MC74VHCT573A
八D型锁存器
具有三态输出
该MC74VHCT573A是一种先进的高速CMOS八进制锁存器
具有三态输出的制造与硅栅CMOS技术。它
实现类似相当于双极肖特基高速运转
TTL ，同时保持CMOS低功耗。
这8位D型锁存器由一个锁存使能控制输入端和一个
输出使能输入。当输出使能输入为高时， 8
输出处于高阻抗状态。
该VHCT输入与TTL电平兼容。该器件可
用作电平转换器，用于连接3.3伏到5.0伏，因为它
有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。
该VHCT573A输入和输出结构（禁用时）
提供保护，当被施加0 V至5.5 V之间的电压，
与电源电压无关的。这些输入和输出结构
有助于防止因供给装置破坏
电压输入/输出电压不匹配，电池备份，热插入，
等等
特点
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记号
图表
20
VHCT573A
AWLYYWWG
1
1
SOIC20WB
后缀DW
CASE 751D
20
VHCT
573A
ALYWG
G
1
高速：吨
PD
= 7.7纳秒（典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 4
mA
（最大）在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
专为4.5 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 1.6 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能：
人体模型> 2000伏;
机器型号> 200 V
芯片的复杂性： 234场效应管或58.5等效门
无铅包可用*
1
TSSOP20
后缀DT
CASE 948E
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
功能表
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第4版
出版订单号：
MC74VHCT573A/D
MC74VHCT573A
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
LE
OE
2
3
4
5
6
7
8
9
11
1
19
18
17
16
15
14
13
12
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
LE
图1.逻辑图
图2.引脚分配
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压
直流输入电压
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
V
OUT
I
IK
直流输出电压
在三态输出
高电平或者低电平状态
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
20
±
20
±
25
±
75
500
450
输入二极管电流
mA
mA
mA
mA
I
OK
I
OUT
输出二极管电流（V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
)
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
SOIC封装
TSSOP封装
mW
_C
T
英镑
- 65至+ 150
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
直流电源电压
直流输入电压
参数
民
4.5
0
0
0
最大
5.5
5.5
单位
V
V
V
V
OUT
T
A
直流输出电压
在三态输出
高电平或者低电平状态
5.5
V
CC
工作温度
40
0
+ 85
20
_C
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
V
CC
=5.0V
±0.5V
NS / V
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2
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 （每锁存器） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
DC电气特性
符号
符号
t
OSLH
,
t
OSHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
I
OPD
I
CCT
V
OH
C
OUT
C
PD
V
OL
V
IH
I
CC
I
OZ
C
in
V
IL
I
in
功率耗散电容（注2 ）
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
最大输入电容
输出到输出偏斜
输出禁止时间，
OE为Q
输出使能时间，
OE为Q
最大传播延迟，
D到Q
最大传播延迟，
LE到Q
输出漏电流
静态电源电流
最大静态电源电流
最大三态泄漏电流
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
最大低电平输入电压
最低高电平输入电压
参数
参数
每输入： V
IN
= 3.4V
其他输入： V
CC
或GND
V
OUT
= 5.5V
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= 5.5 V或GND
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 50毫安
I
OH
= - 8毫安
I
OH
_ = 50毫安
测试条件
V
CC
= 5.5
±
0.5V
（注1 ）
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1KW
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1KW
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ，C
L
= 50 pF的，V
CC
= 5.0V)
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
最大低电平动态输入电压
最小高级别动态输入电压
安静的输出最低动态V
OL
静默输出最大动态V
OL
参数
MC74VHCT573A
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测试条件
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
4.5 5.5
4.5 5.5
0至5.5
V
CC
V
5.5
5.5
5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
0
3.94
民
民
4.4
2.0
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
典型值
典型值
8.8
6.3
7.1
5.1
5.9
7.7
8.5
0.0
4.5
6
4
±
0.25
±
0.1
10.9
11.9
12.3
13.3
最大
1.35
0.36
最大
11.2
1.0
8.5
9.5
0.5
4.0
0.1
0.8
10
25
1.2
典型值
1.2
T
A
= - 4085 ℃下
T
A
= - 4085 ℃下
T
A
= 25°C
3.80
民
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
4.4
2.0
1.6
最大
0.8
2.0
1.6
±
2.5
±
1.0
12.0
12.5
13.5
9.5
10.5
13.5
14.5
最大
1.50
40.0
0.44
最大
1.0
5.0
0.1
0.8
10
单位
单位
单位
mA
mA
mA
mA
mA
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
V
V
V
V
V
V
3
MC74VHCT573A
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
T
A
= 25°C
符号
t
瓦特（H）的
t
su
t
h
参数
最小脉冲宽度， LE
最小建立时间，D为LE
最小保持时间，D为LE
测试条件
V
CC
= 5.0
±0.5V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
典型值
极限
6.5
1.5
3.5
T
A
= - 4085 ℃下
极限
8.5
1.5
3.5
单位
ns
ns
ns
订购信息
设备
MC74VHCT573ADW
MC74VHCT573ADWG
MC74VHCT573ADWR2
MC74VHCT573ADWRG
MC74VHCT573ADT
MC74VHCT573ADTG
MC74VHCT573ADTR2
MC74VHCT573ADTRG
包
SOIC20WB
SOIC20WB
（无铅）
SOIC20WB
SOIC20WB
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
航运
38单位/铁
38单位/铁
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
t
w
D
t
PLH
Q
1.5V
1.5V
t
PHL
3V
GND
V
OH
V
OL
Q
1.5V
LE
1.5V
t
PLH
t
PHL
3V
GND
V
OH
V
OL
图3.开关波形
3V
OE
1.5V
t
PZL
Q
1.5V
t
PZH
Q
1.5V
t
PHZ
t
PLZ
GND
高
阻抗
V
OL
+0.3V
V
OH
0.3V
高
阻抗
LE
D
图4.开关波形
有效
1.5V
t
su
t
h
1.5V
3V
GND
3V
GND
图5.开关波形
图6.开关波形
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
