摩托罗拉
半导体技术资料
八路总线缓冲器
该MC74VHCT541A是一种先进的高速CMOS八进制总线缓冲器
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持
CMOS的低功耗。
该MC74VHCT541A是同相，三态，缓冲/线路驱动器/线
接收器。当任一OE1或OE2为高时，终端输出在
高阻抗状态。
该VHCT输入与TTL电平兼容。这个装置可以用于
作为电平转换器，用于连接3.3V至5.0V ，由于它具有完整的5V CMOS
电平输出摆幅。
该VHCT541A输入和输出结构提供（禁用时）
当施加0V至5.5V之间的电压，而不管保护
电源电压。这些输入和输出结构有助于防止设备
破坏引起的电源电压 - 输入/输出电压失配，
电池备份，热插拔等。
高速： tPD的= 5.4ns （典型值） ，在VCC = 5V
低功耗： ICC = 4μA （最大）在TA = 25℃
TTL兼容的输入： VIL = 0.8V ; VIH = 2.0V
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
专为4.5V至5.5V工作电压范围
低噪音： VOLP = 1.6V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 134场效应管或33.5等效门
MC74VHCT541A
DW后缀
20引脚SOIC封装
CASE 751D -04
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCTXXXADW
SOIC
MC74VHCTXXXADT
TSSOP
MC74VHCTXXXAM
EIAJ SOIC
逻辑图
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
产量
使
OE1
OE2
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
OE1
L
L
H
X
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
引脚分配
OE1
A1
A2
A3
A4
A5
同相
输出
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
OE2
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
数据
输入
功能表
输入
输出y
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
L
H
Z
Z
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摩托罗拉1997年公司
1
REV 0
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的指示可能不利地
影响器件的可靠性。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHCT541A
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流（ VOUT < GND ， VOUT > VCC ）
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
在三态输出
高电平或者低电平状态
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
75
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
符号
S B升
VCC
VOUT
VOH
TR ， TF
VOL
VIN
ICC
IOZ
VIH
TA
VIL
IIN
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
最大静态
电源电流
最大的三态
漏电流
最大输入
漏电流
最底层
输出电压
VIN = VIH或VIL
最小高级别
输出电压
VIN = VIH或VIL
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
参数
P
参数
VIN = VCC或GND
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = 5.5 V或GND
试验C迪我
T
条件
在三态输出
高电平或者低电平状态
VCC = 5.0V
±0.5V
IOH = - 50μA
IOH = - 8毫安
IOL = 50μA
IOL = 8毫安
0至5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
VCC
V
2
5.5
5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
– 40
民
4.5
0
0
0
0
5.5
VCC
+ 85
最大
3.94
民
5.5
5.5
4.4
2.0
20
NS / V
单位
TA = 25°C
_
C
_
C
V
V
V
V
V
V
典型值
0.0
4.5
±
0.25
±
0.1
0.36
最大
4.0
0.1
0.8
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V CC） 。
未使用的输出必须悬空。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
TA = - 40 85°C
3.80
民
4.4
2.0
v
±
2.5
±
1.0
0.44
最大
0.1
0.8
40.0
v
单位
U I
A
A
A
V
V
V
V
MC74VHCT541A
DC电气特性
符号
ICCT
参数
测试条件
VCC
V
5.5
0
TA = 25°C
典型值
TA = - 40 85°C
民
最大
民
最大
单位
mA
A
静态电源
当前
输出漏
当前
每输入： VIN = 3.4V
其他输入： VCC或GND
VOUT = 5.5V
1.35
0.5
1.50
5.0
IOPD
AC电气特性
（输入TR = TF = 3.0ns ）
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
tpZL ，
tpZH
tPLZ ，
tPHZ
参数
P
TA = 25°C
典型值
5.0
5.5
8.3
8.8
9.4
TA = - 40 85°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
8.0
9.0
试验C迪我
T
条件
民
最大
6.9
7.9
单位
U I
ns
ns
ns
ns
最大传播延迟，
一个为Y
输出使能时间，
OE为Y
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
（注NO TAG ）
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
11.3
12.3
11.9
1.0
10
13.0
14.0
13.5
1.0
10
输出禁止时间，
OE为Y
tOSLH ，
tOSHL
CIN
输出到输出偏斜
最大输入电容
4
9
pF
pF
COUT
最大三态输出
电容（输出高
阻抗状态）
典型的25°C ， VCC = 5.0V
19
CPD
功耗
P
迪I I电容（N
i
（注NO TAG ）
pF
F
1.参数设计保证。 tOSLH = | tPLHm - tPLHn | ， tOSHL = | tPHLm - tPHLn | 。
2. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC / 8 （每比特） 。 CPD用于确定空载
动态功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
噪声特性
（输入TR = TF = 3.0ns ， CL = 50pF的， VCC = 5.0V ）
TA = 25°C
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
VILD
安静输出最大动力VOL
安静的输出最低动态VOL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
参数
P
典型值
1.2
–1.2
最大
1.6
–1.6
2.0
0.8
单位
U I
V
V
V
V
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
3
摩托罗拉
QQ：2881677436 复制
