摩托罗拉
半导体技术资料
四路2输入NOR门
该MC74VHCT02A是一种先进的高速CMOS 2输入NOR门
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持
CMOS的低功耗。
该VHCT输入与TTL电平兼容。这个装置可以用于
作为电平转换器，用于连接3.3V至5.0V ，由于它具有完整的5V CMOS
电平输出摆幅。
该VHCT02A输入结构时提供保护之间的电压
0V和5.5V被施加，而与电源电压无关。输出
结构也提供了保护，当VCC = 0V 。这些输入和输出
结构有助于防止因电源电压装置的破坏 -
输入/输出电压不匹配，电池备份，热插入，等等。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲器输出
它提供了高抗噪性和稳定的输出。输入容忍
电压高达7V ，允许5V系统的接口， 3V的系统。
高速： tPD的= 3.6ns （典型值） ，在VCC = 5 V
低功耗： ICC = 2μA （最大值）在TA = 25℃
TTL兼容的输入： VIL = 0.8V ; VIH = 2.0V
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： VOLP = 0.8 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 40场效应管或10个等效门
MC74VHCT02A
后缀
14引脚SOIC封装
CASE 751A -03
DT后缀
14引脚TSSOP封装
CASE 948G -01
M后缀
14引脚SOIC封装EIAJ
CASE 965-01
订购信息
MC74VHCTXXAD
MC74VHCTXXADT
MC74VHCTXXAM
SOIC
TSSOP
EIAJ SOIC
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
2
1
3
5
4
6
8
10
9
11
13
12
Y4
Y3
Y2
Y = A + B
Y1
引脚分配
Y1
A1
B1
Y2
A2
B2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
Y4
B4
A4
Y3
B3
A3
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
H
L
L
L
4/99
摩托罗拉1999年公司
1
REV 0
*绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHCT02A
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
50
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
S B升
符号
ICCT
IOPD
VOH
VOL
ICC
VIH
VCC
VOUT
VIL
IIN
TR ， TF
VIN
TA
输出漏电流
静态电源电流
最大静态电源
当前
最大输入漏
当前
最底层
输出电压
VIN = VIH或VIL
最小高级别
输出电压
VIN = VIH或VIL
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
P
参数
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VIN = 5.5 V或GND
VIN = VIH或VIL
IOH = - 50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = - 4毫安
IOH = - 8毫安
VOUT = 5.5V
输入： VIN = 3.4V
VIN = VCC或GND
试验C迪我
T
条件
VCC = 5.0V
±0.5V
0至5.5
VCC
(V)
0.0
5.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
2
– 40
民
4.5
0
0
0
2.58
3.94
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
VCC
+ 85
最大
5.5
5.5
20
TA = 25°C
典型值
0.0
0.0
3.0
4.5
NS / V
单位
_
C
_
C
V
V
V
V
V
V
±
0.1
1.35
0.36
0.36
0.53
0.8
0.8
最大
0.5
2.0
0.1
0.1
2.48
3.80
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V CC） 。
未使用的输出必须悬空。
TA
≤
85°C
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
±
1.0
1.50
0.44
0.44
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
20
5.0
v
2.34
3.66
民
TA
≤
125°C
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
±
1.0
1.65
0.52
0.52
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
40
10
v
单位
U I
mA
A
A
V
V
V
V
A
MC74VHCT02A
AC电气特性
（输入TR = TF = 3.0ns ）
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
参数
P
TA = 25°C
典型值
5.6
8.1
3.6
5.1
4
TA
≤
85°C
TA
≤
125°C
试验C迪我
T
条件
民
最大
7.9
11.4
5.5
7.5
10
民
最大
最大
最大
单位
U I
ns
最大传播
延迟，
输入A或B与Y
VCC - 3.0
±
0.3V
VCC - 5.0
±
0.5V
CL = 15pF的
CL = 50pF的
9.5
13.0
6.5
8.5
10
12.5
17.5
9.0
11.0
10
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CIN
最大输入电容
pF
典型的25°C ， VCC = 5.0V
20
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容（N
i
（注1 ）
1.)
pF
F
1. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC / 4 （每门） 。 CPD用于确定空载
动态功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
噪声特性
（输入TR = TF = 3.0ns ， CL = 50pF的， VCC = 5.0V ）
TA = 25°C
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
VILD
特征
Ch
i i
安静输出最大动力VOL
安静的输出最低动态VOL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
典型值
0.3
– 0.3
最大
0.8
– 0.8
3.5
1.5
测试点
A或B
1.5V
GND
TPLH
Y
1.5V
VOL
*包括所有探测和夹具电容
的TPH1
VOH
3.0V
产量
设备
下
TEST
CL *
单位
U I
V
V
V
V
图1.开关波形
图2.测试电路
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
3
摩托罗拉
MC74VHCT02A
外形尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45°
F
座位
飞机
D
14 PL
K
M
M
B
S
J
0.25 (0.010)
T
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.75
8.55
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
7°
0°
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
7°
0°
0.228 0.244
0.010 0.019
摩托罗拉
4
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
ON Semiconductort
该MC74VHCT02A是一种先进的高速CMOS 2输入
或非门制造与硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极肖特基TTL高速运转
同时保持CMOS低功耗。
该VHCT输入与TTL电平兼容。该器件可
用作电平转换器，用于连接3.3V至5.0V ，由于它具有
全5V CMOS电平输出摆幅。
该VHCT02A输入结构时提供保护电压
0V和5.5V之间被施加，而与电源电压无关。
输出结构还当V提供保护
CC
= 0V 。这些
输入和输出结构有助于防止因设备损坏
电源电压
输入/输出电压不匹配，电池备份，热
插入等。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7V ，允许5V系统的接口
到3V系统。
高速：吨
PD
= 3.6ns （典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 2μA （最大值）在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入： V
IL
= 0.8V; V
IH
= 2.0V
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： V
OLP
= 0.8 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 40场效应管或10个等效门
四2输入或非门
MC74VHCT02A
后缀
14引脚SOIC封装
CASE 751A -03
DT后缀
14引脚TSSOP封装
CASE 948G -01
M后缀
14引脚SOIC封装EIAJ
CASE 965-01
订购信息
MC74VHCTXXAD
MC74VHCTXXADT
MC74VHCTXXAM
SOIC
TSSOP
EIAJ SOIC
w
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第4版
1
出版订单号：
MC74VHCT02A/D
*绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或
以外的指示的条件可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
最大额定值*
符号
V
CC
V
OUT
T
英镑
I
CC
I
OK
I
OUT
V
in
P
D
I
IK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
20
±
50
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
_C
V
V
V
DC电气特性
推荐工作条件
符号
符号
I
OPD
I
CCT
V
OH
V
OL
V
IH
I
CC
V
CC
V
IL
V
OUT
I
IN
t
r
, t
f
V
in
T
A
输出漏电流
静态电源电流
最大静态电源
当前
最大输入漏
当前
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
参数
V
IN
= 5.5 V或
GND
V
OUT
= 5.5V
输入： V
IN
= 3.4V
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50μA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
4mA
I
OH
=
8mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
50μA
测试条件
V
CC
=5.0V
±0.5V
http://onsemi.com
0至5.5
V
CC
(V)
0.0
5.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
40
民
4.5
0
0
0
2.58
3.94
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
T
A
= 25°C
+ 85
最大
V
CC
5.5
5.5
20
典型值
0.0
0.0
3.0
4.5
NS / V
单位
_C
V
V
V
±
0.1
1.35
0.36
0.36
0.53
0.8
0.8
最大
0.5
2.0
0.1
0.1
2.48
3.80
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
T
A
≤
85°C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
±
1.0
1.50
0.44
0.44
0.53
0.8
0.8
最大
5.0
0.1
0.1
20
2.34
3.66
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
T
A
≤
125°C
±
1.0
1.65
0.52
0.52
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
10
40
单位
mA
μA
μA
μA
V
V
V
V
3
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
测试条件
T
A
= 25°C
典型值
5.6
8.1
3.6
5.1
4
T
A
≤
85°C
T
A
≤
125°C
民
最大
7.9
11.4
5.5
7.5
10
民
最大
最大
最大
单位
ns
最大传播
延迟，
输入A或B与Y
V
CC
= 3.0
±
0.3V
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5V
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
9.5
13.0
6.5
8.5
10
12.5
17.5
9.0
11.0
10
C
in
最大输入电容
pF
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
20
C
PD
功率耗散电容（注1 ）
pF
1. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 4 （每门） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ，C
L
= 50pF的，V
CC
= 5.0V)
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
特征
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
典型值
0.3
0.3
最大
0.8
0.8
3.5
1.5
单位
V
V
V
V
测试点
A或B
3.0V
1.5V
t
PLH
1.5V
Y
t
PHL
V
OH
V
OL
*包括所有探测和夹具电容
GND
设备
下
TEST
产量
C
L
*
图3.开关波形
图4.测试电路
http://onsemi.com
4
外形尺寸
后缀
SOIC14
CASE 751A -03
本期
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
A
14
8
B
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45
_
F
T
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
K
T B
S
M
A
S
J
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337
0.344
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.228
0.244
0.010
0.019
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
