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MC74VHCT157A
四路2通道多路复用器
该MC74VHCT157A是一种先进的高速CMOS四
2通道多路复用器制造与硅栅CMOS技术。
它实现了类似相当于双极高速操作
肖特基TTL ,同时保持CMOS低功耗。
它由四个两输入数字多路复用器与共用的选择
( S)和启用( E)的投入。当E为High ,选择数据是
抑制和所有的输出变为低电平。
选择解码决定了A或B输入端是否被路由
到相应的Y输出。
该VHCT输入与TTL电平兼容。该器件可
用作电平转换器,用于连接3.3伏至5.0 V,因为它
有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。
该VHCT157A输入结构时提供保护电压
在0 V和5.5 V适用,不论电源电压。
输出结构还当V提供保护
CC
= 0 V.这些
输入和输出结构有助于防止因设备损坏
电源电压输入/输出电压不匹配,电池备份,热
插入等。
输入耐受电压高达7.0 V,允许接口
5.0 V系统, 3.0 V系统。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
1
VHCT157AG
AWLYWW
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
1
VHCT
157A
ALYWG
G
高速:吨
PD
= 4.1纳秒(典型值),在V
CC
= 5.0 V
低功耗:我
CC
= 4
mA
(最大)在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入: V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
专为2.0 V至5.5 V工作范围
低噪音: V
OLP
= 0.8 V(最大值)
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能:
人体模型> 2000伏;
机器型号> 200 V
芯片的复杂性: 82场效应管或20个等效门
无铅包可用*
16
SOEIAJ16
M后缀
CASE 966
1
1
74VHCT157
ALYWG
A
=大会地点
WL ,L
=晶圆地段
Y
=年
WW ,W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
功能表
输入
E
H
L
L
S
X
L
H
输出
Y0 Y3
L
A0 A3
B0 B3
A0 - A3 , B0 - B3 =的水平
各个数据字的输入。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年12月 - 第2版
出版订单号:
MC74VHCT157A/D
MC74VHCT157A
S
A0
B0
Y0
A1
B1
Y1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
E
A3
B3
Y3
A2
B2
Y2
图1.引脚分配
A0
B0
A1
B1
A2
B2
A3
B3
E
S
2
3
5
6
11
10
14
13
15
1
12 Y3
9 Y2
7
Y1
数据
输出
4
Y0
轻咬
输入
图2.扩展逻辑图
E
S
A0
B0
A1
B1
A2
B2
A3
B3
15
1
2
3
5
6
11
10
14
13
EN
G1
1
1
MUX
4
7
9
12
Y0
Y1
Y2
Y3
该器件包含保护电路,
警惕损害,由于高静
电压或电场。然而,预
注意事项必须要注意避免应用
超过最大额定更高的任何电压
电压为这个高阻抗电路。为
正确的操作,V
in
和V
OUT
约束的范围内GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个
适当的逻辑电平(例如,任一
GND或V
CC
) 。未使用的输出必须保持
开。
图3. IEC逻辑符号
http://onsemi.com
2
MC74VHCT157A
最大额定值
(注1 )
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
V
ESD
正直流电源电压
数字输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
ESD耐压
人体模型(注2 )
机器模型(注3 )
带电器件模型(注4 )
上述V
CC
及以下GND在125 ° C(注5 )
SOIC封装
TSSOP
SOIC封装
TSSOP
输出三态
高电平或者低电平状态
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
20
$20
$25
$75
200
180
-65到+150
>2000
>200
>2000
$300
143
164
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
V
I
闭锁
q
JA
闭锁性能
mA
° C / W
热阻,结到环境
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应被限制到
推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围,所有封装类型
输入信号上升和下降时间
V
CC
= 5.0 V + 0.5 V
输出三态
高电平或者低电平状态
特征
4.5
0
0
55
0
最大
5.5
5.5
V
CC
125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温随时间的变化TO
0.1%的接合故障
归一化故障率
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间,时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间,岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 130
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 110
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间,岁月
TJ = 90
°
C
1
1
10
1000
图4.故障率与时间的结温
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3
MC74VHCT157A
DC特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最大高电平输出
电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -8毫安
V
OL
最大低电平输出
电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 8毫安
I
IN
I
CC
I
CCT
输入漏电流
最大静态电源
当前
额外的静态电源
电流(每针)
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
任何一个输入:
V
IN
= 3.4 V
所有其它输入:
V
IN
= V
CC
或GND
V
OUT
= 5.5 V
条件
(V)
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
0至5.5
5.5
5.5
4.4
3.94
0.0
0.1
0.36
±0.1
4.0
1.35
4.5
2
0.8
T
A
= 25°C
典型值
最大
T
A
85°C
2
最大
0.8
0.8
55°C
T
A
125°C
2
0.8
最大
单位
V
V
V
4.4
3.8
0.1
0.44
±1.0
40.0
1.5
4.4
3.66
V
0.1
0.52
±1.0
40.0
1.5
mA
mA
mA
I
OPD
输出漏电流
0
0.5
5
5
mA
AC电气特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0ns )
T
A
= 25°C
典型值
5.6
8.0
4.1
5.6
6.1
8.5
5.3
6.8
6.1
8.5
5.6
7.1
4
T
A
=
85°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
7.7
11.0
7.5
9.5
55°C
T
A
125°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
7.7
11.0
7.5
9.5
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
测试条件
最大
单位
ns
最大传播延迟;
A到B为Y
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
7.0
10.0
6.4
8.4
t
PLH
,
t
PHL
最大传播延迟;
S到
7.5
10.5
8.1
10.1
7.5
10.5
8.6
10.6
10
8.2
11.5
9.5
11.5
8.2
11.5
8.2
11.5
9.5
11.5
8.2
11.5
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传播延迟;
为Y
ns
10.0
12.0
10
10.0
12.0
10
C
IN
最大输入电容
pF
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
20
C
PD
功率耗散电容(注6 )
pF
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到:我
CC ( OPR
)
= C
PD

V
CC

f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD

V
CC2

f
in
+ I
CC

V
CC
.
噪声特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ,C
L
= 50pF的,V
CC
= 5.0 V)
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
特征
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
典型值
0.3
0.3
最大
0.8
0.8
2.0
0.8
单位
V
V
V
V
http://onsemi.com
4
MC74VHCT157A
V
CC
A,B或S
50%
t
PLH
Y
50% V
CC
t
PHL
GND
A,B或S
50%
t
PLH
Y
50% V
CC
t
PHL
V
CC
GND
图5.开关波形
图6.反向交换
测试点
产量
设备
TEST
C
L
*
输入
*包括所有探测和夹具电容
图7.测试电路
图8.输入等效电路
订购信息
设备
MC74VHCT157AD
MC74VHCT157ADG
MC74VHCT157ADR2
MC74VHCT157ADR2G
MC74VHCT157ADT
MC74VHCT157ADTG
MC74VHCT157ADTR2
M74VHCT157ADTR2G
MC74VHCT157AM
MC74VHCT157AMG
MC74VHCT157AMEL
MC74VHCT157AMELG
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
TSSOP16*
TSSOP16*
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
航运
48单位/铁
48单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
96单位/铁
96单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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5
MC74VHCT157A
四路2通道多路复用器
该MC74VHCT157A是一种先进的高速CMOS四
2通道多路复用器制造与硅栅CMOS技术。它
实现类似相当于双极肖特基高速运转
TTL ,同时保持CMOS低功耗。
它由四个两输入数字多路复用器与共用的选择(S)
并启用( E)的投入。当E为High ,选择数据受到抑制
和所有的输出变为低电平。
选择解码决定了A或B输入端是否被路由到
对应的Y输出。
该VHCT输入与TTL电平兼容。这个装置可以是
用作电平转换器,用于连接3.3伏至5.0 V的,因为它具有充分
5 V CMOS电平输出摆幅。
该VHCT157A输入结构时提供保护电压
在0 V和5.5 V适用,不论电源电压。该
输出结构还当V提供保护
CC
= 0 V.这些输入和
输出结构有助于防止因供给装置破坏
电压输入/输出电压不匹配,电池备份,热插入,等等。
输入耐受电压高达7 V ,允许5 V接口
系统3 V系统。
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标记DIAGRAMS
16
SO–16
后缀
CASE 751B
VHCT157A
AWLYWW
1
8
9
16
9
VHCT157A
ALYW
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
高速:吨
PD
= 4.1ns (典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 4μA (最大)在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入: V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
专为2 V至5.5 V工作范围
低噪音: V
OLP
= 0.8 V(最大值)
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能: HBM > 2000伏;机器型号> 200 V
芯片的复杂性: 82场效应管或20个等效门
1
8
16
9
EIAJ SO- 16
M后缀
CASE 966
A
L, WL
Y
W, WW
=
=
=
=
VHCT157A
ALYW
1
8
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
订购信息
设备
MC74VHCT157AD
MC74VHCT157ADR2
MC74VHCT157ADT
SO–16
SO–16
TSSOP–16
航运
48单位/铁
2500磁带&卷轴
96单位/铁
MC74VHCT157ADTR2 TSSOP- 16 2500磁带&卷轴
MC74VHCT157AM
EIAJ–SO–16
50单位/铁
MC74VHCT157AMEL EIAJ - SO- 16 2000磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年4月 - 第1版
出版订单号:
MC74VHCT157A/D
MC74VHCT157A
A0
B0
A1
B1
A2
B2
A3
B3
E
S
2
3
5
6
11
10
14
13
15
1
12 Y3
9 Y2
7
Y1
数据
输出
4
Y0
S
A0
B0
Y0
A1
B1
Y1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
E
A3
B3
Y3
A2
B2
Y2
轻咬
输入
图1.引脚分配
图2.扩展逻辑图
E
S
A0
B0
A1
B1
A2
B2
A3
B3
15
1
2
3
5
6
11
10
14
13
EN
G1
1
1
MUX
4
7
9
12
Y0
Y1
Y2
Y3
E
H
L
L
功能表
输入
S
X
L
H
输出
Y0 – Y3
L
A0–A3
B0–B3
图3. IEC逻辑符号
A0 - A3 , B0 - B3 =水平
相应的数据字
输入。
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作,V
in
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
http://onsemi.com
2
MC74VHCT157A
最大额定值
(注1 )
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
V
ESD
正直流电源电压
数字输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
ESD耐压
人体模型(注2 )
机器模型(注3 )
带电器件模型(注4 )
上述V
CC
和下面GND在125℃下(注5 )
SOIC封装
TSSOP
SOIC封装
TSSOP
输出三态
高电平或者低电平状态
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
–20
$20
$25
$75
200
180
-65到+150
>2000
>200
>2000
$300
143
164
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
V
I
LATCH -UP
q
JA
闭锁性能
mA
° C / W
热阻,结到环境
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应被限制到
推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围,所有封装类型
输入信号上升和下降时间
V
CC
= 5.0 V + 0.5 V
输出三态
高电平或者低电平状态
特征
4.5
0
0
–55
0
最大
5.5
5.5
V
CC
125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 %接合故障
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间,时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间,岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 110
°
C
TJ = 130
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间,岁月
TJ = 90
°
C
1
1
10
1000
图4.故障率与时间的结温
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3
MC74VHCT157A
DC特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
最底层
输入电压
最高层
输出电压
欧ü 年龄
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= –50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -8毫安
V
OL
最底层
输出电压
欧ü 年龄
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 8毫安
I
IN
I
CC
I
CCT
输入漏电流
最大静态
电源电流
其他静态
电源电流
(每针)
输出漏
当前
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
任何一个输入:
V
IN
= 3.4 V
所有其它输入:
V
IN
= V
CC
或GND
V
OUT
= 5.5 V
条件
(V)
4.5 5.5
2
T
A
= 25°C
典型值
最大
T
A
85°C
2
最大
0.8
–55°C
T
A
125°C
2
最大
单位
V
V
IL
V
OH
4.5 5.5
0.8
0.8
0.8
V
V
4.5
4.5
4.5
4.5
0至5.5
5.5
5.5
4.4
3.94
4.5
4.4
3.8
4.4
3.66
V
0.1
0.44
±1.0
40.0
1.5
0.1
0.52
±1.0
40.0
1.5
A
A
A
0.0
0.1
0.36
±0.1
4.0
1.35
I
OPD
0
0.5
5
5
A
AC电气特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0ns )
符号
参数
测试条件
T
A
= 25°C
典型值
5.6
8.0
4.1
5.6
6.1
8.5
5.3
6.8
6.1
8.5
5.6
7.1
4
T
A
=
85°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
7.7
11.0
7.5
9.5
–55°C
T
A
125°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
7.7
11.0
7.5
9.5
最大
单位
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传播
延迟
A到B为Y
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
7.0
10.0
6.4
8.4
t
PLH
,
t
PHL
最大传播
延迟
S到
7.5
10.5
8.1
10.1
7.5
10.5
8.6
10.6
10
8.2
11.5
9.5
11.5
8.2
11.5
8.2
11.5
9.5
11.5
8.2
11.5
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传播
延迟
为Y
ns
10.0
12.0
10
10.0
12.0
10
C
IN
最大输入
电容
pF
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
20
C
PD
功率耗散电容(注6 )
pF
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到:我
CC ( OPR
)
= C
PD

V
CC

f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD

V
CC2

f
in
+ I
CC

V
CC
.
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4
MC74VHCT157A
噪声特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ,C
L
= 50pF的,V
CC
= 5.0 V)
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
特征
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
典型值
0.3
– 0.3
最大
0.8
– 0.8
2.0
0.8
单位
V
V
V
V
V
CC
A,B或S
50%
t
PLH
Y
50% V
CC
t
PHL
GND
A,B或S
50%
t
PLH
Y
50% V
CC
t
PHL
V
CC
GND
图5.开关波形
图6.反向交换
测试点
产量
设备
TEST
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
图7.测试电路
输入
图8.输入等效电路
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