MC74VHCT00A
四2-输入与非门
-
该MC74VHCT00A是一种先进的高速CMOS 2-
-INPUT
与非门制造与硅栅CMOS技术。它
实现了高速操作，同时保持CMOS低功率
耗散。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
该器件的输入是与TTL兼容
-type输入阈值和
输出有一个完整的5 V CMOS电平输出摆幅。输入保护
该电路设备上允许的输入过压容限，
使器件能够被用作逻辑电
从3.0 V - 电平转换器
CMOS逻辑5.0 V CMOS或1.8 V CMOS逻辑3.0 V
CMOS逻辑，而在高操作
- 电压供电。
该MC74VHCT00A输入结构时提供保护
电压为7V的施加，而与电源电压无关。这
允许要使用的MC74VHCT00A接口5伏的电路到3V
电路。输出结构还当V提供保护
CC
= 0 V.
这些输入和输出结构有助于防止设备损坏造成的
由电源电压 - 输入/输出电压失配，电池备份，热
-
插入等。
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标记DIAGRAMS
14
1
SOIC-
-14
后缀
CASE 751A
VHCT00A
AWLYYWW
14
1
高速：吨
PD
= 5.0纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 2
μA
（最大）在T
A
= 25°C
TTL-
兼容输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
专为3.0 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 0.8 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性： 48场效应管或12个等效门
这些器件采用有铅
-free包（多个） 。本文规格
适用于标准和有铅
- 免费设备。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com具体有铅
- 免费订购部件号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
14
TSSOP-
-14
DT后缀
CASE 948G
VHCT
00A
AWLYWW
1
SOIC EIAJ-
-14
M后缀
CASE 965
VHCT00A
ALYW
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74VHCT00AD
MC74VHCT00ADR2
MC74VHCT00ADT
MC74VHCT00ADTEL
MC74VHCT00ADTR2
MC74VHCT00AM
MC74VHCT00AMEL
包
SOIC--14
SOIC--14
TSSOP--14
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
TSSOP - 14 2000个/卷
TSSOP - 14 2000个/卷
SOIC
EIAJ--14
SOIC
EIAJ--14
48单位/铁
2000个/卷
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月 - 第3版
-
1
出版订单号：
MC74VHCT00A/D
MC74VHCT00A
最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
L
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
功率消耗在静止空气中，
SOIC封装（注2 ）
TSSOP封装（注2 ）
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
V
CC
= 0
高电平或者低电平状态
特征
价值
--0.5到7.0
--0.5到7.0
--0.5到7.0
--0.5到V
CC
+ 0.5
--20
+20
+25
+50
500
450
260
--65到150
人体模型（注3 ）
机器模型（注4 ）
带电器件模型（注5 ）
上述V
CC
和下面GND在125℃下
＆ GT ; 2000
＆ GT ; 200
> 3000
±300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
V
该器件包含
保护电路后卫
对因高伤害
静电电压或电
场。然而，预
注意事项必须采取
避免任何应用程序
电压比马克西高
妈妈的额定电压为这个
高 - 阻抗电路。为
正确的操作，V
in
和
V
OUT
应受限制
到的范围内GND
≤
(V
in
or
V
OUT
)
≤
V
CC
.
未使用的输入必须始终
的方式连接到一个批
吃的逻辑电压电平（例如，
GND或V
CC
） 。非
使用的输出必须保持
开。
焊接温度1毫米的情况下10秒
储存温度
ESD耐压
I
锁存器 - 最多
锁存器 - 性能最多
（注6 ）
mA
*绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或
以外的指示的条件可能器件的可靠性产生不利影响。最大的 - - 在绝对功能操作额定条件
是不是暗示。
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。最大的 - - 在绝对功能操作额定条件是不是暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
2.降额 - SOIC封装： -7毫瓦/ _C从65_至125_C
- TSSOP封装： --6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
3.经测试EIA / JESD22 - A114 - 一个
4.经测试EIA / JESD22 - A115 - 一个
5.经测试JESD22 - C101 - 一个
6.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
VCC = 0
高电平或者低电平状态
特征
民
3.0
0.0
0.0
0.0
--55
0
0
最大
5.5
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
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3
MC74VHCT00A
该
θ
JA
包的等于1 /降额。更高的结温度可以影响每个表中的设备的预期寿命和
下图。
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 130
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 110
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间，岁月
TJ = 90
°
C
1
1
10
1000
图4.故障率与时间
结温
DC电气特性
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高 - 级别
输入电压
最大低 - 级
输入电压
最小高 - 级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= --50
μA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= --4毫安
I
OH
= --8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
μA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
输入： V
IN
= 3.4 V
V
OUT
= 5.5 V
测试条件
(V)
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
0
5.5
5.5
5.5
0.0
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
2.0
1.35
0.5
3.0
4.5
民
1.4
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
20
1.50
5.0
T
A
= 25°C
典型值
最大
T
A
≤
85°C
民
1.4
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.52
0.52
±1.0
40
1.65
10
最大
T
A
≤
125°C
民
1.4
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
最大
单位
V
V
IL
V
V
OH
V
V
V
OL
最大低 - 级
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
V
I
IN
I
CC
I
CCT
I
OPD
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
静态电源
当前
输出漏
当前
μA
μA
mA
μA
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4
MC74VHCT00A
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
T
A
= 25°C
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大
传播延时，
输入A或B与Y
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
民
典型值
4.1
5.5
3.1
3.6
5.5
最大
10.0
13.5
6.9
7.9
10
T
A
≤
85°C
民
最大
11.0
15.0
8.0
9.0
10
T
A
≤
125°C
民
最大
13.0
17.5
9.5
10.5
10
pF
单位
ns
C
IN
最大输入
电容
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
17
C
PD
功率耗散电容（注7 ）
pF
7. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
被用于确定所述无 - 负载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ，C
L
= 50pF的，V
CC
= 5.0V ，测得SO封装）
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
特征
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
典型值
0.4
-- 0.4
最大
0.8
-- 0.8
2.0
0.8
单位
V
V
V
V
测试点
A或B
3.0 V
50%
t
PLH
Y
50% V
CC
t
PHL
V
OH
V
OL
*包括所有探测和夹具电容
GND
设备
下
TEST
产量
C
L
*
图5.开关波形
图6.测试电路
输入
*
产量
*寄生二极管
图7.输入等效电路
图8.输出等效电路
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5
QQ：2881677436 复制
