MC74VHCT541A
八路总线缓冲器
该MC74VHCT541A是一种先进的高速CMOS八进制总线
缓冲与制造硅栅CMOS技术。它实现了高
类似相当于双极肖特基TTL ，而高速运转
保持CMOS低功耗。
该MC74VHCT541A是同相，三态，缓冲/线路
驱动器/线接收。当任一OE1或OE2为高时，终端
输出处于高阻抗状态。
该VHCT输入与TTL电平兼容。该器件可
用作电平转换器，用于连接3.3伏到5.0伏，因为它
有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。
该VHCT541A输入和输出结构（禁用时）
提供保护，当被施加0 V至5.5 V之间的电压，
与电源电压无关的。这些输入和输出结构
有助于防止因供给装置破坏
电压输入/输出电压不匹配，电池备份，热插入，
等等
特点
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记号
图表
20
VHCT541A
AWLYYWWG
1
1
SOIC20WB
后缀DW
CASE 751D
高速：吨
PD
= 5.4纳秒（典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 4
mA
（最大）在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
专为4.5 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 1.6 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能：
人体模型> 2000伏;
机器型号> 200 V
芯片的复杂性： 134场效应管或33.5等效门
无铅包可用*
20
VHCT
541A
ALYWG
G
1
1
TSSOP20
后缀DT
CASE 948E
20
SOEIAJ20
使用后缀m
CASE 967
74VHCT541
AWLYWWG
1
1
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
功能表
输入
输出y
OE1
L
L
H
X
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
L
H
Z
Z
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
1
2006年1月 - 第4版
出版订单号：
MC74VHCT541A/D
MC74VHCT541A
A1
A2
A3
数据
输入
A4
A5
A6
A7
A8
产量
使
OE1
OE2
2
3
4
5
6
7
8
9
1
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y2
OE1
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
同相
输出
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE2
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
图2.引脚分配
19
图1.逻辑图
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压
直流输入电压
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
V
OUT
I
IK
直流输出电压
在三态输出
高电平或者低电平状态
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
20
±
20
±
25
±
75
500
450
输入二极管电流
mA
mA
mA
mA
I
OK
I
OUT
输出二极管电流（V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
)
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
SOIC封装
TSSOP封装
mW
_C
T
英镑
- 65至+ 150
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
最大额定值
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
参数
民
4.5
0
0
0
最大
5.5
5.5
单位
V
V
V
直流电源电压
直流输入电压
V
OUT
T
A
直流输出电压
在三态输出
高电平或者低电平状态
5.5
V
CC
工作温度
40
0
+ 85
20
_C
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
V
CC
=5.0V
±0.5V
NS / V
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2
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 （每比特） 。
PD
用于确定空载
动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
DC电气特性
符号
符号
t
OSLH
,
t
OSHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
I
OPD
I
CCT
V
OH
C
OUT
C
PD
V
OL
V
IH
I
CC
I
OZ
C
in
V
IL
I
in
功率耗散电容（注2 ）
最大三态输出电容
（输出处于高阻态）
最大输入电容
输出到输出偏斜
输出禁止时间，
OE为Y
输出使能时间，
OE为Y
最大传播延迟，
一个为Y
输出漏电流
静态电源电流
最大静态电源电流
最大三态泄漏电流
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
最大低电平输入电压
最低高电平输入电压
参数
参数
V
OUT
= 5.5V
每输入： V
IN
= 3.4V
其他输入： V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= 5.5 V或GND
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 50毫安
I
OH
= - 8毫安
I
OH
_ = 50毫安
测试条件
V
CC
= 5.0
±
0.5V
（注1 ）
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1KW
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1KW
V
CC
= 5.0
±
0.5V
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ，C
L
= 50pF的，V
CC
= 5.0V)
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
最大低电平动态输入电压
最小高级别动态输入电压
安静的输出最低动态V
OL
静默输出最大动态V
OL
参数
MC74VHCT541A
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测试条件
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
4.5 5.5
4.5 5.5
0至5.5
V
CC
V
5.5
5.5
5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
0
3.94
民
民
4.4
2.0
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
典型值
典型值
9.4
8.3
8.8
5.0
5.5
0.0
4.5
9
4
±
0.25
±
0.1
11.3
12.3
最大
1.35
0.36
最大
11.9
1.0
6.9
7.9
0.5
4.0
0.1
0.8
10
19
1.2
典型值
1.2
T
A
= - 4085 ℃下
T
A
= - 4085 ℃下
T
A
= 25°C
3.80
民
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
4.4
2.0
1.6
最大
0.8
2.0
1.6
±
2.5
±
1.0
13.5
13.0
14.0
最大
1.50
40.0
0.44
最大
1.0
8.0
9.0
5.0
0.1
0.8
10
单位
单位
单位
mA
mA
mA
mA
mA
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
V
V
V
V
V
V
V
3
MC74VHCT541A
订购信息
设备
MC74VHCT541ADW
MC74VHCT541ADWG
MC74VHCT541ADWR2
MC74VHCT541ADWRG
MC74VHCT541ADT
MC74VHCT541ADTG
MC74VHCT541ADTR2
MC74VHCT541ADTRG
MC74VHCT541AMEL
MC74VHCT541AMELG
包
SOIC20WB
SOIC20WB
（无铅）
SOIC20WB
SOIC20WB
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
38单位/铁
38单位/铁
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
3V
3V
t
PHL
1.5V
GND
V
OH
V
OL
Y
OE1或OE2
1.5V
t
PZL
Y
1.5V
t
PZH
1.5V
t
PHZ
t
PLZ
GND
高
阻抗
V
OL
+0.3V
V
OH
0.3V
高
阻抗
A
t
PLH
Y
1.5V
图3.开关波形
图4.开关波形
测试点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
设备
下
TEST
测试点
产量
1 KW
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL
.
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH
.
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图5.测试电路
图6.测试电路
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
