ON Semiconductort
八路D型触发器
具有三态输出
MC74VHC574
该MC74VHC574是一种先进的高速CMOS八进制
翻盖翻盖具有三态输出的制造与硅栅CMOS
技术。它实现了类似相当于高速操作
双极肖特基TTL ，同时保持CMOS低功耗
耗散。
这8位D型触发器由一个时钟输入端和一个控制
输出使能输入。当输出使能输入为高时， 8
输出处于高阻抗状态。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7V ，允许5V系统的接口
到3V系统。
高速：F
最大
=的180MHz （典型值），在V
CC
= 5V
低功耗：我
CC
= 4μA （最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： V
OLP
= 1.2V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 266场效应管或66.5等效门
DW后缀
20引脚SOIC封装WIDE
CASE 751D -05
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCXXXDW
SOIC宽
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
EIAJ SOIC
w
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
启5
1
出版订单号：
MC74VHC574/D
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的表示可
器件的可靠性产生不利影响。下的功能操作绝对最大额定值
条件是不是暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
最大额定值*
符号
V
CC
V
OUT
T
英镑
I
CC
I
OK
I
OUT
V
in
P
D
I
IK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
20
±
75
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
_C
V
V
V
DC电气特性
推荐工作条件
符号
符号
V
OH
V
OL
V
CC
V
OUT
V
IH
t
r
, t
f
V
IL
V
in
T
A
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
参数
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50μA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
4mA
I
OH
=
8mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
50μA
测试条件
V
CC
= 3.3V
V
CC
= 5.0V
http://onsemi.com
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
V
CC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
40
民
2.0
0
0
0
0
1.50
V
CC
x 0.7
2.58
3.94
民
1.9
2.9
4.4
+ 85
最大
V
CC
100
20
5.5
5.5
T
A
= 25°C
典型值
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
NS / V
单位
_C
V
V
V
0.50
V
CC
x 0.3
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
1.50
V
CC
x 0.7
T
A
=
4085 ℃下
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
0.50
V
CC
x 0.3
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
单位
V
V
V
V
3
28
C
PD
功率耗散电容（注2 ）
pF
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 （每个触发器） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
DC电气特性
符号
符号
t
OSLH
,
t
OSHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
C
OUT
f
最大
I
CC
I
OZ
C
in
I
in
最大三态输出
电容，在输出
高阻抗状态
最大输入电容
输出到输出偏斜
输出禁止时间，
OE为Q
输出使能时间，
OE为Q
最大传播延迟，
CP到Q
最大时钟频率
（50 ％占空比）
最大静态
电源电流
最大
三态漏
当前
最大输入
漏电流
参数
参数
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= 5.5V或GND
测试条件
V
CC
= 5.0
±
0.5V
（注1 ）
V
CC
= 3.3
±
0.3V
（注1 ）
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
测试条件
0至5.5
V
CC
V
5.5
5.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
民
民
130
85
80
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
T
A
= 25°C
典型值
T
A
= 25°C
8.2
10.7
11.0
8.5
11.0
典型值
180
115
125
75
7.1
5.9
7.4
5.6
7.1
—
—
6
4
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
±
0.25
±
0.1
最大
4.0
10.1
15.0
12.8
16.3
8.6
10.6
13.2
16.7
最大
9.0
11.0
1.0
1.5
10
—
—
—
—
—
T
A
=
4085 ℃下
民
T
A
=
4085 ℃下
民
110
75
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
65
45
—
—
—
—
±
2.5
±
1.0
40.0
最大
17.0
10.5
12.5
15.0
18.5
10.0
12.0
15.5
19.0
最大
11.5
1.0
1.5
10
—
—
—
—
—
单位
单位
μA
μA
μA
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
http://onsemi.com
4
ON Semiconductort
八路总线缓冲器
反相
该MC74VHC540是一种先进的高速CMOS反相
八路总线缓冲器与制造硅栅CMOS技术。它
实现类似相当于双极肖特基高速运转
TTL ，同时保持CMOS低功耗。
在MC74VHC540设有上的相对侧上的输入和输出
包和两个AND-低电平有效输出使能。当任
-ed
-
OE1或OE2都高，该终端输出处于高阻抗
状态。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7V ，允许5V系统的接口
到3V系统。
高速：吨
PD
= 3.7ns （典型值），在V
CC
= 5V
低功耗：我
CC
= 4μA （最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： V
OLP
= 1.2V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 124场效应管或31个等效门
MC74VHC540
DW后缀
20 - 引脚SOIC封装WIDE
CASE 751D - 05
DT后缀
20 - 引脚TSSOP封装
CASE 948E - 02
M后缀
20 - 引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967--01
订购信息
SOIC宽
MC74VHCXXXDW
TSSOP
MC74VHCXXXDT
EIAJ SOIC
MC74VHCXXXM
引脚分配
OE1
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE2
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
这些器件采用有铅
-free包（多个） 。本文规格
适用于标准和有铅
- 免费设备。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com具体有铅
- 免费订购部件号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
功能表
输入
OE1
L
L
H
X
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
输出y
H
L
Z
Z
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月 - 第3版
-
1
出版订单号：
MC74VHC540/D
最大额定值*
符号
V
CC
V
in
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
SOIC封装
TSSOP封装
参数
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
-- 20
±
20
±
25
±
75
500
450
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
_C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这个高 - 阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
≤
(V
in
或V
OUT
)
≤
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的表示可
器件的可靠性产生不利影响。最大的 - - 在绝对功能操作额定
条件是不是暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
= 3.3V
±0.3V
V
CC
=5.0V
±0.5V
参数
民
2.0
0
0
-- 40
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+ 85
100
20
单位
V
V
V
_C
NS / V
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最小高 - 级别
输入电压
最大低 - 级
输入电压
最小高 - 级别
输出电压
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -- 50μA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
= - 4毫安
I
OH
= - 8毫安
V
OL
最大低 - 级
输出电压
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50μA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
2.0
3.0
4.5
T
A
= 25°C
民
1.50
V
CC
x 0.7
0.50
V
CC
x 0.3
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
V
典型值
最大
T
A
= - 4085 ℃下
-
民
1.50
V
CC
x 0.7
0.50
V
CC
x 0.3
最大
单位
V
V
IL
V
V
OH
V
http://onsemi.com
3
DC电气特性
符号
I
in
I
OZ
参数
最大输入
漏电流
最大
三 - 状态漏泄
当前
最大静态
电源电流
测试条件
V
in
= 5.5V或GND
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
V
CC
V
0至5.5
5.5
T
A
= 25°C
民
典型值
最大
±
0.1
±
0.25
T
A
= - 4085 ℃下
-
民
最大
±
1.0
±
2.5
单位
μA
μA
I
CC
5.5
4.0
40.0
μA
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
T
A
= 25°C
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传播延迟，
一个为Y
（图1和3）
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1k
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1k
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1k
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1k
V
CC
= 3.3
±
0.3V
（注1 ）
V
CC
= 5.0
±
0.5V
（注1 ）
C
in
C
OUT
最大输入电容
最多三个 - 态输出
电容（输出高
阻抗状态）
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
4
6
民
典型值
4.8
7.3
3.7
5.2
6.8
9.3
4.7
6.2
11.2
6.0
最大
7.0
10.5
5.0
7.0
10.5
14.0
7.2
9.2
15.4
8.8
1.5
1.0
10
10
T
A
= - 4085 ℃下
-
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
8.5
12.0
6.0
8.0
12.5
16.0
8.5
10.5
17.5
10.0
ns
ns
pF
pF
ns
ns
单位
ns
t
PZL
,
t
PZH
输出使能时间，
OEN为Y
（图2和4）
t
PLZ
,
t
PHZ
输出禁止时间，
OEN为Y
（图2和4）
t
OSLH
,
t
OSHL
输出到输出偏斜
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
17
C
PD
功率耗散电容（注2 ）
pF
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
-- t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
-- t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 （每比特） 。
PD
被用于确定所述无 - 负载
动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ，C
L
= 50pF的，V
CC
= 5.0V)
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
参数
典型值
0.9
-- 0.9
最大
1.2
-- 1.2
3.5
1.5
单位
V
V
V
V
http://onsemi.com
4
ON Semiconductort
八路D型触发器
具有三态输出
MC74VHC374
该MC74VHC374是一种先进的高速CMOS八进制
翻盖翻盖具有三态输出的制造与硅栅CMOS
技术。它实现了类似相当于高速操作
双极肖特基TTL ，同时保持CMOS低功耗
耗散。
这8位D型触发器由一个时钟输入端和一个控制
输出使能输入。当输出使能输入为高时， 8
输出处于高阻抗状态。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7V ，允许5V系统的接口
到3V系统。
高速：F
最大
= 185MHz （典型值），在V
CC
= 5V
低功耗：我
CC
= 4μA （最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： V
OLP
= 0.9V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 266场效应管或66.5等效门
DW后缀
20引脚SOIC封装WIDE
CASE 751D -05
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCXXXDW
SOIC宽
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
EIAJ SOIC
w
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
启5
1
出版订单号：
MC74VHC374/D
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的表示可
器件的可靠性产生不利影响。下的功能操作绝对最大额定值
条件是不是暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
最大额定值*
符号
V
CC
V
OUT
T
英镑
I
CC
I
OK
I
OUT
V
in
P
D
I
IK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
20
±
75
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
_C
V
V
V
DC电气特性
推荐工作条件
符号
符号
V
OH
V
OL
V
CC
V
OUT
V
IH
t
r
, t
f
V
IL
V
in
T
A
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
参数
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50μA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
4mA
I
OH
=
8mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
50μA
测试条件
V
CC
= 3.3V
V
CC
= 5.0V
http://onsemi.com
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
V
CC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
40
民
2.0
0
0
0
0
1.50
V
CC
x 0.7
2.58
3.94
民
1.9
2.9
4.4
+ 85
最大
V
CC
100
20
5.5
5.5
T
A
= 25°C
典型值
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
NS / V
单位
_C
V
V
V
0.50
V
CC
x 0.3
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
1.50
V
CC
x 0.7
T
A
=
4085 ℃下
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
0.50
V
CC
x 0.3
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
单位
V
V
V
V
3
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 （每个触发器） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
DC电气特性
符号
符号
t
OSLH
,
t
OSHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
C
OUT
f
最大
I
CC
I
OZ
C
in
I
in
最大三态输出
电容（在输出
高阻态）
最大输入电容
输出到输出偏斜
输出禁止时间，
OE为Q
输出使能时间，
OE为Q
最大传播延迟，
CP到Q
最大时钟频率
（50 ％占空比）
最大静态
电源电流
最大
三态漏
当前
最大输入
漏电流
参数
参数
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= 5.5V或GND
测试条件
V
CC
= 5.0
±
0.5V
（注1 ）
V
CC
= 3.3
±
0.3V
（注1 ）
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
测试条件
0至5.5
V
CC
V
5.5
5.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
民
民
130
85
80
55
T
A
= 25°C
典型值
T
A
= 25°C
8.1
10.6
10.2
典型值
185
120
130
85
6.1
5.1
6.6
7.1
9.6
5.4
6.9
6
4
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
±
0.25
±
0.1
最大
4.0
8.1
10.1
14.0
12.7
16.2
最大
11.0
14.5
1.0
1.5
8.8
7.6
9.6
10
T
A
=
4085 ℃下
民
T
A
=
4085 ℃下
民
110
75
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
70
50
±
2.5
±
1.0
40.0
最大
10.0
16.0
13.0
16.5
15.0
18.5
最大
9.0
11.0
9.5
11.5
1.0
1.5
10
单位
单位
μA
μA
μA
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
PD
功率耗散电容（注2 ）
http://onsemi.com
32
pF
4
ON Semiconductort
该MC74VHC245是一种先进的高速CMOS八进制总线
收发器制造与硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极肖特基TTL高速运转
同时保持CMOS低功耗。
它是用于之间双向异步通信
数据总线。数据传输的方向是由确定的
在DIR输入电平。输出使能引脚（OE）可以用来
禁用该设备，以使总线有效地分离出来。
所有的输入都配备了防静电保护电路
放电。
高速：吨
PD
= 4.0ns （典型值），在V
CC
= 5V
低功耗：我
CC
= 4μA （最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： V
OLP
= 1.2V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 308场效应管或77个等效门
八路总线收发器
MC74VHC245
DW后缀
20引脚SOIC封装WIDE
CASE 751D -05
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCXXXDW
SOIC宽
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
EIAJ SOIC
w
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
应用笔记
不要强迫一个信号，一个I / O引脚，当它是一个主动的输出，
可能会损坏。
所有浮动（高阻抗）输入或I / O引脚必须固定
指上拉或下拉电阻或总线终结器集成电路。
寄生二极管总线和V之间形成
CC
终端。
因此， VHC245不能用于接口5V到3V系统
直接。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
启5
1
出版订单号：
MC74VHC245/D
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的表示可
器件的可靠性产生不利影响。下的功能操作绝对最大额定值
条件是不是暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
最大额定值*
符号
V
CC
V
OUT
T
英镑
I
CC
I
OK
I
OUT
V
in
P
D
I
IK
储存温度
在静止空气中的功耗
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
20
±
75
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
_C
V
V
V
DC电气特性
推荐工作条件
符号
符号
V
OH
V
OL
V
CC
V
OUT
V
IH
t
r
, t
f
V
IL
V
in
T
A
I
in
最大输入
漏电流
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
参数
V
in
= 5.5 V或GND
（ DIR ， OE ）
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50μA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
4mA
I
OH
=
8mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
50μA
测试条件
V
CC
= 3.3V
±0.3V
V
CC
=5.0V
±0.5V
http://onsemi.com
0至5.5
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
V
CC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
40
民
2.0
0
0
0
0
1.9
2.9
4.4
3
1.50
V
CC
x 0.7
2.58
3.94
民
+ 85
最大
V
CC
100
20
5.5
5.5
T
A
= 25°C
典型值
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
NS / V
单位
_C
V
V
V
0.50
V
CC
x 0.3
±
0.1
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
1.50
V
CC
x 0.7
T
A
=
4085 ℃下
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
0.50
V
CC
x 0.3
±
1.0
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
单位
μA
V
V
V
V
21
C
PD
功率耗散电容（注2 ）
pF
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 （每比特） 。
PD
用于确定空载
动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
DC电气特性
符号
符号
t
OSLH
,
t
OSHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
C
I / O
I
CC
I
OZ
C
in
最大的三态
I / O容量
最大输入电容
DIR ， OE
输出到输出偏斜
输出禁止时间
OE为A或B
输出使能时间
OE为A或B
最大传播延迟，
A到B或B到A
最大静态
电源电流
最大
三态漏
当前
参数
参数
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
测试条件
V
CC
= 5.0
±
0.5V
（注1 ）
V
CC
= 3.3
±
0.3V
（注1 ）
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1 kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1 kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1 kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1 kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
测试条件
V
CC
V
5.5
5.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
民
民
T
A
= 25°C
典型值
T
A
= 25°C
11.5
8.5
11.0
典型值
7.0
5.8
7.3
4.0
5.5
5.8
8.3
8
4
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
±
0.25
最大
4.0
8.5
10.6
15.8
13.2
16.7
最大
8.4
11.9
1.0
1.5
9.7
5.5
7.5
10
T
A
=
4085 ℃下
民
T
A
=
4085 ℃下
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
±
2.5
40.0
最大
18.0
10.0
12.0
15.5
19.0
10.0
13.5
最大
11.0
1.0
1.5
6.5
8.5
10
单位
单位
μA
μA
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ，C
L
= 50pF的，V
CC
= 5.0V)
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
最大低电平动态输入电压
最小高级别动态输入电压
安静的输出最低动态V
OL
静默输出最大动态V
OL
参数
http://onsemi.com
0.9
典型值
0.9
T
A
= 25°C
1.2
最大
1.5
3.5
1.2
单位
V
V
V
V
4
QQ：2881677436 复制
