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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1156页 > MC74VHCT245ADT
MC74AC157 , MC74ACT157
四2输入多路复用器
该MC74AC157 / 74ACT157是一个高速四2输入
多路复用器。四个位来自两个源的数据可以使用选
常见的选择和使能输入。四个输出呈现
在真正的(反)形式选择的数据。
该MC74AC157 / 74ACT157也可以用作函数
发电机。
特点
http://onsemi.com
输出源/汇24毫安
ACT157与TTL兼容输入
无铅包可用*
V
CC
16
E
15
I
0c
14
I
1c
13
Z
c
12
I
0d
11
I
1d
10
Z
d
9
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
16
1
1
S
2
I
0a
3
I
1a
4
Z
a
5
I
0b
6
I
1b
7
Z
b
8
GND
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
图1.引脚: 16引脚封装导线
( TOP VIEW )
真值表
输入
E
H
L
L
L
L
S
X
H
H
L
L
I
0
X
X
X
L
H
I
1
X
L
H
X
X
输出
Z
L
L
H
L
H
EIAJ16
M后缀
CASE 966
引脚名称
I
0a
I
0d
I
1a
I
1d
E
S
Z
a
Z
d
功能
来源0数据输入
来源0数据输入
使能输入
选择输入
输出
H =高电压等级
L =低电压等级
X =非物质
器件标识信息
查看该设备一般标识信息标识
节本数据手册的第3页。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年1月 - 修订版6
出版订单号:
MC74AC157/D
MC74AC157 , MC74ACT157
E I
0a
I
1a
I
0b
I
1b
I
0c
I
1c
I
0d
I
1d
S
Z
a
Z
b
Z
c
Z
d
图2.逻辑符号
功能说明
该MC74AC157 / 74ACT157是一款四2输入
多路复用器。它选择4位数据的两个来源
下一个共同的选择输入端( S)的控制。启用
输入( E)为低电平有效。当E为高电平时,所有的输出
(Z ),而与所有其他输入被拉低。该
MC74AC157 / 74ACT157是逻辑实现的
4极, 2位开关,其中所述开关的位置
被供给到选择输入的逻辑电平来确定。
的逻辑方程的输出如下所示:
Z
a
= E
(I
1a
S +我
0a
S)
Z
b
= E
(I
1b
S +我
0b
S)
Z
c
= E
(I
1c
S +我
0c
S)
Z
d
= E
(I
1d
S +我
0d
S)
一个常见用途MC74AC157的/ 74ACT157是
从两组寄存器的移动数据的四个共同
输出总线。的特定寄存器从该数据
自带由选择输入的状态来确定。一个不太
明显的用途是作为函数发生器。该
MC74AC157 / 74ACT157可以产生的任何4
16不同的两个变量与一个函数
可变常见。这是用于实现门控有用
功能。
I
0a
I
1a
I
0b
I
1b
I
0c
I
1c
I
0d
I
1d
E
S
Z
a
注意:
Z
b
Z
c
Z
d
此图仅是逻辑的理解提供
操作和不应该被用来估计的传播延迟。
图3.逻辑图
http://onsemi.com
2
MC74AC157 , MC74ACT157
标记DIAGRAMS
PDIP16
MC74AC157N
AWLYYWW
SOIC16
AC157
AWLYWW
TSSOP16
EIAJ16
AC
157
ALYW
74AC157
ALYW
MC74ACT157N
AWLYYWW
ACT157
AWLYWW
法案
157
ALYW
74ACT157
ALYW
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
T
英镑
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
DC输出吸入/源出电流,每个引脚
DC V
CC
或接地电流每路输出引脚
储存温度
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±50
±50
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
电源电压
直流输入电压,输出电压(参考到GND)
V
CC
@ 3.0 V
t
r
, t
f
输入上升和下降时间(注1 )
I
牛逼RI
D F LL钛
(N吨
“ AC
除施密特输入设备
AC
EXCE吨
在UTS
V
CC
@ 4.5 V
V
CC
@ 5.5 V
t
r
, t
f
T
J
T
A
I
OH
I
OL
在UT
输入上升和下降时间(注2 )
“ ACT
除施密特输入设备
结温( PDIP )
工作环境温度范围
输出电流 - 高
输出电流 - 低
V
CC
@ 4.5 V
V
CC
@ 5.5 V
参数
“ AC
“ ACT
2.0
4.5
0
40
典型值
5.0
5.0
150
40
25
10
8.0
25
最大
6.0
5.5
V
CC
140
85
24
24
NS / V
°C
°C
mA
mA
NS / V
V
V
单位
1. V
IN
从30%到70 %的V
CC
;看到各个数据表的不同于典型的输入上升和下降时间的设备。
2. V
IN
从0.8 V至2.0 V ;看到各个数据表的不同于典型的输入上升和下降时间的设备。
http://onsemi.com
3
MC74AC157 , MC74ACT157
DC特性
74AC
符号
参数
V
CC
(V)
T
A
= +25°C
典型值
V
IH
最低高层
u
克E E
输入电压
最大低电平
a
u
o
e e
输入电压
最低高层
u
克E E
输出电压
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
V
OL
最大低电平
a
u
o
e e
输出电压
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
I
IN
I
I
OHD
I
CC
最大输入
a
u
u
漏电流
最小动态
y
输出电流
最大静态
a
ü曲esce
电源电流
5.5
55
5.5
5.5
55
5.5
1.5
2.25
2.75
1.5
2.25
2.75
2.99
4.49
5.49
0.002
0.001
0.001
74AC
T
A
=
-40 ° C至
+85°C
单位
条件
保证限制
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.56
3.86
4.86
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.36
±0.1
±0
1
80
8.0
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.46
3.76
4.76
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
0.44
±1.0
±1
0
75
75
80
V
V
OUT
= 0.1 V
或V
CC
0.1 V
V
OUT
= 0.1 V
或V
CC
0.1 V
I
OUT
= 50
mA
V
*V
IN
= V
IL
或V
IH
= 12毫安
I
OH
= 24毫安
= 24毫安
I
OUT
= 50
mA
V
*V
IN
= V
IL
或V
IH
12毫安
I
OL
24毫安
24毫安
V
I
= V
CC
, GND
V
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V分钟
V
IN
= V
CC
或GND
V
IL
V
V
OH
V
V
mA
mA
mA
mA
*所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
最大测试时间为2.0 ms ,一个输出一次加载。
注:我
IN
CC
@ 3.0V,保证是小于或等于各自的极限@ 5.5 VV
CC
.
AC特性
(对于图和波形 - 参见安森美半导体事实数据簿, DL138 / D的第3节)
74AC
符号
参数
V
CC
*
(V)
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
传播延迟
AGA
ê AY
S到
n
临agation
传播延迟
S到
n
传播延迟
临agation
到Z
n
临agation
传播延迟
E
n
到Z
n
临agation
传播延迟
I
n
到Z
n
临agation
传播延迟
I
n
到Z
n
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
T
A
= +25°C
C
L
= 50 pF的
典型值
7.0
5.5
6.5
5.0
7.0
5.5
6.5
5.5
5.0
4.0
5.0
4.0
最大
11.5
9.0
11.0
8.5
11.5
9.0
11.0
9.0
8.5
6.5
8.0
6.5
74AC
T
A
= 40°C
至+ 85°C
C
L
= 50 pF的
1.5
1.5
1.5
1.0
1.5
1.5
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
13.0
10.0
12.0
9.5
13.0
10.0
12
9.5
9.0
7.0
9.0
7.0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
36
36
36
36
35
35
单位
图。
*电压范围3.3 V是3.3 V
±0.3
V.
*电压范围5.0 V是5.0 V
±0.5
V.
http://onsemi.com
4
MC74AC157 , MC74ACT157
DC特性
74ACT
符号
参数
V
CC
(V)
T
A
= +25°C
典型值
V
IH
V
IL
V
OH
最低高层
u
克E E
输入电压
最大低电平
a
u
o
e e
输入电压
最低高层
u
克E E
输出电压
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
V
OL
最大低电平
a
u
o
e e
输出电压
4.5
5.5
4.5
5.5
I
IN
DI
CCT
I
I
OHD
I
CC
最大输入
a
u
u
漏电流
其他最大我
CC
/输入
最小动态
输出C
吨吨电流
t
最大静态
a
ü曲esce
电源电流
5.5
55
5.5
5.5
5.5
5.5
55
1.5
1.5
1.5
1.5
4.49
5.49
0.001
0.001
0.6
74ACT
T
A
=
-40 ° C至
+85°C
单位
条件
保证限制
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.86
4.86
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
±0
1
8.0
80
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.76
4.76
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
±1
0
1.5
75
75
80
V
V
V
V
OUT
= 0.1 V
或V
CC
0.1 V
V
OUT
= 0.1 V
或V
CC
0.1 V
I
OUT
= 50
mA
*V
IN
= V
IL
或V
IH
= 24毫安
I
OH
= 24毫安
I
OUT
= 50
mA
*V
IN
= V
IL
或V
IH
24毫安
I
OL
24毫安
V
I
= V
CC
, GND
V
I
= V
CC
2.1 V
V
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V分钟
V
IN
= V
CC
或GND
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
*所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
最大测试时间为2.0 ms ,一个输出一次加载。
AC特性
(对于图和波形 - 参见安森美半导体事实数据簿, DL138 / D的第3节)
74ACT
符号
参数
V
CC
*
(V)
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
传播延迟
临agation
S到
n
临agation
传播延迟
S到
n
临agation
传播延迟
E
n
到Z
n
临agation
传播延迟
E
n
到Z
n
临agation
传播延迟
I
n
到Z
n
传播延迟
临agation
I
n
到Z
n
50
5.0
5.0
50
5.0
50
5.0
50
5.0
50
50
5.0
20
2.0
2.0
20
1.5
15
1.5
15
1.5
15
15
1.5
T
A
= +25°C
C
L
= 50 pF的
典型值
最大
90
9.0
9.5
95
10
8.5
85
7.0
70
75
7.5
74ACT
T
A
= 40°C
至+ 85°C
C
L
= 50 pF的
15
1.5
2.0
20
1.5
15
1.0
10
1.0
10
10
1.0
最大
10 0
10.0
10.5
10 5
11.5
11 5
9.0
90
8.5
85
85
8.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
36
36
36
36
35
35
单位
图。
*电压范围5.0 V是5.0 V
±0.5
V.
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
八路总线收发器
该MC74VHCT245A是一种先进的高速CMOS八进制总线
收发器制造与硅栅CMOS技术。它实现了高
同时保持类似相当于双极肖特基TTL高速运转
CMOS的低功耗。
它的目的是为数据之间的双向异步通信
巴士。数据传输的方向是由所述优先级确定
DIR输入。输出使能引脚(OE)可以用于禁用该设备,所以
该公交车被有效隔离。
所有的输入都配有防止静电放电保护电路。
该VHCT输入与TTL电平兼容。这个装置可以用于
作为电平转换器,用于连接3.3V至5.0V ,由于它具有完整的5V CMOS
电平输出摆幅。
该VHCT245A输入和输出结构提供(禁用时)
当施加0V至5.5V之间的电压,而不管保护
电源电压。这些输入和输出结构有助于防止设备
破坏引起的电源电压 - 输入/输出电压失配,
电池备份,热插拔等。
高速: tPD的= 4.9ns (典型值) ,在VCC = 5V
低功耗: ICC = 4μA (最大)在TA = 25℃
TTL兼容的输入: VIL = 0.8V ; VIH = 2.0V
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
专为4.5V至5.5V工作电压范围
低噪音: VOLP = 1.6V (最大)
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能: HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性: 304场效应管或76个等效门
MC74VHCT245A
DW后缀
20引脚SOIC封装
CASE 751D -04
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCTXXXADW
SOIC
MC74VHCTXXXADT
TSSOP
MC74VHCTXXXAM
EIAJ SOIC
应用笔记
1.不要强迫一个信号,一个I / O引脚,当它是一个主动的输出,可能损坏
发生。
2.所有浮动(高阻抗)输入或I / O引脚都必须固定方式
上拉或下拉电阻或总线终结器集成电路。
逻辑图
A1
A2
A3
A
数据
PORT
A4
A5
A6
A7
A8
DIR
OE
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B
数据
PORT
引脚分配
DIR
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
OE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
功能表
控制输入
OE
L
L
H
DIR
L
H
X
手术
的Tx数据从总线B到总线A
的Tx数据从总线A至总线B
公交车隔离(高阻态)
6/97
摩托罗拉1997年公司
1
REV 0
TSTG
储存温度
- 65至+ 150
_
C
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的指示可能不利地
影响器件的可靠性。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHCT245A
最大额定值*
VCC
VI / O
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
功率消耗在静止空气中,
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
输出二极管电流( VOUT < GND , VOUT > VCC )
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
在三态输出
高电平或者低电平状态
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
– 20
±
75
±
25
±
20
500
450
mW
mA
mA
mA
mA
V
V
V
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
符号
S B升
VCC
IOPD
VI / O
ICCT
VOH
TR , TF
VOL
VIN
ICC
IOZ
VIH
TA
VIL
IIN
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
输出漏
当前
静态电源
当前
最大静态
电源电流
最大的三态
漏电流
最大输入
漏电流
最底层
输出电压
VIN = VIH或VIL
最小高级别
输出电压
VIN = VIH或VIL
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
参数
P
参数
VOUT = 5.5V
每输入: VIN = 3.4V
其他输入: VCC或GND
VIN = VCC或GND
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = 5.5 V或GND
试验C迪我
T
条件
在三态输出
高电平或者低电平状态
VCC = 5.0V
±0.5V
IOH = - 50μA
IOH = - 8毫安
IOL = 50μA
IOL = 8毫安
0至5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
VCC
V
2
5.5
5.5
5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
0
– 40
4.5
0
0
0
0
5.5
VCC
+ 85
最大
3.94
5.5
5.5
4.4
2.0
20
NS / V
单位
TA = 25°C
_
C
V
V
V
典型值
0.0
4.5
±
0.25
±
0.1
1.35
0.36
最大
0.5
4.0
0.1
0.8
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V CC) 。
未使用的输出必须悬空。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
TA = - 40 85°C
3.80
4.4
2.0
v
±
2.5
±
1.0
1.50
40.0
0.44
最大
0.1
0.8
5.0
v
单位
U I
mA
A
A
A
V
V
V
V
A
MC74VHCT245A
AC电气特性
(输入TR = TF = 3.0ns )
符号
S B升
tPLH的,
的TPH1
tpZL ,
tpZH
tPLZ ,
tPHZ
参数
P
TA = 25°C
典型值
4.9
5.4
9.4
9.9
TA = - 40 85°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
8.5
9.5
试验C迪我
T
条件
最大
7.7
8.7
单位
U I
ns
ns
ns
最大传播延迟
A到B或B到A
输出使能时间
OE为A或B
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
(注NO TAG )
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
13.8
14.8
15.4
1.0
10
15.0
16.0
16.5
1.0
10
输出禁止时间
OE为A或B
10.1
tOSLH ,
tOSHL
CIN
输出到输出偏斜
pF
pF
pF
最大输入电容
4
COUT
最大三态输出
电容(在输出
高阻态)
13
典型的25°C , VCC = 5.0V
16
CPD
功耗
P
迪I I电容(N
i
(注NO TAG )
pF
F
1.参数设计保证。 tOSLH = | tPLHm - tPLHn | , tOSHL = | tPHLm - tPHLn | 。
2. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到: ICC (OPR
)
= CPD

VCC

散热片+ ICC / 8 (每比特) 。 CPD用于确定空载
动态功耗; PD = CPD

VCC2

散热片+ ICC

VCC 。
噪声特性
(输入TR = TF = 3.0ns , CL = 50pF的, VCC = 5.0V )
TA = 25°C
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
VILD
安静输出最大动力VOL
安静的输出最低动态VOL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
参数
P
典型值
1.2
–1.2
最大
1.6
–1.6
2.0
0.8
单位
U I
V
V
V
V
开关波形
3V
DIR
1.5V
GND
3V
3V
A或B
TPLH
B或A
1.5V
1.5V
GND
的TPH1
VOH
VOL
A或B
A或B
OE
1.5V
tPZL
1.5V
tpZH
1.5V
tPHZ
tPLZ
1.5V
GND
阻抗
VOL + 0.3V
VOH -0.3V
阻抗
图1 。
图2中。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
3
摩托罗拉
MC74VHCT245A
测试电路
测试点
产量
设备
TEST
设备
TEST
测试点
产量
1 k
接VCC WHEN
测试tPLZ与tPZL 。
连接到GND WHEN
测试tPHZ与tPZH 。
CL *
CL *
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
网络连接gure 3 。
膨胀逻辑图
图4中。
A1
2
18
3
17
4
16
5
15
6
14
7
13
8
12
9
11
B8
B7
B6
B5
B4
B3
B2
B1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
DIR
1
OE
19
摩托罗拉
4
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
MC74VHCT245A
外形尺寸
DW后缀
塑料SOIC封装
CASE 751D -04
问题E
–A–
20
11
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.150
( 0.006 ),每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出0.13
( 0.005 )总计超过D尺寸
在最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
12.65
12.95
7.40
7.60
2.35
2.65
0.35
0.49
0.50
0.90
1.27 BSC
0.25
0.32
0.10
0.25
0
_
7
_
10.05
10.55
0.25
0.75
英寸
最大
0.499
0.510
0.292
0.299
0.093
0.104
0.014
0.019
0.020
0.035
0.050 BSC
0.010
0.012
0.004
0.009
0
_
7
_
0.395
0.415
0.010
0.029
–B–
1
10
10X
P
0.010 (0.25)
M
B
M
20X
D
M
0.010 (0.25)
T A
S
B
J
S
F
R
X 45
_
C
–T–
18X
座位
飞机
G
K
M
DT后缀
塑料TSSOP封装
CASE 948E -02
发出
20X
K
REF
M
0.15 ( 0.006 )T ü
S
0.10 (0.004)
ü
S
V
S
K
K1
2X
L/2
L
销1
IDENT
1
10
B
–U–
J J1
N
0.15 ( 0.006 )T ü
S
A
–V–
N
F
C
D
0.100 (0.004)
–T–
座位
飞机
G
H
DETAIL ê
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
5
第N-N
M
DETAIL ê
20
11
0.25 (0.010)
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3,维A不包括毛边,
突出或毛刺。毛边
或毛刺不会超过0.15
( 0.006 ),每边。
4.尺寸b不包括引脚间
FLASH或突出。间的薄膜或
突出应该不超过0.25 ( 0.010 )
每边。
5.尺寸k不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该是0.08 ( 0.003 )的总
超过维最大的
物质条件。
6.端子数列
仅供参考。
7,维A和B是待确定
AT基准面-W- 。
MILLIMETERS
最大
6.40
6.60
4.30
4.50
–––
1.20
0.05
0.15
0.50
0.75
0.65 BSC
0.27
0.37
0.09
0.20
0.09
0.16
0.19
0.30
0.19
0.25
6.40 BSC
0
_
8
_
英寸
最大
0.252
0.260
0.169
0.177
–––
0.047
0.002
0.006
0.020
0.030
0.026 BSC
0.011
0.015
0.004
0.008
0.004
0.006
0.007
0.012
0.007
0.010
0.252 BSC
0
_
8
_
–W–
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
J1
K
K1
L
M
摩托罗拉
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