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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第10页 > MC74VHCT540ADW
摩托罗拉
半导体技术资料
八路总线缓冲器
反相
该MC74VHCT540A是一种先进的高速CMOS反相八
总线缓冲器制造与硅栅CMOS技术。它实现了高
同时保持类似相当于双极肖特基TTL高速运转
CMOS的低功耗。
在MC74VHCT540A设有上的相对侧的输入和输出
包和两个与-ED低有效输出使能。当任一OE1或
OE2都高,该终端输出处于高阻抗状态。
该VHCT输入与TTL电平兼容。这个装置可以用于
作为电平转换器,用于连接3.3V至5.0V ,由于它具有完整的5V CMOS
电平输出摆幅。
该VHCT540A输入和输出结构提供(禁用时)
当施加0V至5.5V之间的电压,而不管保护
电源电压。这些输入和输出结构有助于防止设备
破坏引起的电源电压 - 输入/输出电压失配,
电池备份,热插拔等。
内部电路由三个阶段,包括一个缓冲器输出
它提供了高抗噪性和稳定的输出。输入容忍
电压高达7V ,允许5V系统的接口, 3V的系统。
高速: tPD的= 3.7ns (典型值) ,在VCC = 5V
低功耗: ICC = 4μA (最大)在TA = 25℃
TTL兼容的输入: VIL = 0.8V ; VIH = 2.0V
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音: VOLP = 1.2V (最大)
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能: HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性: 124场效应管或31个等效门
逻辑图
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
产量
使
OE1
OE2
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
MC74VHCT540A
DW后缀
20引脚SOIC封装WIDE
CASE 751D -05
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCTXXXADW SOIC宽
MC74VHCTXXXADT
TSSOP
MC74VHCTXXXAM
EIAJ SOIC
引脚分配
OE1
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
OE2
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
数据
输入
反相
输出
GND
功能表
输入
输出y
OE1
L
L
H
X
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
H
L
Z
Z
4/99
摩托罗拉1999年公司
1
REV 0
*绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。
降额 - SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHCT540A
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
功率消耗在静止空气中,
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
75
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
S B升
符号
符号
ICCT
IOPD
VOH
VOL
ICC
VIH
VCC
VOUT
VIL
IIN
TR , TF
VIN
TA
输出漏电流
静态电源电流
最大静态电源
当前
最大输入漏
当前
最底层
输出电压
VIN = VIH或VIL
最小高级别
输出电压
VIN = VIH或VIL
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
P
参数
参数
VIN = VIH或VIL
IOH = - 50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = - 4毫安
IOH = - 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VIN = 5.5 V或GND
VOUT = 5.5V
输入: VIN = 3.4V
VIN = VCC或GND
T
试验C迪我
条件
在三态输出
高电平或者低电平状态
VCC = 5.0V
±0.5V
0至5.5
VCC
(V)
0.0
5.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
2
– 40
4.5
0
0
0
0
2.58
3.94
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
5.5
VCC
+ 85
最大
5.5
5.5
20
TA = 25°C
典型值
0.0
0.0
3.0
4.5
NS / V
单位
_
C
_
C
V
V
V
V
V
V
±
0.1
1.35
0.36
0.36
0.53
0.8
0.8
最大
0.5
2.0
0.1
0.1
2.48
3.80
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V CC) 。
未使用的输出必须悬空。
TA
85°C
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 第2版
±
1.0
1.50
0.44
0.44
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
20
5.0
v
2.34
3.66
TA
125°C
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
±
1.0
1.65
0.52
0.52
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
40
10
v
U I
单位
mA
A
A
V
V
V
V
A
MC74VHCT540A
AC电气特性
(输入TR = TF = 3.0ns )
TA = 25°C
典型值
4.8
7.3
3.7
5.2
6.8
9.3
4.7
6.2
TA = - 40
85°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
TA
125°C
符号
S B升
tPLH的,
的TPH1
参数
P
试验C迪我
条件
T
最大
最大
最大
单位
U I
ns
最大传播
延迟,A为Y
(图1和3)
VCC = 3.3
±
0.3V
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC = 3.3
±
0.3V
(注1 )
VCC - 5.0
±
0.5V
(注1 )
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
7.0
10.5
5.0
7.0
8.5
12.0
6.0
8.0
10.5
14.0
8.0
10.0
tpZL ,
tpZH
输出使能时间,
OEN为Y
(图2和4)
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
10.5
14.0
7.2
9.2
12.5
16.0
15.0
19.0
10.5
13.0
20.0
11.5
2.0
1.5
10
ns
8.5
10.5
tPLZ ,
tPHZ
输出禁止时间,
OEN为Y
(图2和4)
11.2
6.0
15.4
8.8
1.5
1.0
10
17.5
10.0
1.5
1.0
10
ns
tOSLH ,
tOSHL
输出到输出偏斜
ns
ns
CIN
最大输入
电容
4
6
pF
pF
COUT
最大的三态
输出电容(输出
处于高阻态)
典型的25°C , VCC = 5.0V
17
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容(N
i
(注2 )
2.)
pF
F
1.参数设计保证。 tOSLH = | tPLHm - tPLHn | , tOSHL = | tPHLm - tPHLn | 。
2. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到: ICC (OPR
)
= CPD

VCC

散热片+ ICC / 8 (每比特) 。 CPD用于确定空载
动态功耗; PD = CPD

VCC2

散热片+ ICC

VCC 。
噪声特性
(输入TR = TF = 3.0ns , CL = 50pF的, VCC = 5.0V )
TA = 25°C
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
VILD
安静输出最大动力VOL
安静的输出最低动态VOL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
参数
P
典型值
0.9
– 0.9
最大
1.2
– 1.2
3.5
1.5
单位
U I
V
V
V
V
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 第2版
3
摩托罗拉
MC74VHCT540A
开关波形
3.0V
3.0V
A
的TPH1
1.5V
VOL
Y
1.5V
阻抗
1.5V
GND
TPLH
VOH
Y
tPZH tPHZ
VOH -0.3V
Y
1.5V
VOL + 0.3V
OE1或OE2
1.5V
tPZL tPLZ
50%
GND
阻抗
图1 。
图2中。
测试电路
TEST
产量
设备
TEST
CL *
设备
TEST
产量
TEST
1k
接VCC WHEN
测试tPLZ与tPZL 。
连接到GND WHEN
测试tPHZ与tPZH 。
CL *
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
网络连接gure 3 。
图4中。
摩托罗拉
4
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 第2版
MC74VHCT540A
外形尺寸
DW后缀
塑料SOIC封装WIDE
CASE 751D -05
本期
D
A
11
X 45
_
q
注意事项:
1.尺寸以毫米为单位。
2. INTERPRET尺寸和公差
按照ASME Y14.5M , 1994年。
3.尺寸D和E不包括塑模
前伸。
4.最大模具PROTRUSION 0.15每边。
5.尺寸b不包括密封条
前伸。 ALLOWABLE突出应该
0.13合计超过B尺寸AT
最大的物质条件。
MILLIMETERS
最大
2.35
2.65
0.10
0.25
0.35
0.49
0.23
0.32
12.65
12.95
7.40
7.60
1.27 BSC
10.05
10.55
0.25
0.75
0.50
0.90
0
_
7
_
H
M
B
M
20
10X
0.25
E
1
10
h
20X
B
0.25
M
B
T A
S
B
S
A
座位
飞机
暗淡
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
L
18X
e
A1
q
T
C
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 第2版
5
摩托罗拉
MC74VHCT540A
八路总线缓冲器
反相
该MC74VHCT540A是一种先进的高速CMOS反相
八路总线缓冲器与制造硅栅CMOS技术。它
实现类似相当于双极肖特基高速运转
TTL ,同时保持CMOS低功耗。
在MC74VHCT540A功能上相对输入和输出
包和两个与-ED低有效输出使两侧。
当任一OE1或OE2高,终端输出的
高阻抗状态。
该VHCT输入与TTL电平兼容。该器件可
用作电平转换器,用于连接3.3伏到5.0伏,因为它
有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。
该VHCT540A输入和输出结构(禁用时)
提供保护,当被施加0 V至5.5 V之间的电压,
与电源电压无关的。这些输入和输出结构
有助于防止因电源电压的设备破坏
输入/输出电压不匹配,电池备份,热插入,等等。
内部电路由三个阶段,包括一个缓冲
输出,提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7.0 V,允许5.0 V接口
系统以3.0 V系统。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
20
1
SOIC
DW后缀
CASE 751D
VHCT540A
AWLYYWW
20
1
TSSOP
DT后缀
CASE 948E
VHCT
540A
ALYW
w
高速:吨
PD
= 3.7纳秒(典型值),在V
CC
= 5.0 V
低功耗:我
CC
= 4.0
μA
(最大)在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入: V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2.0 V至5.5 V工作范围
低噪音: V
OLP
= 1.2 V(最大值)
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能: HBM > 2000伏;机器型号> 200 V
芯片的复杂性: 124场效应管或31个等效门
这些器件采用无铅封装( S)提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站:
www.onsemi.com具体无铅订购的部件编号,或接触
当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
20
1
EIAJ SOIC
M后缀
CASE 967
74VHCT540
AWLYWW
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
功能表
输入
OE1
L
L
H
X
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
输出y
H
L
Z
Z
订购信息
设备
MC74VHCT540ADW
MC74VHCT540ADT
MC74VHCT540AM
SOIC
TSSOP
SOIC
航运
38单位/铁
75单位/铁
50单位/铁
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年3月,
第4版
1
出版订单号:
MC74VHCT540A/D
MC74VHCT540A
A1
A2
A3
数据
输入
A4
A5
A6
A7
A8
产量
使
OE1
OE2
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y2
OE1
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
反相
输出
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE2
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
图1.逻辑图
图2.引脚分配
http://onsemi.com
2
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
2.降额
SOIC封装: - 7.0毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装:
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
最大额定值
(注1 )
符号
V
CC
V
OUT
T
英镑
I
OK
I
CC
I
OUT
V
in
P
D
I
IK
储存温度
在静止空气中的功率耗散(注2 )
SOIC封装
TSSOP封装
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
DC电气特性
推荐工作条件
符号
符号
I
OPD
I
CCT
V
OH
V
OL
V
IH
I
CC
V
IL
V
CC
V
OUT
I
IN
t
r
, t
f
V
in
T
A
最小高电平输出
电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
最低高电平输入
电压
输出漏电流
静态电源电流
最大静态电源
当前
最大输入漏
当前
最大低电平输出
电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
最大低电平输入
电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
V
in
= 5.5 V或
GND
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
V
OUT
= 5.5 V
输入: V
IN
= 3.4 V
V
in
= V
CC
或GND
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
μA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
4.0毫安
I
OH
=
8.0毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
50
μA
测试条件
V
CC
= 5.0 V
±0.5
V
在三态输出
高电平或者低电平状态
参数
MC74VHCT540A
http://onsemi.com
0至5.5
V
CC
(V)
0.0
5.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
2.58
3.94
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
3
T
A
= 25°C
典型值
0.0
0.0
3.0
4.5
1.35
±0.1
0.36
0.36
0.53
0.8
0.8
最大
2.0
0.1
0.1
0.5
2.48
3.80
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
T
A
85°C
1.50
±1.0
0.44
0.44
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
20
5.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
55
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
4.5
0
0
0
0
价值
±
75
±
25
±
20
20
500
450
2.34
3.66
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
T
A
125°C
最大
5.5
V
CC
125
5.5
5.5
20
1.65
±1.0
0.52
0.52
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
40
10
NS / V
单位
单位
mW
mA
mA
mA
mA
_C
_C
单位
V
V
V
V
V
V
mA
μA
μA
V
V
V
V
μA
MC74VHCT540A
AC电气特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒)
T
A
= 25°C
典型值
4.8
7.3
3.7
5.2
6.8
9.3
4.7
6.2
T
A
=
40
85°C
T
A
125°C
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
测试条件
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
最大
单位
ns
最大传播
延迟,A为Y
(图1和3)
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
R
L
= 1.0 kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
R
L
= 1.0 kΩ
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 50 pF的
R
L
= 1.0 kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 50 pF的
R
L
= 1.0 kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 50 pF的
(注3)
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 50 pF的
(注3)
7.0
10.5
5.0
7.0
8.5
12.0
6.0
8.0
10.5
14.0
8.0
10.0
15.0
19.0
10.5
13.0
20.0
11.5
2.0
1.5
10
t
PZL
,
t
PZH
输出使能时间,
OEN为Y
(图2和4)
10.5
14.0
7.2
9.2
12.5
16.0
ns
8.5
10.5
17.5
10.0
1.5
1.0
10
t
PLZ
,
t
PHZ
输出禁止时间,
OEN为Y
(图2和4)
11.2
6.0
15.4
8.8
1.5
1.0
10
ns
t
OSLH
,
t
OSHL
输出到输出偏斜
ns
ns
C
in
最大输入
电容
4.0
6.0
pF
pF
C
OUT
最大的三态
输出电容(输出
处于高阻态)
典型的25°C ,V
CC
= 5.0V
17
C
PD
功率耗散电容(注4 )
pF
3.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
4. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到:我
CC ( OPR
)
= C
PD

V
CC

f
in
+ I
CC
/ 8 (每比特) 。
PD
用于确定空载
动态功耗; P
D
= C
PD

V
CC2

f
in
+ I
CC

V
CC
.
噪声特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒,C
L
= 50 pF的,V
CC
= 5.0 V)
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
参数
典型值
0.9
0.9
最大
1.2
1.2
3.5
1.5
单位
V
V
V
V
http://onsemi.com
4
MC74VHCT540A
3.0V
3.0V
A
t
PH
L
OE1或OE2
1.5V
t
PZL
t
PLZ
50%
GND
阻抗
V
OL
+0.3V
t
PZH
t
PHZ
V
OH
0.3V
阻抗
1.5V
t
PLH
1.5V
V
OL
Y
GND
V
OH
Y
1.5V
Y
1.5V
图3.开关波形
图4.开关波形
TEST
产量
设备
TEST
C
L
*
设备
TEST
产量
TEST
1kΩ
C
L
*
连接到V
CC
测试吨
PLZ
和T
PZL
.
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH
.
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图5.测试电路
图6.测试电路
http://onsemi.com
5
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