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中冶94
MCD 94
高压晶闸管模块
高压可控硅/二极管模块
I
真有效值
= 2× 180 A
I
TAVM
= 2× 104一
V
RRM
= 2000-2200 V
V
RSM
V
帝斯曼
V
2100
2300
V
RRM
V
DRM
V
2000
2200
TYPE
TO- 240 AA
2
1
3
6
7
4
5
MCC 94-20io1 B
MCC 94-22io1 B
MCD 94-20io1 B
MCD 94-22io1 B
3
6 7 1
5 4 2
符号
I
真有效值
I
TAVM
I
TSM
测试条件
T
VJ
= T
VJM
T
C
= 85°C ; 180 °正弦波
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
吨= 10毫秒( 50赫兹)
T = 8.3毫秒( 60赫兹)
吨= 10毫秒( 50赫兹)
T = 8.3毫秒( 60赫兹)
吨= 10毫秒( 50赫兹)
T = 8.3毫秒( 60赫兹)
吨= 10毫秒( 50赫兹)
T = 8.3毫秒( 60赫兹)
最大额定值
180
104
1700
1800
1540
1640
14450
13500
11850
11300
150
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / MS
MCC
3
1
5 4 2
MCD
òi
2
dt
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
特点
q
( di / dt的)
cr
T
VJ
= T
VJM
重复,
I
T
= 250 A
F = 50 Hz时,T
P
= 200
ms
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.45 A,不重复,我
T
= I
TAVM
di
G
/ DT = 0.45 A / MS
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
;
方法1 (线性电压升高)
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
TAVM
t
P
= 30
ms
t
P
= 300
ms
q
500
1000
10
5
0.5
10
-40 ...125
125
-40 ...125
A / MS
q
( dv / dt的)
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
V / ms的
W
W
W
V
°C
°C
°C
V~
V~
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
q
q
q
国际标准封装,
JEDEC TO- 240 AA
铜直接键合
Al
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
平面钝化芯片
隔离电压3600 V
UL注册,E 72873
门极 - 阴极双引脚版本1B
应用
q
q
q
直流电机控制
软启动交流电机控制器
光,热和温度控制
50/60赫兹, RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
3000
3600
2.5-4.0/22-35
2.5-4.0/22-35
90
优势
q
q
q
安装扭矩( M5 )
终端连接扭矩( M5 )
典型的包括螺钉
q
空间和减轻重量
安装简单用两个螺丝
提高温度和功率
循环
降低保护电路
根据IEC 60747的数据和指单个晶闸管/二极管,除非另有说明。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
839
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
中冶94
MCD 94
符号
I
RRM
, I
DRM
V
T
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
测试条件
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= V
RRM
I
T
= 300 A;牛逼
VJ
= 25°C
特征值
15
1.74
0.85
3.2
1.5
1.6
100
200
0.25
10
200
150
2
典型值。
185
170
45
0.22
0.11
0.42
0.21
12.7
9.6
50
mA
V
V
mW
V
V
mA
mA
V
mA
mA
I
GD
, T
VJ
= 125
°
C
4: P
GAV
= 0.5 W
5: P
GM
=
5W
6: P
GM
= 10 W
10
2
10
3
I
G
3
1
1
4
2
5
6
V
G
10
1: I
GT
, T
VJ
= 125
°
C
V
2: I
GT
, T
VJ
= 25
°
C
3: I
GT
, T
VJ
= -40
°
C
对于只功率损耗的计算(T
VJ
= T
VJM
)
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
T
VJ
T
VJ
T
VJ
= 25°C
= -40°C
= 25°C
= -40°C
T
VJ
= T
VJM
; V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= T
VJM
; V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ;牛逼
P
= 30
ms
di
G
/ DT = 0.45 A / MS;我
G
= 0.45 A
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ;
GK
=
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 1/2 V
DRM
di
G
/ DT = 0.45 A / MS;我
G
= 0.45 A
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= 100 V; V
D
= 2/3 V
DRM
; t
P
= 200
ms
的dv / dt = 20 V / ms的;我
T
= 150 A; -di / DT = 10 A / MS
T
VJ
= T
VJM
-di / DT = 6 A / MS;我
T
= 50 A
每个晶闸管;直流电流
每个模块
每个晶闸管;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
最大允许的加速度
mA
ms
ms
0.1
10
0
10
1
mA
10
4
图。 1,门极触发特性
1000
mC
A
K / W
K / W
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
t
gd
T
VJ
= 25
°
C
s
典型值。
100
极限
10
为模块式MCC 94版1 B可选配件
键控门/阴极双插头与导线长度= 350毫米,门=黄色,阴极=红
TYPE
ZY 200L
( L =左为引脚对4/5 )
UL 758 ,风格1385 ,
TYPE
ZY 200R
(R为对引脚6/7 =右)
CSA类5851 ,引导460-1-1
1
10
mA
I
G
100
1000
图。 2门极触发延迟时间
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
R
thJC
各种导通角D:
d
DC
180°
120°
60°
30°
R
thJC
(K / W)
0.22
0.23
0.25
0.27
0.28
R
thJK
各种导通角D:
d
DC
180°
120°
60°
30°
R
thJK
(K / W)
0.42
0.43
0.45
0.47
0.48
常量Z的
thJC
计算方法:
i
1
2
3
R
THI
(K / W)
0.0066
0.0678
0.1456
t
i
(s)
0.0019
0.0477
0.344
常量Z的
thJK
计算方法:
i
1
2
3
4
R
THI
(K / W)
0.0066
0.0678
0.1456
0.2
t
i
(s)
0.0019
0.0477
0.344
1.32
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-2
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    MCC94-20IO1B
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    -
    -
    -
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21+
1288
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原装现货提供
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联系人:陈先生
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IXYS
24+
1000
MODULE
全新原装现货
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电话:400-15695632345
联系人:薛女士
地址:宣州区麒麟大道11号-102
MCC94-20IO1B
IXYS/艾赛斯
24+
1025
MODULE
全新原装现货原盒原标实拍 型号齐全欢迎询价
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电话:13381567868
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地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
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联系人:蔡经理
地址:上海市嘉定区新成路500号J
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200
标准封装
全新原装正品
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联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
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艾赛斯IXYS
22+
8000
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全新原装,原厂渠道现货
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联系人:曾小姐
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一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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8800
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