MC74VHC541
八路总线缓冲器
该MC74VHC541是一种先进的高速CMOS八进制总线
缓冲与制造硅栅CMOS技术。它实现了高
类似相当于双极肖特基TTL ，而高速运转
保持CMOS低功耗。
该MC74VHC541是同相的类型。当任一OE1或
OE2都高，该终端输出处于高阻抗状态。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7.0 V，允许5.0 V接口
系统以3.0 V系统。
特点
http://onsemi.com
20
1
SOIC20WB
后缀DW
CASE 751D
高速：吨
PD
= 3.7ns （典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 4
mA
（最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2.0 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 1.2 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000伏;机器型号> 200 V
芯片的复杂性： 134场效应管或33.5等效门
无铅包可用*
A1
A2
A3
数据
输入
A4
A5
A6
A7
A8
产量
使
OE1
OE2
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
同相
输出
20
TSSOP20
后缀DT
CASE 948E
1
20
1
SOEIAJ20
使用后缀m
CASE 967
引脚分配
OE1
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE2
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
功能表
输入
输出y
OE1
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
L
H
Z
Z
L
L
H
X
Y8
订购信息
图1.逻辑图
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
器件标识信息
查看该设备一般标识信息标识
节本数据手册第4页。
1
2006年4月 - 修订版5
出版订单号：
MC74VHC541/D
MC74VHC541
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压
直流输入电压
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
V
OUT
I
IK
直流输出电压
- 0.5 V
CC
+ 0.5
20
±
20
±
25
±
50
500
450
输入二极管电流
mA
mA
mA
mA
I
OK
I
OUT
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
SOIC封装
TSSOP封装
mW
_C
T
英镑
- 65至+ 150
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
参数
直流电源电压
直流输入电压
民
2.0
0
0
最大
5.5
5.5
单位
V
V
V
V
OUT
T
A
直流输出电压
V
CC
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
V
CC
= 5.0V
±0.5V
40
0
0
+ 85
100
20
_C
t
r
, t
f
V
CC
= 3.3V
±0.3V
NS / V
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
参数
测试条件
V
CC
V
T
A
= 25°C
典型值
T
A
= - 4085 ℃下
民
最大
民
最大
单位
V
V
V
最低高电平输入
电压
2.0
3.0到5.5
2.0
3.0到5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
1.50
V
CC
x 0.7
1.50
V
CC
x 0.7
最大低电平输入
电压
0.50
V
CC
x 0.3
0.50
V
CC
x 0.3
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
_ = 50毫安
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
= - 4毫安
I
OH
= - 8毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50毫安
2.58
3.94
2.48
3.80
V
OL
最大低电平输出
电压
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
0.36
0.36
0.44
0.44
I
in
最大输入漏
当前
V
in
= 5.5V或GND
0至5.5
5.5
5.5
±
0.1
±
1.0
±
2.5
40.0
mA
mA
mA
I
OZ
最大三态泄漏
当前
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
±
0.25
4.0
I
CC
最大静态电源
当前
http://onsemi.com
2
MC74VHC541
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
T
A
= 25°C
典型值
5.0
7.5
3.5
5.0
6.8
9.3
4.7
6.2
T
A
= - 4085 ℃下
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
8.5
12.0
6.0
8.0
测试条件
民
最大
单位
ns
最大传播延迟，
一个为Y
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1KW
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1KW
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1KW
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1KW
V
CC
= 3.3
±
0.3V
（注1 ）
V
CC
= 5.0
±
0.5V
（注1 ）
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
7.0
10.5
5.0
7.0
t
PZL
,
t
PZH
输出使能时间，
OE为Y
10.5
14.0
7.2
9.2
12.5
16.0
ns
8.5
10.5
t
PLZ
,
t
PHZ
输出禁止时间，
OE为Y
11.2
6.0
15.4
8.8
1.5
1.0
10
17.5
10.0
1.5
1.0
10
ns
t
OSLH
,
t
OSHL
输出到输出偏斜
ns
ns
C
in
最大输入电容
4
6
pF
pF
C
OUT
最大三态输出
电容（输出高
阻抗状态）
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
18
C
PD
功率耗散电容（注2 ）
pF
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 （每比特） 。
PD
用于确定空载
动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ，C
L
= 50pF的，V
CC
= 5.0V)
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
参数
典型值
0.9
0.9
最大
1.2
1.2
3.5
1.5
单位
V
V
V
V
开关波形
V
CC
V
CC
A
t
PLH
50% V
CC
Y
50%
t
PHL
GND
Y
50% V
CC
t
PZH
50% V
CC
t
PHZ
V
OH
0.3V
高
阻抗
V
OL
+0.3V
OE1或OE2
50%
t
PZL
t
PLZ
50%
GND
高
阻抗
Y
图2中。
网络连接gure 3 。
http://onsemi.com
3
MC74VHC541
测试电路
TEST
点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
设备
下
TEST
产量
TEST
点
1kW
C
L
*
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL
.
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH
.
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图4中。
图5中。
输入
图6.输入等效电路
订购信息
设备
MC74VHC541DWR2
MC74VHC541DWR2G
MC74VHC541DT
MC74VHC541DTG
MC74VHC541DTR2
MC74VHC541DTR2G
MC74VHC541MEL
MC74VHC541MELG
包
SOIC20WB
SOIC20WB
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
标记DIAGRAMS
SOIC20WB
20
VHC541
AWLYYWWG
1
20
VHC
541
ALYWG
G
1
TSSOP20
20
74VHC541
AWLYWWG
1
A
=大会地点
WL ， L =晶圆地段
YY ，Y =年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
SOEIAJ20
http://onsemi.com
4
MC74VHC541
八路总线缓冲器
该MC74VHC541是一种先进的高速CMOS八进制总线
缓冲与制造硅栅CMOS技术。它实现了高
类似相当于双极肖特基TTL ，而高速运转
保持CMOS低功耗。
该MC74VHC541是同相的类型。当任一OE1或
OE2都高，该终端输出处于高阻抗状态。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7.0 V，允许5.0 V接口
系统以3.0 V系统。
特点
http://onsemi.com
20
1
20
SOIC20WB
后缀DW
CASE 751D
高速：吨
PD
= 3.7ns （典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 4
mA
（最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2.0 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 1.2 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000伏;机器型号> 200 V
芯片的复杂性： 134场效应管或33.5等效门
这些器件是无铅和符合RoHS标准
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
产量
使
OE1
OE2
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
TSSOP20
后缀DT
CASE 948E
1
SOEIAJ20
使用后缀m
CASE 967
1
20
引脚分配
OE1
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE2
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
数据
输入
同相
输出
A8
GND
功能表
输入
OE1
OE2
L
L
X
H
A
L
H
X
X
输出y
L
H
Z
Z
Y8
L
L
H
X
图1.逻辑图
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
器件标识信息
查看该设备一般标识信息标识
节本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
， 2012年5月
启示录7
1
出版订单号：
MC74VHC541/D
MC74VHC541
最大额定值
符号
V
CC
V
in
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
SOIC封装
TSSOP封装
参数
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
20
±
20
±
25
±
50
500
450
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
_C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
V
CC
= 5.0V
±0.5V
V
CC
= 3.3V
±0.3V
参数
民
2.0
0
0
55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
_C
NS / V
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
50mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
4mA
I
OH
=
8mA
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
in
I
OZ
I
CC
最大输入漏
当前
最大三态泄漏
当前
最大静态电源
当前
V
in
= 5.5V或GND
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0到5.5
2.0
3.0到5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0至5.5
5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±
0.1
±
0.25
4.0
2.0
3.0
4.5
T
A
= 25°C
民
1.50
V
CC
x 0.7
0.50
V
CC
x 0.3
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1.0
±
2.5
40.0
mA
mA
mA
V
典型值
最大
T
A
=
55至125℃的
民
1.50
V
CC
x 0.7
0.50
V
CC
x 0.3
最大
单位
V
V
V
http://onsemi.com
2
MC74VHC541
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
T
A
= 25°C
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传播延迟，
一个为Y
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
t
PZL
,
t
PZH
输出使能时间，
OE为Y
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1KW
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1KW
t
PLZ
,
t
PHZ
输出禁止时间，
OE为Y
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1KW
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1KW
t
OSLH
,
t
OSHL
输出到输出偏斜
V
CC
= 3.3
±
0.3V
（注1 ）
V
CC
= 5.0
±
0.5V
（注1 ）
C
in
C
OUT
最大输入电容
最大三态输出
电容（输出高
阻抗状态）
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
4
6
民
典型值
5.0
7.5
3.5
5.0
6.8
9.3
4.7
6.2
11.2
6.0
最大
7.0
10.5
5.0
7.0
10.5
14.0
7.2
9.2
15.4
8.8
1.5
1.0
10
T
A
=
55至125℃的
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
8.5
12.0
6.0
8.0
12.5
16.0
8.5
10.5
17.5
10.0
1.5
1.0
10
ns
ns
pF
pF
ns
ns
单位
ns
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
C
PD
功率耗散电容（注2 ）
18
pF
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 （每比特） 。
PD
用于确定空载
动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ，C
L
= 50pF的，V
CC
= 5.0V)
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
参数
典型值
0.9
0.9
最大
1.2
1.2
3.5
1.5
单位
V
V
V
V
开关波形
V
CC
V
CC
A
t
PLH
50% V
CC
Y
50%
GND
t
PHL
Y
50% V
CC
V
OL
+0.3V
Y
t
PZH
50% V
CC
t
PHZ
V
OH
-0.3V
高
阻抗
OE1或OE2
50%
t
PZL
t
PLZ
50%
GND
高
阻抗
图2中。
http://onsemi.com
3
网络连接gure 3 。
MC74VHC541
测试电路
TEST
点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
设备
下
TEST
产量
TEST
点
1kW
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL
.
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH
.
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图4中。
图5中。
输入
图6.输入等效电路
订购信息
设备
MC74VHC541DWR2G
MC74VHC541DTG
MC74VHC541DTR2G
MC74VHC541MELG
包
SOIC20WB
（无铅）
TSSOP20
（无铅）
TSSOP20
（无铅）
SOEIAJ20
（无铅）
航运
1000 /磁带&卷轴
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
标记DIAGRAMS
SOIC20WB
20
VHC541
AWLYYWWG
1
1
20
VHC
541
ALYWG
G
TSSOP20
20
74VHC541
AWLYWWG
1
A
=大会地点
WL ， L =晶圆地段
YY ，Y =年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
SOEIAJ20
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
