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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1259页 > MC74VHC541DW
摩托罗拉
半导体技术资料
八路总线缓冲器
该MC74VHC541是一种先进的高速CMOS八进制总线缓冲器
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL ,同时保持
CMOS的低功耗。
该MC74VHC541是同相的类型。当任一OE1或OE2是
高,该终端输出处于高阻抗状态。
内部电路由三个阶段,包括一个缓冲器输出
它提供了高抗噪性和稳定的输出。输入容忍
电压高达7V ,允许5V系统的接口, 3V的系统。
高速: tPD的= 3.7ns (典型值) ,在VCC = 5V
低功耗: ICC = 4μA (最大)在TA = 25℃
高抗干扰性: VNIH = VNIL = 28 % VCC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音: VOLP = 1.2V (最大)
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能: HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性: 134场效应管或33.5等效门
MC74VHC541
DW后缀
20引脚SOIC封装WIDE
CASE 751D -04
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCXXXDW
SOIC宽
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
EIAJ SOIC
逻辑图
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
产量
使
OE1
OE2
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
引脚分配
同相
输出
OE1
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
OE2
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
数据
输入
功能表
输入
输出y
OE1
L
L
H
X
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
L
H
Z
Z
4/98
摩托罗拉公司1998年
1
REV 2
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的指示可能不利地
影响器件的可靠性。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHC541
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
功率消耗在静止空气中,
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
50
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
S B升
符号
VOH
VCC
VOL
VOUT
VIH
TR , TF
VIL
VIN
TA
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度,所有封装类型
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
P
参数
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = - 4毫安
IOH = - 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOH = - 50μA
试验C迪我
T
条件
VCC = 3.3V
±0.3V
VCC = 5.0V
±0.5V
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
VCC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
2
– 40
2.0
0
0
0
0
1.50
VCC ×0.7
2.58
3.94
1.9
2.9
4.4
VCC
+ 85
最大
100
20
5.5
5.5
TA = 25°C
NS / V
单位
_
C
_
C
典型值
V
V
V
V
V
V
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
0.50
VCC ×0.3
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V CC) 。
未使用的输出必须悬空。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 第2版
1.50
VCC ×0.7
TA = - 40 85°C
2.48
3.80
1.9
2.9
4.4
v
0.50
VCC ×0.3
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
v
单位
U I
V
V
V
V
AC电气特性
(输入TR = TF = 3.0ns )
DC电气特性
符号
S B升
符号
tOSLH ,
tOSHL
tPLH的,
的TPH1
tPLZ ,
tPHZ
tpZL ,
tpZH
COUT
ICC
IOZ
CPD
CIN
IIN
最大三态输出
电容(输出高
阻抗状态)
最大输入电容
输出到输出偏斜
输出禁止时间,
OE为Y
输出使能时间,
OE为Y
最大传播延迟,
一个为Y
最大静态
电源电流
最大的三态
漏电流
最大输入
漏电流
功耗
P
迪I I电容(N
i
(注NO TAG )
参数
参数
P
VIN = VCC或GND
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = 5.5V或GND
测试条件
VCC - 5.0
±
0.5V
(注NO TAG )
VCC = 3.3
±
0.3V
(注NO TAG )
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3V
试验C迪我
T
条件
0至5.5
VCC
V
5.5
5.5
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
TA = 25°C
典型值
TA = 25°C
11.2
典型值
6.0
4.7
6.2
6.8
9.3
3.5
5.0
5.0
7.5
6
4
典型的25°C , VCC = 5.0V
±
0.25
±
0.1
最大
4.0
15.4
10.5
14.0
最大
7.0
10.5
1.0
1.5
8.8
7.2
9.2
5.0
7.0
10
18
TA = - 40 85°C
TA = - 40 85°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到: ICC (OPR
)
= CPD

VCC

散热片+ ICC / 8 (每比特) 。 CPD用于确定空载
动态功耗; PD = CPD

VCC2

散热片+ ICC

VCC 。
1.参数设计保证。 tOSLH = | tPLHm - tPLHn | , tOSHL = | tPHLm - tPHLn | 。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 第2版
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
VILD
最大低电平动态输入电压
最小高级别动态输入电压
安静的输出最低动态VOL
安静输出最大动力VOL
参数
P
噪声特性
(输入TR = TF = 3.0ns , CL = 50pF的, VCC = 5.0V )
3
– 0.9
典型值
0.9
TA = 25°C
– 1.2
最大
1.5
3.5
1.2
MC74VHC541
±
2.5
±
1.0
40.0
最大
10.0
17.5
12.5
16.0
最大
8.5
10.5
8.5
12.0
1.0
1.5
6.0
8.0
10
摩托罗拉
单位
U I
pF
F
单位
U I
单位
V
V
V
V
A
A
A
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
MC74VHC541
开关波形
VCC
VCC
A
TPLH
50 % VCC
Y
50%
GND
的TPH1
Y
50 % VCC
VOL + 0.3V
Y
tPZH tPHZ
VOH -0.3V
50 % VCC
阻抗
OE1或OE2
50%
tPZL tPLZ
50%
GND
阻抗
图1 。
图2中。
测试电路
TEST
产量
设备
TEST
CL *
设备
TEST
产量
TEST
1k
接VCC WHEN
测试tPLZ与tPZL 。
连接到GND WHEN
测试tPHZ与tPZH 。
CL *
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
网络连接gure 3 。
图4中。
输入等效电路
输入
摩托罗拉
4
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 第2版
MC74VHC541
外形尺寸
DW后缀
塑料SOIC封装WIDE
CASE 751D -04
问题E
–A–
20
11
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.150
( 0.006 ),每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出0.13
( 0.005 )总计超过D尺寸
在最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
12.65
12.95
7.40
7.60
2.35
2.65
0.35
0.49
0.50
0.90
1.27 BSC
0.25
0.32
0.10
0.25
0
_
7
_
10.05
10.55
0.25
0.75
英寸
最大
0.499
0.510
0.292
0.299
0.093
0.104
0.014
0.019
0.020
0.035
0.050 BSC
0.010
0.012
0.004
0.009
0
_
7
_
0.395
0.415
0.010
0.029
–B–
1
10
10X
P
0.010 (0.25)
M
B
M
20X
D
M
0.010 (0.25)
T A
S
B
J
S
F
R
X 45
_
C
–T–
18X
座位
飞机
G
K
M
DT后缀
塑料TSSOP封装
CASE 948E -02
发出
20X
K
REF
M
0.15 ( 0.006 )T ü
S
0.10 (0.004)
ü
S
V
S
K
K1
2X
L/2
L
销1
IDENT
1
10
B
–U–
J J1
N
0.15 ( 0.006 )T ü
S
A
–V–
N
F
C
D
0.100 (0.004)
–T–
座位
飞机
G
H
DETAIL ê
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 第2版
5
第N-N
M
DETAIL ê
20
11
0.25 (0.010)
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3,维A不包括毛边,
突出或毛刺。毛边
或毛刺不会超过0.15
( 0.006 ),每边。
4.尺寸b不包括引脚间
FLASH或突出。间的薄膜或
突出应该不超过0.25 ( 0.010 )
每边。
5.尺寸k不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该是0.08 ( 0.003 )的总
超过维最大的
物质条件。
6.端子数列
仅供参考。
7,维A和B是待确定
AT基准面-W- 。
MILLIMETERS
最大
6.40
6.60
4.30
4.50
–––
1.20
0.05
0.15
0.50
0.75
0.65 BSC
0.27
0.37
0.09
0.20
0.09
0.16
0.19
0.30
0.19
0.25
6.40 BSC
0
_
8
_
英寸
最大
0.252
0.260
0.169
0.177
–––
0.047
0.002
0.006
0.020
0.030
0.026 BSC
0.011
0.015
0.004
0.008
0.004
0.006
0.007
0.012
0.007
0.010
0.252 BSC
0
_
8
_
–W–
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
J1
K
K1
L
M
摩托罗拉
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MC74VHC541DW
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MC74VHC541DW
ONS
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联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
MC74VHC541DW
ONS
23+
4120
原厂封装
绝对进口原装,公司现货
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ONS
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MC74VHC541DW
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