带
0.120 “× 0.063 ”微带
0.855 “× 0.293 ”微带
0.369 “× 0.825 ”微带
0.203 “× 0.516 ”微带
0.105 “× 0.530 ”微带
0.105 “× 0.530 ”微带
0.116 “× 0.050 ”微带
0.122 “× 0.050 ”微带
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18, Z20
Z19*, Z21*
0.162 “× 1.160 ”微带
0.419 “× 1.160 ”微带
0.468 “× 0.994 ”微带
0.131 “× 0.472 ”微带
0.264 “× 0.222 ”微带
0.500 “× 0.111 ”微带
0.291 “× 0.063 ”微带
0.105 “× 0.388 ”微带
0.854 “× 0.052 ”微带
*线路长度包括微带弯曲。
图1. MRF6V13250HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图 - 1300兆赫
表5. MRF6V13250HR3 （ HSR3 ）测试电路元件标识和价值观 - 1300兆赫
部分
C1, C2
C3, C11, C14
C4, C6, C7, C18
C5
C8, C17
C9, C16
C10, C15
C12, C13
R1
PCB
描述
22
μF,
35 V钽电容器
0.1
μF,
50 V贴片电容
100 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
10K pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容器
15
,
1/4 W贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 3.50
产品型号
T491X226K035AT
CDR33BX104AKWS
ATC800B101JT500XT
ATC100B4R7CT500XT
ATC100B102JT50XT
ATC700B102FT50XT
ATC200B103KT50XT
MCGPR63V477M13X26--RH
CRCW120615R0FKEA
RO4350B
生产厂家
基美
AVX
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
MULTICOMP
日前，Vishay
罗杰斯
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C3
C1 C2
C4
R1
C7
C9
C11
C8
C10
C12
切出区
C5
C6
C18 C17
MRF6V13250H/HS
REV 3
C15
C13
C16 C14
图2. MRF6V13250HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局 - 1300兆赫
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征 - 脉冲
1000
P
OUT
，输出功率（dBm ）脉冲
60
59
58
57
56
55
54
53
0
10
20
30
40
50
30
31
32
33
34
35
36
37
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
P
in
输入功率（dBm ）脉冲
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 1300 MHz的
脉冲宽度= 200
微秒，
占空比= 10 ％
P3dB = 55.4 dBm的
(345 W)
P2DB = 55.1 dBm的
(326 W)
的P1dB = 54.7 dBm的
(293 W)
实际
理想
C
国际空间站
C，电容（pF ）
100
C
OSS
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
C
RSS
1
10
图3.电容与漏极 -
- 源电压
图4.脉冲输出功率与
输入功率
25
23
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
G
ps
，功率增益（分贝）
21
19
17
35 V
15
13
11
20 V
0
50
100
150
200
25 V
30 V
I
DQ
= 100 mA时， F = 1300 MHz的
脉冲宽度= 200
微秒
占空比= 10 ％
250
300
350
400
40 V
45 V
V
DD
= 50 V
24
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 1300 MHz的
23脉冲宽度= 200
微秒
占空比= 10 ％
70
60
50
40
G
ps
，功率增益（分贝）
22
21
20
19
η
D
18
17
1
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
G
ps
30
20
10
0
500
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图5.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
70
60
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
50
20 V
40
30
20
10
I
DQ
= 100 mA时， F = 1300 MHz的
脉冲宽度= 200
微秒
占空比= 10 ％
0
50
100
150
200
250
300
350
400
25 V
35 V
40 V
45 V
V
DD
= 50 V
G
ps
，功率增益（分贝）
24
23
22
21
20
19
18
17
3
T
C
= --30_C
25_C
图6.脉冲功率增益与
输出功率
70
60
50
85_C
40
30
η
D
25_C
20
10
85_C
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
0
500
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
30 V
V
DD
= 50伏直流
I
DQ
= 100毫安
F = 1300 MHz的
脉冲宽度= 200
微秒
占空比= 10 ％
--30_C
G
ps
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图7.脉冲效率与
输出功率
图8.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V3090N
第1版， 12/2011
RF功率LDMOS晶体管
增强 - 模式横向的MOSFET
专为商业和工业的宽带应用
频率在470到860兆赫。设备适合于广播应用
应用程序。
典型性能（窄带测试电路） ： V
DD
= 50伏，我
DQ
=
350毫安， 64 QAM ，输入信号PAR = 9.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
信号类型
DVB - T（ 8K OFDM ）
P
OUT
(W)
18魅力。
f
（兆赫）
860
G
ps
（ dB）的
22.0
η
D
(%)
28.5
ACPR
（ DBC）
--62.0
MRF6V3090NR1
MRF6V3090NR5
MRF6V3090NBR1
MRF6V3090NBR5
470-
-860兆赫， 90 W， 50 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
典型性能（宽带参考电路） ： V
DD
= 50伏，
I
DQ
= 450毫安， 64 QAM ，输入信号PAR = 9.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
P
OUT
(W)
18魅力。
f
（兆赫）
470
650
860
G
ps
（ dB）的
21.6
22.9
21.9
η
D
(%)
26.8
28.0
28.3
产量
信号PAR
（ dB）的
8.6
8.7
7.9
IMD
肩
（ DBC）
--31.8
--34.4
--29.2
信号类型
DVB - T（ 8K OFDM ）
CASE 1486-
-03 ，风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6V3090NR1(NR5)
特点
能够处理10 ： 1 VSWR ，所有相位角， @ 50伏直流电， 860兆赫，
90瓦的连续输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部输入匹配的易用性
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
优良的热稳定性
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
225℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
符号
R
θJC
CASE 1484-
-04 ，风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6V3090NBR1(NBR5)
部分单
-ENDED
门
漏
门
漏
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度76 ° C， 18瓦CW ， 50伏直流电，我
DQ
= 350毫安， 860兆赫
外壳温度80 ° C， 90瓦CW， 50伏直流电，我
DQ
= 350毫安， 860兆赫
价值
(2,3)
0.79
0.82
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2010--2011 。版权所有。
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 (2001--4000 V)
B（ 201--400 V）
四， （ >1000 V）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 50 mA时， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 350 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 0.5 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(1)
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
41
65.4
591
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
2.0
—
1.6
2.7
0.2
2.4
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
115
—
—
—
—
—
—
0.5
—
10
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（在飞思卡尔的DVB - T的窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350毫安， P
OUT
= 18瓦平均，
F = 860 MHz的DVB - T（ 8K OFDM）单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@
±4
MHz偏移@ 4 kHz的带宽。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
21.0
27.5
—
—
22.0
28.5
--62.0
--14
24.0
—
--60.0
--9
dB
%
dBc的
dB
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
+
C1
R1
C2
C3
Z8
Z10
C8
C9
C10
V
供应
RF
输入
C4 R2
Z1
C5
C6
C7
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z9
Z12
Z13
Z14
Z15 Z16
Z17
C14
Z18
RF
产量
C15
DUT
Z11
C11
C12
C13
+
C16
C17
C18
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.266″
×
0.067 “微带
0.331″
×
0.067 “微带
0.598″
×
0.067 “微带
0.315″
×
0.276 “微带
0.054″
×
0.669 “微带
0.419″
×
0.669 “微带
0.256″
×
0.669 “微带
0.986″
×
0.071 “微带
0.201″
×
0.571 “微带
Z10, Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
1.292″
×
0.079 “微带
0.680″
×
0.571 “微带
0.132″
×
0.117 “微带
0.705″
×
0.117 “微带
0.159″
×
0.117 “微带
0.140″
×
0.067 “微带
0.077″
×
0.067 “微带
0.163″
×
0.067 “微带
图2. MRF6V3090NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的窄带测试电路原理图
表6. MRF6V3090NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的窄带测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C9, C17
C3, C5, C8, C14, C16
C4
C6
C7
C10, C18
C11, C15
C12
C13
R1
R2
PCB
描述
22
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
50 V贴片电容
43 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
2.2 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
220
μF,
100V的电解电容器
7.5 pF的贴片电容
3.0 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容
为10kΩ ， 1/4 W码片电阻
10
,
1/4 W贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 3.5
产品型号
T491X226K035AT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B430JT500XT
ATC100B6R2BT500XT
ATC100B2R2JT500XT
ATC100B9R1CT500XT
EEVFK2A221M
ATC100B7R5CT500XT
ATC100B3R0CT500XT
ATC100B0R7BT500XT
CRCW120610KOJNEA
CRCW120610ROJNEA
RF--35
生产厂家
Kermet
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
松下 - ECG
ATC
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
Taconic的
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C10
C8
R1
C2
C3
C9
C4
R2
切出区
C15
C11
C5
C6
C7
MRF6V3090N
第0版
C12
C16
C17
C18
--
图3. MRF6V3090NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的窄带测试电路元件布局
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
--
C14
C13
典型特征
1000
C
国际空间站
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
C，电容（pF ）
22
21
20
19
18
17
50
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
η
D
G
ps
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
70
60
50
40
30
20
10
0
200
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
100
C
OSS
C
RSS
10
0
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫，V
GS
= 0伏
10
20
30
40
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
图4.电容与漏极 -
- 源电压
图5. CW功率增益和漏极效率
与输出功率（窄带测试电路）
25
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
22
21
20
19
18
17
V
DD
= 40 V
10 20 30 40
50 60
70 80 90 100 110 120 130 140 150
50 V
45 V
56
55
P
OUT
，输出功率（dBm ）
54
53
52
51
50
49
48
47
--6
--5
P3dB = 51.28 dBm的（ 134.3 W）
P2DB = 51.06 dBm的（ 127.6 W）
的P1dB = 50.7 dBm的（ 117.5 W）
理想
I
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
实际
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
--4
--3
--2
--1
0
1
2
3
4
P
in
输入功率（dBm ）
16
P
OUT
，输出功率（瓦）
图6.连续输出功率与输入功率
（窄带测试电路）
25
24
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22
21
20
19
18
85_C
G
ps
T
C
= --30_C
图7. CW功率增益与输出功率
（窄带测试电路）
70
60
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
85_C
50
25_C
40
30
η
D
20
10
0
200
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
T
C
= --30_C
25_C
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
图8. CW功率增益和漏极效率与
输出功率（窄带测试电路）
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
