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飞思卡尔半导体公司
数据表:技术数据
文档编号: MC9328MXS
第3版, 2006年12月
MC9328MXS
MC9328MXS
包装信息
塑料包装
案例1304B -01
(MAPBGA–225)
订购信息
SEE
表1第3页
1
介绍
目录
1
2
3
4
简介。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
信号和连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
电气特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
功能描述和应用
信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
5引脚和封装信息。 。 。 。 。 。 。 。 71
6产品文档。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。尾页
i.MX系列应用处理器提供了一个
飞跃在性能上与ARM9 微处理器
芯和高度集成的系统功能。该i.MX
家庭专门针对的要求
个人便携式产品市场提供
智能集成外设,先进的处理器
核心和电源管理功能。
该MC9328MXS ( i.MXS )处理器采用了
先进和节能的ARM920T 核心的
在运行速度高达100 MHz 。集成模块,
其中包括一个USB设备和LCD控制器,
支持一系列的外设以提高便携
产品。它被装在一个225接触MAPBGA
封装。
图1
示出的功能框图。
在i.MXS处理器。
飞思卡尔保留改变的详细规范可能需要的,以允许在设计改进的权利的
产品。
飞思卡尔半导体公司2006年版权所有。
介绍
图1. i.MXS功能框图
1.1
特点
ARM920T 微处理器内核
AHB到IP总线接口( AIPIs )
外部接口模块( EIM )
SDRAM控制器( SDRAMC )
DPLL时钟和电源控制模块
两个通用异步接收器/发送器( UART 1和UART 2 )
串行外设接口(SPI )
两个通用32位计数器/定时器
看门狗定时器
实时时钟/采样定时器( RTC )
LCD控制器( LCDC )
脉冲宽度调制(PWM )模块
通用串行总线(USB )设备
直接存储器存取控制器(DMAC)
同步串行接口和IC间声音( SSI / I
2
S)模块
IC间(我
2
C)总线模块
通用I / O( GPIO )端口
引导模式
以支持广泛的各种应用中,处理器提供的功能,包括下列一系列强大:
MC9328MXS技术数据,第3版
2
飞思卡尔半导体公司
介绍
电源管理功能
工作电压范围: 1.7 V至1.9 V核心, 1.7 V至3.3 V的I / O
225接触MAPBGA包
1.2
目标应用
该i.MXS应用处理器旨在满足医疗器械,中低端需求
个人数字助理,销售点终端,安全系统和其它应用程序需要一个基本的装置的基础上
ARM技术的开放式操作系统的支持。像i.MX系列的其他成员,在
i.MXS是专为高性能和低功耗,以延长电池寿命。
1.3
订购信息
表1. i.MXS订购信息
套餐类型
225接触MAPBGA
频率
100兆赫
温度
0
O
C至70
O
C
-40
O
C至85
O
C
焊球类型
无铅
无铅
订单号
MC9328MXSVP10(R2)
MC9328MXSCVP10(R2)
表1
提供订购信息。
1.4
约定
划线是用来表示一个信号时拉低即活性:例如,RESET 。
1逻辑电平
是对应于布尔值TRUE ( 1 )状态的电压。
逻辑0电平
是对应于布尔值false ( 0 )状态的电压。
To
SET
位或位手段,建立逻辑电平之一。
To
明确
位或位手段,建立逻辑电平为零。
A
信号
是电子结构,其状态传送或改变状态的传达信息。
A
是外部的物理连接。相同的引脚可以用于连接多个信号。
断言
意味着一个离散信号处于激活的逻辑状态。
低电平有效
信号从逻辑电平1改变为逻辑电平0。
高电平有效
信号从逻辑电平0改变为逻辑电平1。
否定
意味着一个断言离散信号改变逻辑状态。
低电平有效
信号从逻辑电平0改变为逻辑电平1。
高电平有效
信号从逻辑电平1改变为逻辑电平0。
LSB方法
最显著位
or
位,
与MSB指
最有效位
or
位。
引用
低,高字节或字拼写出来。
数字前面加一个百分号( % )是二进制。前面有一个美元符号( $ )或数字
0x
是十六进制。
本文档使用以下约定:
MC9328MXS技术数据,第3版
飞思卡尔半导体公司
3
信号和连接
2
信号和连接
表2. i.MXS信号说明
信号名称
功能/注意事项
外部总线/片选( EIM )
表2
标识和描述被分配到封装引脚的i.MXS处理器的信号。信号
通过它们连接到内部模块进行分组。
A[24:0]
D[31:0]
EB0
EB1
EB2
EB3
OE
CS [5:0 ]
欧洲央行
LBA
BCLK (突发时钟)
RW
DTACK
地址总线信号
数据总线信号
MSB字节频闪低电平有效的外部使能控制D [ 31:24]字节信号。
字节频闪低电平有效的外部使能控制D [ 23:16]字节信号。
字节频闪低电平有效的外部使能控制字节信号[15 : 8 ] 。
LSB字节频闪低电平有效的外部使能控制字节信号[ 7 : 0 ] 。
存储器输出使能,低电平有效输出使外部数据总线。
[ 3:2 ]被复用CSD [ 1:0]和由所选的CS的芯片选择,片选信号
功能复用控制寄存器( FMCR ) 。默认CSD [1:0 ]被选择。
由闪存设备发送到EIM每当闪存设备必须终止一个低电平有效输入信号
持续的脉冲串序列,并启动一个新的(长第一接入)脉冲串序列。
低电平信号由闪存设备发送导致外部突发设备锁存开始破灭
地址。
在突发模式发送到外部同步存储器(如爆闪)时钟信号。
RW信号指示外部访问是否是读(高)或写(低)周期。作为WE输入
信号由外部DRAM 。
DTACK
信号的外部输入数据的确认信号。当使用外部的DTACK信号
作为数据的确认信号,总线超时监控产生一个总线错误时,总线周期不
由外部的DTACK信号终止后1022时钟计数已经过去了。
引导
BOOT [3:0 ]
系统启动模式选择,在该系统中的i.MXS处理器业务系统引导模式
复位是由这些引脚的设置决定。
SDRAM控制器
SDBA [4 :0]的
SDIBA [3 :0]的
MA [ 11:10 ]
MA [10 :0]
DQM [3 :0]的
CSD0
复用地址SDRAM非交错模式的银行地址信号A [ 15:11 ] 。这些信号
在逻辑上等同于SDRAM周期的核心地址p_addr [ 25:21 ] 。
SDRAM的交错处理复用地址模式的银行地址信号A [ 19:16 ] 。这些
信号在逻辑上等同于核心地址p_addr [12 : 9 ]在SDRAM周期。
SDRAM地址信号
SDRAM地址信号,这些信号复用地址信号A [ 10 : 1 ] 。 MA [10 :0]被选择上
SDRAM周期。
SDRAM数据使能
SDRAM的片选信号被复用的信号CS2 。这两个信号是可选择的
通过编程系统控制寄存器。
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4
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信号和连接
表2. i.MXS信号说明(续)
信号名称
CSD1
功能/注意事项
SDRAM的片选信号被复用CS3的信号。这两个信号都通过可选的
编程系统控制寄存器。默认情况下, CSD1被选择,所以它可以用作引导
芯片选择,通过适当配置的BOOT [3:0 ]输入引脚。
SDRAM行地址选择信号
SDRAM列地址选择信号
SDRAM的写使能信号
SDRAM时钟使能0
SDRAM时钟使能1
SDRAM时钟
未使用
时钟和复位
EXTAL16M
XTAL16M
EXTAL32K
XTAL32K
CLKO
RESET_IN
RESET_OUT
POR
晶体输入( 4兆赫至16兆赫)时,或者当内部振荡器电路被关16 MHz振荡器输入
下来。
晶振输出
32 kHz晶振输入
32 kHz晶振输出
从内部时钟信号选择的时钟输出信号。
主复位,外部低电平有效施密特触发输入信号。当此信号变为有效,所有
模块(除了模块复位和时钟控制模块)被复位。
从看门狗定时器模块复位输出,内部低电平有效输出信号,并从断言
来源如下:上电复位,外部复位( RESET_IN )和看门狗超时。
上电复位 - 内部高电平有效施密特触发输入信号。上电复位信号通常
通过设计来检测电事件的外部RC电路产生。
JTAG
TRST
TDO
TDI
TCK
TMS
测试复位用于异步初始化JTAG控制器引脚外接有源低信号。
串行输出测试指令和数据。在TCK的下降沿改变。
串行输入测试指令和数据。采样于TCK的上升沿。
测试时钟通过JTAG端口进行同步测试逻辑和控制寄存器的访问。
测试模式选择进行排序的JTAG测试控制器的状态机。采样的上升沿
TCK 。
DMA
DMA -REQ
BIG_ENDIAN
DMA请求,外部DMA请求信号。复用SPI1_SPI_RDY 。
大端路输入信号,用于确定所述外部片选空间的配置。如果它是
驱动逻辑高电平复位,外部片选空间将被配置为大端。如果是从动
逻辑低电平时复位,外部芯片选择的空间将被配置为小端。该输入必须不
在上电复位则无效或芯片运行过程中改变状态。
RAS
CAS
SDWE
SDCKE0
SDCKE1
SDCLK
RESET_SF
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