摩托罗拉
半导体技术资料
四2输入与门
该MC74VHCT08A是一种先进的高速CMOS 2输入与门
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持
CMOS的低功耗。
该VHCT输入与TTL电平兼容。这个装置可以用于
作为电平转换器，用于连接3.3V至5.0V ，由于它具有完整的5V CMOS
电平输出摆幅。
该VHCT08A输入结构时提供保护之间的电压
0V和5.5V被施加，而与电源电压无关。输出
结构也提供了保护，当VCC = 0V 。这些输入和输出
结构有助于防止因电源电压装置的破坏 -
输入/输出电压不匹配，电池备份，热插入，等等。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲器输出
它提供了高抗噪性和稳定的输出。输入容忍
电压高达7V ，允许5V系统的接口， 3V的系统。
高速： tPD的= 4.3ns （典型值） ，在VCC = 5V
低功耗： ICC = 2μA （最大值）在TA = 25℃
TTL兼容的输入： VIL = 0.8V ; VIH = 2.0V
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： VOLP = 0.8V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 24场效应管或6个等效门
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
1
3
2
4
6
5
9
8
10
12
11
13
Y4
Y3
Y2
Y = AB
Y1
MC74VHCT08A
后缀
14引脚SOIC封装
CASE 751A -03
DT后缀
14引脚TSSOP封装
CASE 948G -01
M后缀
14引脚SOIC封装EIAJ
CASE 965-01
订购信息
MC74VHCTXXAD
MC74VHCTXXADT
MC74VHCTXXAM
SOIC
TSSOP
EIAJ SOIC
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
L
L
H
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
VCC
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
4/99
摩托罗拉1999年公司
1
REV 0
*绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHCT08A
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
50
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
S B升
符号
ICCT
IOPD
VOH
VOL
ICC
VIH
VCC
VOUT
VIL
IIN
TR ， TF
VIN
TA
输出漏电流
静态电源电流
最大静态电源
当前
最大输入漏
当前
最底层
输出电压
VIN = VIH或VIL
最小高级别
输出电压
VIN = VIH或VIL
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
P
参数
VIN = VIH或VIL
IOH = - 50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = - 4毫安
IOH = - 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VOUT = 5.5V
输入： VIN = 3.4V
VIN = VCC或GND
VIN = 5.5 V或GND
试验C迪我
T
条件
VCC = 5.0V
±0.5V
0至5.5
VCC
(V)
0.0
5.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
2
– 40
民
4.5
0
0
0
2.58
3.94
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
VCC
+ 85
最大
5.5
5.5
20
TA = 25°C
典型值
0.0
0.0
3.0
4.5
NS / V
单位
_
C
_
C
V
V
V
V
V
V
±
0.1
1.35
0.36
0.36
0.53
0.8
0.8
最大
0.5
2.0
0.1
0.1
2.48
3.80
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V CC） 。
未使用的输出必须悬空。
TA
≤
85°C
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
±
1.0
1.50
0.44
0.44
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
20
5.0
v
2.34
3.66
民
TA
≤
125°C
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
±
1.0
1.65
0.52
0.52
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
40
10
v
单位
U I
mA
A
A
V
V
V
V
A
MC74VHCT08A
AC电气特性
（输入TR = TF = 3.0ns ）
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
参数
P
TA = 25°C
典型值
6.2
8.7
4.3
5.8
4
TA
≤
85°C
TA
≤
125°C
试验C迪我
T
条件
民
最大
民
最大
最大
最大
单位
U I
ns
最大传播
延迟，
输入A或B与Y
VCC - 3.0
±
0.3V
VCC - 5.0
±
0.5V
CL = 15pF的
CL = 50pF的
8.8
12.3
5.9
7.9
10
10.5
14.0
7.0
9.0
10
14.0
17.5
9.0
11.0
10
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CIN
最大输入电容
pF
典型的25°C ， VCC = 5.0V
20
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容（N
i
（注1 ）
1.)
pF
F
1. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC / 4 （每门） 。 CPD用于确定空载
动态功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
噪声特性
（输入TR = TF = 3.0纳秒， CL = 50pF的， VCC = 5.0 V）
TA = 25°C
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
VILD
特征
Ch
i i
安静输出最大动力VOL
安静的输出最低动态VOL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
典型值
0.3
– 0.3
最大
0.8
– 0.8
3.5
1.5
TEST
点
产量
GND
TPLH
的TPH1
VOH
Y
1.5V
VOL
*包括所有探测和夹具电容
设备
下
TEST
CL *
单位
U I
V
V
V
V
3.0V
A或B
1.5V
图1.开关波形
图2.测试电路
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
3
摩托罗拉
MC74VHCT08A
外形尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45°
F
座位
飞机
D
14 PL
K
M
M
B
S
J
0.25 (0.010)
T
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.75
8.55
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
7°
0°
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
7°
0°
0.228 0.244
0.010 0.019
摩托罗拉
4
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
MC74VHCT08A
四2输入与门
该MC74VHCT08A是一种先进的高速CMOS 2输入
与门制造与硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极肖特基TTL高速运转
同时保持CMOS低功耗。
该VHCT输入与TTL电平兼容。该器件可
用作电平转换器，用于连接3.3伏到5.0伏，因为它
有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。
该VHCT08A输入结构时提供保护电压
在0 V和5.5 V适用，不论电源电压。
输出结构还当V提供保护
CC
= 0 V.这些
输入和输出结构有助于防止因设备损坏
电源电压 - 输入/输出电压不匹配，电池备份，热
插入等。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7.0 V，允许5.0 V接口
系统以3.0 V系统。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
VHCT08AG
AWLYWW
1
14
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
VHCT
08A
ALYWG
G
高速：吨
PD
= 4.3纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 2
mA
（最大）在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 0.8 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
静电放电性能：人体模型; > 2000伏，
机器型号; > 200 V
芯片的复杂性： 24场效应管或6个等效门
无铅包可用*
1
14
SOEIAJ14
M后缀
CASE 965
1
VHCT08
ALYWG
1
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
Y, YY
=年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年3月 - 修订版5
出版订单号：
MC74VHCT08A/D
MC74VHCT08A
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
1
2
4
5
9
10
12
13
3
V
CC
Y1
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
6
Y2
Y = AB
8
Y3
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
11
Y4
（ TOP VIEW ）
图2.引脚： 14引脚封装
图1.逻辑图
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
L
L
H
等级
符号
V
CC
V
in
价值
单位
V
V
V
直流电源电压
直流输入电压
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
直流输出电压
V
OUT
I
IK
-0.5到V
CC
+0.5
20
±20
±25
±50
输入二极管电流
mA
mA
mA
mA
输出二极管电流
I
OK
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
I
CC
功率消耗在静止空气中， SOIC封装
TSSOP封装
储存温度
P
D
500
450
mW
°C
T
英镑
-65到+150
最大额定值*
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
*绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或
以外的指示的条件可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
推荐工作条件
参数
符号
V
CC
V
in
民
4.5
0
0
最大
5.5
5.5
单位
V
V
V
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
V
OUT
T
A
V
CC
工作温度
40
0
+ 85
20
°C
输入上升和下降时间V
CC
= 5.0 V
±0.5
V
t
r
, t
f
NS / V
http://onsemi.com
2
1. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 4 （每门） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.7
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
DC电气特性
功率耗散电容（注1 ）
最大输入电容
最大传播延迟，
输入A或B与Y
输出漏电流
静态电源电流
最大静态电源电流
最大输入漏电流
最大低电平输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
最小高电平输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
最大低电平输入电压
最低高电平输入电压
特征
参数
V
CC
= 5.0
±
0.5V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.0
±
0.3V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
测试条件
V
IN
= V
CC
或GND
输入： V
IN
= 3.4 V
测试条件
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 50
mA
V
IN
= 5.5 V或
GND
V
OUT
= 5.5 V
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒，C
L
= 50pF的，V
CC
= 5.0 V)
最大低电平动态输入电压
最小高级别动态输入电压
安静的输出最低动态V
OL
静默输出最大动态V
OL
特征
http://onsemi.com
MC74VHCT08A
符号
I
OPD
I
CCT
V
OH
V
OL
V
IH
I
CC
V
IL
I
IN
符号
符号
V
OLV
V
IHD
V
OLP
V
ILD
t
PLH
,
t
PHL
C
PD
C
in
3
0至5.5
V
CC
(V)
0.0
5.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
民
T
A
= 25°C
2.58
3.94
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
典型值
4.3
5.8
6.2
8.7
4
0.3
典型值
0.3
T
A
= 25°C
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
典型值
0.0
0.0
3.0
4.5
8.8
12.3
最大
5.9
7.9
10
T
A
= 25°C
1.35
±0.1
0.36
0.36
0.53
0.8
0.8
最大
0.5
2.0
0.1
0.1
民
T
A
≤
85°C
20
2.48
3.80
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
T
A
≤
85°C
10.5
14.0
最大
7.0
9.0
10
1.50
±1.0
0.44
0.44
0.53
0.8
0.8
最大
5.0
0.1
0.1
20
0.8
最大
1.5
3.5
0.8
最大
T
A
≤
125°C
2.34
3.66
T
A
≤
125°C
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
14.0
17.5
最大
9.0
11.0
10
1.65
±1.0
0.52
0.52
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
10
40
单位
单位
pF
pF
ns
V
V
V
V
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
mA
MC74VHCT08A
3.0V
A或B
1.5V
GND
t
PLH
t
PHL
V
OH
Y
1.5V
V
OL
*包括所有探测和夹具电容
设备
下
TEST
产量
TEST
点
C
L
*
图3.开关波形
图4.测试电路
订购信息
设备
MC74VHCT08ADR2
MC74VHCT08ADR2G
MC74VHCT08ADTR2
MC74VHCT08ADTR2G
MC74VHCT08AM
MC74VHCT08AMG
MC74VHCT08AMEL
MC74VHCT08AMELG
包
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000单位/带卷&
50单位/铁
2500单位/磁带&Reel
2500单位/磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这些软件包本身无铅。
http://onsemi.com
4
MC74VHCT08A
包装尺寸
SOIC14
后缀
CASE 751A -03
ISSUE摹
A
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
B
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45
_
F
T
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
K
M
M
S
J
T B
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337
0.344
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.228
0.244
0.010
0.019
TSSOP14
CASE 948G -01
发出
14X
K
REF
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3，维A不包括模型
FLASH中，突出或毛刺。
塑模的毛边或毛刺SHALL NOT
超过0.15 （ 0.006 ），每边。
4.尺寸b不包括
间的薄膜或凸出部分。
间的薄膜或突出应该
不超过0.25 （ 0.010 ），每边。
5.尺寸k不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出为0.08
（ 0.003 ）总计超过K型
DIMENSION最大材料
条件。
6.端子数列
仅供参考。
7，维A和B是被
DETERMINED AT基准面-W- 。
MILLIMETERS
民
最大
4.90
5.10
4.30
4.50
1.20
0.05
0.15
0.50
0.75
0.65 BSC
0.50
0.60
0.09
0.20
0.09
0.16
0.19
0.30
0.19
0.25
6.40 BSC
0
_
8
_
英寸
最小最大
0.193 0.200
0.169 0.177
0.047
0.002 0.006
0.020 0.030
0.026 BSC
0.020 0.024
0.004 0.008
0.004 0.006
0.007 0.012
0.007 0.010
0.252 BSC
0
_
8
_
0.10 (0.004)
0.15 （ 0.006 ）T ü
S
M
ü
S
V
S
N
2X
L/2
14
8
0.25 (0.010)
M
L
销1
IDENT 。
1
7
B
U
N
F
DETAIL ê
K
0.15 （ 0.006 ）T ü
S
J J1
第N-N
W
C
0.10 (0.004)
T
座位
飞机
D
G
H
DETAIL ê
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5
A
V
K1
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
J1
K
K1
L
M
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