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MCC 132
MCD 132
晶闸管模块
可控硅/二极管模块
I
真有效值
= 2× 300一
I
TAVM
= 2× 130
V
RRM
= 800-1800 V
3
6 7
5
4
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
1800
TYPE
1
2
第1版
MCC 132-08io1
MCC 132-12io1
MCC 132-14io1
MCC 132-16io1
MCC 132-18io1
第1版
MCD 132-08io1
MCD 132-12io1
MCD 132-14io1
MCD 132-16io1
MCD 132-18io1
3
6 7 1
5 4 2
符号
I
真有效值
, I
疲劳风险管理
I
TAVM
, I
FAVM
I
TSM
, I
FSM
测试条件
T
VJ
= T
VJM
T
C
= 85°C ; 180 °正弦波
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
最大额定值
300
130
4750
5080
4230
4530
113 000
108 000
89 500
86 200
150
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / MS
MCC
3
1
5 4 2
MCD
òi
2
dt
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
( di / dt的)
cr
T
VJ
= T
VJM
重复的,我
T
= 500 A
F = 50 Hz时,T
P
=200
ms
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.5 A
非重复性的,我
T
= 500 A
di
G
/ DT = 0.5 A / MS
T
VJ
= T
VJM
;
V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
;
方法1 (线性电压升高)
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
TAVM
t
P
= 30
ms
t
P
= 500
ms
500
1000
120
60
8
10
-40...+125
125
-40...+125
A / MS
V / ms的
W
W
W
V
°C
°C
°C
V~
V~
( dv / dt的)
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
特点
国际标准套餐
直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
平面钝化芯片
隔离电压3600 V
UL注册,E 72873
键控门/阴极双引脚
q
q
q
q
q
q
应用
电机控制
电源转换器
热和温度控制。
工业窑炉和化工
过程的
照明控制
非接触式开关
q
q
q
q
q
50/60赫兹, RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
3000
3600
q
q
安装扭矩( M6 )
终端连接扭矩( M6 )
典型的包括螺钉
2.25-2.75 / 20-25牛米/ lb.in 。
4.5-5.5 / 40-48牛米/ lb.in 。
125
g
q
q
优势
空间和减轻重量
安装简单
提高温度和功率
循环
降低保护电路
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
032
根据IEC 60747的数据和指单个晶闸管/二极管,除非另有说明。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
MCC 132
MCD 132
符号
I
RRM
, I
DRM
V
T
, V
F
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
测试条件
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
I
T
, I
F
= 300 A;牛逼
VJ
= 25°C
对于只功率损耗的计算(T
VJ
= 125°C)
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
V
D
= 2/3 V
DRM
特征值
10
1.36
0.8
1.5
2.5
2.6
150
200
0.2
10
300
200
2
150
550
235
0.23
0.115
0.33
0.165
12.7
9.6
50
mA
V
V
mW
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
ms
ms
mC
A
K / W
K / W
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
图。 1,门极触发特性
T
VJ
= 25°C ;吨
P
= 30
女士;
V
D
= 6 V
I
G
= 0.5 A;迪
G
/ DT = 0.5 A / MS
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ;
GK
=
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 1/2 V
DRM
I
G
= 0.5 A;迪
G
/ DT = 0.5 A / MS
T
VJ
= T
VJM
; I
T
= 160 A,T
P
= 200
女士;
-di / DT = 10 A /毫秒(典型值) 。
V
R
= 100V ;的dv / dt = 20 V / ms的; V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= T
VJM
; I
T
, I
F
= 300 A, -di / DT = 50 A / MS
晶闸管/二极管;直流电流
模块
晶闸管/二极管;直流电流
模块
其他值
参照图8/9
表面爬电距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
对于模块可选配件
键控门/阴极双插头与导线长度= 350毫米,门=黄色,阴极=红
TYPE
ZY 180L
( L =左为引脚对4/5 )
UL 758 ,风格1385 ,
TYPE
ZY 180R
(R为对引脚6/7 =右)
CSA类5851 ,引导460-1-1
图。 2门极触发延迟时间
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
MCC
MCD
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-4
MCC 132
MCD 132
4000
I
TSM
A
3000
50赫兹
80 % V
RRM
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 125°C
2000
10
5
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 125°C
1000
i
2
t
A
2
s
10
6
0
0.001
10
4
0.01
0.1
s
t
1
1
t
ms
10
图。 3浪涌过载电流
I
TSM
, I
FSM
:峰值,T :时间
图。 4 I T随时间(1-10毫秒)
2
图。图4a最大正向电流
在外壳温度
图。 5功耗与导通
目前的状态和环境
温度(每晶闸管或
二极管)
图。 6三相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
MCC 132
MCD 132
图。 7三相交流控制器:
功耗与RMS
输出电流和环境
温度
图。 8瞬态热阻抗
结到外壳(每晶闸管或
二极管)
R
thJC
各种导通角D:
d
DC
180°
120°
60°
30°
R
thJC
(K / W)
0.230
0.244
0.255
0.283
0.321
常量Z的
thJC
计算方法:
i
1
2
3
R
THI
(K / W)
0.0095
0.0175
0.203
t
i
(s)
0.001
0.065
0.4
图。 9瞬态热阻抗
结到散热器(每晶闸管
或二极管)
R
thJK
各种导通角D:
d
DC
180°
120°
60°
30°
R
thJK
(K / W)
0.330
0.344
0.355
0.383
0.421
常量Z的
thJK
计算方法:
i
1
2
3
4
版权所有2000 IXYS所有权利。
R
THI
(K / W)
0.0095
0.0175
0.203
0.1
t
i
(s)
0.001
0.065
0.4
1.29
4-4
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MCD132-16IO1
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