【飞思卡尔半导体公司MC9S08SH8版本3.1 ， 05/2012MC9S08SH8数据表这是MC9】,IC型号MC9S08SH8CWJR,MC9S08SH8CWJR PDF资料,MC9S08SH8CWJR经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞思卡尔半导体公司

MC9S08SH8

版本3.1 ， 05/2012

MC9S08SH8数据表

这是MC9S08SH8数据集包括下列文件：

MC9S08SH8数据表附录，修订版1

MC9S08SH8数据手册，版本3

飞思卡尔半导体公司

数据补遗

MC9S08SH8AD

第1版， 05/2012

MC9S08SH8数据补遗

本附录说明更正或更新到

MC9S08SH8数据表，

文件命名为MC9S08SH8 。

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最新的更新。

可用的当前版本

MC9S08SH8

数据表

是3.0版。

附录修订为3.0 。。。。。。。。。。。。。。。。。。 2

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 2

附录的修订版3.0

表1. MC9S08SH8版本3.0补遗

位置

描述

部分“控制时序”在“控制时序”表，改变了“'内部低功耗振荡器周期”最小值

附录A “电气

参数从800微秒到700微秒。这个值是根据5V VDD时， -40

C至125

C的温度

特色」

范围的情况。

修订历史

表2.修订历史表

修订版号

1.0

实质性的改变

初始版本。 “的”内部低功耗振荡器周期“改变的最小值

参数从800微秒到700微秒，在“控制时序”表。

发布日期

05/2012

表2

提供了一个修订历史本文件。

MC9S08SH8AD ，第1

飞思卡尔半导体公司

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技术信息中心

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81829慕尼黑，德国

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东京153-0064

日本

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飞思卡尔半导体（中国）有限公司

交易大厦23F

号建国路118号

朝阳区

100022

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附带损失。可在飞思卡尔提供“典型”参数

半导体数据手册和/或规格可以做不同的不同

应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作

参数，包括“典型” ，必须为每一个客户进行验证

应用程序由客户的技术专家。飞思卡尔半导体公司不

不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。

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造成这样的局面，其中人身伤害或死亡可能会发生。如果买方

购买或使用飞思卡尔半导体公司的产品用于任何意外

或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有飞思卡尔

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直接或间接引起的，合理的律师费，任何索赔

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关于该部分的设计或制造。

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MC9S08SH8AD

第1版

05/2012

MC9S08SH8

MC9S08SH4

数据表

HCS08

微控制器

MC9S08SH8

第3版

6/2008

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