【摩托罗拉半导体技术资料八路总线缓冲器该MC74VHC541是一种先进的高速CMOS八进制总线缓冲器制】,IC型号MC74VHC541DT,MC74VHC541DT PDF资料,MC74VHC541DT经销商,ic,电子元器件-51电子网

摩托罗拉

半导体技术资料

八路总线缓冲器

该MC74VHC541是一种先进的高速CMOS八进制总线缓冲器

制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速

操作类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持

CMOS的低功耗。

该MC74VHC541是同相的类型。当任一OE1或OE2是

高，该终端输出处于高阻抗状态。

内部电路由三个阶段，包括一个缓冲器输出

它提供了高抗噪性和稳定的输出。输入容忍

电压高达7V ，允许5V系统的接口， 3V的系统。

高速： tPD的= 3.7ns （典型值），在VCC = 5V

低功耗： ICC = 4μA （最大）在TA = 25℃

高抗干扰性： VNIH = VNIL = 28 ％ VCC

掉电保护的输入端

平衡传输延迟

专为2V至5.5V工作电压范围

低噪音： VOLP = 1.2V （最大）

引脚和功能兼容其他标准逻辑系列

闭锁性能超过300毫安

ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V

芯片的复杂性： 134场效应管或33.5等效门

MC74VHC541

DW后缀

20引脚SOIC封装WIDE

CASE 751D -04

DT后缀

20引脚TSSOP封装

CASE 948E -02

M后缀

20引脚SOIC封装EIAJ

CASE 967-01

订购信息

MC74VHCXXXDW

SOIC宽

MC74VHCXXXDT

TSSOP

MC74VHCXXXM

EIAJ SOIC

逻辑图

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

产量

使

OE1

OE2

2

3

4

5

6

7

8

9

1

19

18

17

16

15

14

13

12

11

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

Y6

Y7

Y8

引脚分配

同相

输出

OE1

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

VCC

OE2

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

Y6

Y7

Y8

数据

输入

功能表

输入

输出y

OE1

L

H

X

OE2

L

X

H

A

L

H

X

L

H

Z

4/98

摩托罗拉公司1998年

1

REV 2

*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏

可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的指示可能不利地

影响器件的可靠性。在绝对最大额定条件下的功能操作不

暗示。

降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/

_

C来自65

_

到125

_

C

TSSOP封装： - 6.1毫瓦/

_

C来自65

_

到125

_

C

MC74VHC541

最大额定值*

符号

VCC

VOUT

TSTG

ICC

IOK

IOUT

VIN

PD

IIK

储存温度

功率消耗在静止空气中，

直流电源电流， VCC和GND引脚

直流输出电流，每个引脚

输出二极管电流

输入二极管电流

直流输出电压

直流输入电压

直流电源电压

参数

SOIC封装

TSSOP封装

- 0.5 VCC + 0.5

- 65至+ 150

- 0.5 + 7.0

价值

– 20

±

50

±

25

±

20

500

450

单位

mW

mA

DC电气特性

推荐工作条件

摩托罗拉

符号

S B升

符号

VOH

VCC

VOL

VOUT

VIH

TR ， TF

VIL

VIN

TA

最底层

输出电压

最小高级别

输出电压

最底层

输入电压

最小高级别

输入电压

输入上升和下降时间

工作温度，所有封装类型

直流输出电压

直流输入电压

直流电源电压

参数

P

参数

VIN = VIH或VIL

IOL = 4毫安

IOL = 8毫安

VIN = VIH或VIL

IOL = 50μA

VIN = VIH或VIL

IOH = - 4毫安

IOH = - 8毫安

VIN = VIH或VIL

IOH = - 50μA

试验C迪我

T

条件

VCC = 3.3V

±0.3V

VCC = 5.0V

±0.5V

2.0

3.0以

5.5

2.0

3.0以

5.5

VCC

V

3.0

4.5

2.0

3.0

4.5

3.0

4.5

2.0

3.0

4.5

2

– 40

民

2.0

0

1.50

VCC ×0.7

2.58

3.94

民

1.9

2.9

4.4

VCC

+ 85

最大

100

20

5.5

TA = 25°C

NS / V

单位

_

C

_

C

典型值

V

0.0

2.0

3.0

4.5

0.50

VCC ×0.3

0.36

最大

0.1

该器件包含保护

电路，以防止损坏

由于高静电压或电

场。但是，必须注意事项

要注意避免的任何应用程序

电压比额定最大高

电压，这种高阻抗税务局局长

CUIT 。为了正常工作， Vin和

Vout的应该限制于

范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。

未使用的输入必须始终

绑定到适当的逻辑电

电平（例如， GND或V CC）。

未使用的输出必须悬空。

VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件

DL203 - 第2版

1.50

VCC ×0.7

TA = - 40 85°C

2.48

3.80

民

1.9

2.9

4.4

v

0.50

VCC ×0.3

0.44

最大

0.1

v

单位

U I

V

AC电气特性

（输入TR = TF = 3.0ns ）

DC电气特性

符号

S B升

符号

tOSLH ，

tOSHL

tPLH的，

的TPH1

tPLZ ，

tPHZ

tpZL ，

tpZH

COUT

ICC

IOZ

CPD

CIN

IIN

最大三态输出

电容（输出高

阻抗状态）

最大输入电容

输出到输出偏斜

输出禁止时间，

OE为Y

输出使能时间，

OE为Y

最大传播延迟，

一个为Y

最大静态

电源电流

最大的三态

漏电流

最大输入

漏电流

功耗

P

迪I I电容（N

i

（注NO TAG ）

参数

P

VIN = VCC或GND

VIN = VIL或VIH

VOUT = VCC或GND

VIN = 5.5V或GND

测试条件

VCC - 5.0

±

0.5V

（注NO TAG ）

VCC = 3.3

±

0.3V

（注NO TAG ）

VCC - 5.0

±

0.5V

RL = 1KΩ

VCC = 3.3

±

0.3V

RL = 1KΩ

VCC - 5.0

±

0.5V

RL = 1KΩ

VCC = 3.3

±

0.3V

RL = 1KΩ

VCC - 5.0

±

0.5V

VCC = 3.3

±

0.3V

试验C迪我

T

条件

0至5.5

VCC

V

5.5

CL = 50pF的

CL = 15pF的

CL = 50pF的

CL = 15pF的

CL = 50pF的

CL = 15pF的

CL = 50pF的

CL = 15pF的

CL = 50pF的

民

TA = 25°C

典型值

TA = 25°C

11.2

典型值

6.0

4.7

6.2

6.8

9.3

3.5

5.0

7.5

6

4

典型的25°C ， VCC = 5.0V

±

0.25

±

0.1

最大

4.0

15.4

10.5

14.0

最大

7.0

10.5

1.0

1.5

8.8

7.2

9.2

5.0

7.0

10

18

TA = - 40 85°C

民

TA = - 40 85°C

民

1.0

2. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。

平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR

)

= CPD

VCC

散热片+ ICC / 8 （每比特）。 CPD用于确定空载

动态功耗; PD = CPD

VCC2

散热片+ ICC

VCC 。

1.参数设计保证。 tOSLH = | tPLHm - tPLHn | ， tOSHL = | tPHLm - tPHLn | 。

VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件

DL203 - 第2版

符号

S B升

VOLP

VOLV

VIHD

VILD

最大低电平动态输入电压

最小高级别动态输入电压

安静的输出最低动态VOL

安静输出最大动力VOL

参数

P

噪声特性

（输入TR = TF = 3.0ns ， CL = 50pF的， VCC = 5.0V ）

3

– 0.9

典型值

0.9

TA = 25°C

– 1.2

最大

1.5

3.5

1.2

MC74VHC541

±

2.5

±

1.0

40.0

最大

10.0

17.5

12.5

16.0

最大

8.5

10.5

8.5

12.0

1.0

1.5

6.0

8.0

10

摩托罗拉

单位

U I

pF

F

单位

U I

单位

V

A

pF

ns

MC74VHC541

开关波形

VCC

A

TPLH

50 ％ VCC

Y

50%

GND

的TPH1

Y

50 ％ VCC

VOL + 0.3V

Y

tPZH tPHZ

VOH -0.3V

50 ％ VCC

高

阻抗

OE1或OE2

50%

tPZL tPLZ

50%

GND

高

阻抗

图1 。

图2中。

测试电路

TEST

点

产量

设备

下

TEST

CL *

设备

下

TEST

产量

TEST

点

1k

接VCC WHEN

测试tPLZ与tPZL 。

连接到GND WHEN

测试tPHZ与tPZH 。

CL *

*包括所有探测和夹具电容

网络连接gure 3 。

图4中。

输入等效电路

输入

摩托罗拉

4

VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件

DL203 - 第2版

MC74VHC541

外形尺寸

DW后缀

塑料SOIC封装WIDE

CASE 751D -04

问题E

–A–

20

11

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3.尺寸A和B不包括

模具的突起。

4.最大模具PROTRUSION 0.150

（ 0.006 ），每边。

5.尺寸D不包括

dambar突出。 ALLOWABLE

DAMBAR突出0.13

（ 0.005 ）总计超过D尺寸

在最大的物质条件。

暗淡

A

B

C

D

F

G

J

K

M

P

R

MILLIMETERS

民

最大

12.65

12.95

7.40

7.60

2.35

2.65

0.35

0.49

0.50

0.90

1.27 BSC

0.25

0.32

0.10

0.25

0

_

7

_

10.05

10.55

0.25

0.75

英寸

民

最大

0.499

0.510

0.292

0.299

0.093

0.104

0.014

0.019

0.020

0.035

0.050 BSC

0.010

0.012

0.004

0.009

0

_

7

_

0.395

0.415

0.010

0.029

–B–

1

10

10X

P

0.010 (0.25)

M

B

M

20X

D

M

0.010 (0.25)

T A

S

B

J

S

F

R

X 45

_

C

–T–

18X

座位

飞机

G

K

M

DT后缀

塑料TSSOP封装

CASE 948E -02

发出

20X

K

REF

M

0.15 （ 0.006 ）T ü

S

0.10 (0.004)

ü

S

V

S

K

K1

2X

L/2

L

销1

IDENT

1

10

B

–U–

J J1

N

0.15 （ 0.006 ）T ü

S

A

–V–

N

F

C

D

0.100 (0.004)

–T–

座位

飞机

G

H

DETAIL ê

VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件

DL203 - 第2版

5

第N-N

M

DETAIL ê

20

11

0.25 (0.010)

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3，维A不包括毛边，

突出或毛刺。毛边

或毛刺不会超过0.15

（ 0.006 ），每边。

4.尺寸b不包括引脚间

FLASH或突出。间的薄膜或

突出应该不超过0.25 （ 0.010 ）

每边。

5.尺寸k不包括密封条

前伸。允许的dambar

突出应该是0.08 （ 0.003 ）的总

超过维最大的

物质条件。

6.端子数列

仅供参考。

7，维A和B是待确定

AT基准面-W- 。

MILLIMETERS

民

最大

6.40

6.60

4.30

4.50

–––

1.20

0.05

0.15

0.50

0.75

0.65 BSC

0.27

0.37

0.09

0.20

0.09

0.16

0.19

0.30

0.19

0.25

6.40 BSC

0

_

8

_

英寸

民

最大

0.252

0.260

0.169

0.177

–––

0.047

0.002

0.006

0.020

0.030

0.026 BSC

0.011

0.015

0.004

0.008

0.004

0.006

0.007

0.012

0.007

0.010

0.252 BSC

0

_

8

_

–W–

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

J1

K

K1

L

M

摩托罗拉

MC74VHC541

八路总线缓冲器

该MC74VHC541是一种先进的高速CMOS八进制总线

缓冲与制造硅栅CMOS技术。它实现了高

类似相当于双极肖特基TTL ，而高速运转

保持CMOS低功耗。

该MC74VHC541是同相的类型。当任一OE1或

OE2都高，该终端输出处于高阻抗状态。

内部电路由三个阶段，包括一个缓冲

输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该

输入耐受电压高达7.0 V，允许5.0 V接口

系统以3.0 V系统。

特点

http://onsemi.com

20

1

SOIC20WB

后缀DW

CASE 751D

高速：吨

PD

= 3.7ns （典型值），在V

CC

= 5.0 V

低功耗：我

CC

= 4

mA

（最大）在T

A

= 25°C

高抗干扰性： V

美国国立卫生研究院

= V

NIL

= 28% V

CC

掉电保护的输入端

平衡传输延迟

专为2.0 V至5.5 V工作范围

低噪音： V

OLP

= 1.2 V（最大值）

引脚和功能兼容其他标准逻辑系列

闭锁性能超过300毫安

ESD性能： HBM > 2000伏;机器型号> 200 V

芯片的复杂性： 134场效应管或33.5等效门

无铅包可用*

A1

A2

A3

数据

输入

A4

A5

A6

A7

A8

产量

使

OE1

OE2

2

3

4

5

6

7

8

9

1

19

18

17

16

15

14

13

12

11

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

Y6

Y7

同相

输出

20

TSSOP20

后缀DT

CASE 948E

1

20

1

SOEIAJ20

使用后缀m

CASE 967

引脚分配

OE1

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

V

CC

OE2

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

Y6

Y7

Y8

功能表

输入

输出y

OE1

OE2

L

X

H

A

L

H

X

L

H

Z

L

H

X

Y8

订购信息

图1.逻辑图

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第4页。

器件标识信息

查看该设备一般标识信息标识

节本数据手册第4页。

1

2006年4月 - 修订版5

出版订单号：

MC74VHC541/D

MC74VHC541

最大额定值

符号

V

CC

V

in

参数

价值

单位

V

直流电源电压

直流输入电压

- 0.5 + 7.0

V

OUT

I

IK

直流输出电压

- 0.5 V

CC

+ 0.5

20

±

20

±

25

±

50

500

450

输入二极管电流

mA

I

OK

I

OUT

输出二极管电流

直流输出电流，每个引脚

I

CC

P

D

直流电源电流，V

CC

和GND引脚

功率消耗在静止空气中，

储存温度

SOIC封装

TSSOP封装

mW

_C

T

英镑

- 65至+ 150

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力

收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。

长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件

可靠性。

降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C

TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C

该器件包含保护

电路，以防止损坏

由于高静电压或电

场。但是，必须注意事项

要注意避免的任何应用程序

电压比额定最大高

电压，这种高阻抗税务局局长

CUIT 。为了正常工作，V

in

和

V

OUT

应限制到

范围GND

v

(V

in

或V

OUT

)

v

V

CC

.

未使用的输入必须始终

绑定到适当的逻辑电

电平（例如， GND或V

CC

).

未使用的输出必须悬空。

推荐工作条件

符号

V

CC

V

in

参数

直流电源电压

直流输入电压

民

2.0

0

最大

5.5

单位

V

OUT

T

A

直流输出电压

V

CC

工作温度，所有封装类型

输入上升和下降时间

V

CC

= 5.0V

±0.5V

40

0

+ 85

100

20

_C

t

r

, t

f

V

CC

= 3.3V

±0.3V

NS / V

DC电气特性

符号

V

IH

V

IL

参数

测试条件

V

CC

V

T

A

= 25°C

典型值

T

A

= - 4085 ℃下

民

最大

民

最大

单位

V

最低高电平输入

电压

2.0

3.0到5.5

2.0

3.0到5.5

2.0

3.0

4.5

3.0

4.5

2.0

3.0

4.5

3.0

4.5

1.50

V

CC

x 0.7

1.50

V

CC

x 0.7

最大低电平输入

电压

0.50

V

CC

x 0.3

0.50

V

CC

x 0.3

V

OH

最小高电平输出

电压

V

in

= V

IH

或V

IL

I

OH

_ = 50毫安

1.9

2.9

4.4

2.0

3.0

4.5

1.9

2.9

4.4

V

in

= V

IH

或V

IL

I

OH

= - 4毫安

I

OH

= - 8毫安

V

in

= V

IH

或V

IL

I

OL

= 50毫安

2.58

3.94

2.48

3.80

V

OL

最大低电平输出

电压

0.0

0.1

V

in

= V

IH

或V

IL

I

OL

= 4毫安

I

OL

= 8毫安

0.36

0.44

I

in

最大输入漏

当前

V

in

= 5.5V或GND

0至5.5

5.5

±

0.1

±

1.0

±

2.5

40.0

mA

I

OZ

最大三态泄漏

当前

V

in

= V

IL

或V

IH

V

OUT

= V

CC

或GND

V

in

= V

CC

或GND

±

0.25

4.0

I

CC

最大静态电源

当前

http://onsemi.com

2

MC74VHC541

AC电气特性

（输入吨

r

= t

f

= 3.0ns ）

符号

t

PLH

,

t

PHL

参数

T

A

= 25°C

典型值

5.0

7.5

3.5

5.0

6.8

9.3

4.7

6.2

T

A

= - 4085 ℃下

民

1.0

最大

8.5

12.0

6.0

8.0

测试条件

民

最大

单位

ns

最大传播延迟，

一个为Y

V

CC

= 3.3

±

0.3V

V

CC

= 5.0

±

0.5V

V

CC

= 3.3

±

0.3V

R

L

= 1KW

V

CC

= 5.0

±

0.5V

R

L

= 1KW

V

CC

= 3.3

±

0.3V

R

L

= 1KW

V

CC

= 5.0

±

0.5V

R

L

= 1KW

V

CC

= 3.3

±

0.3V

（注1 ）

V

CC

= 5.0

±

0.5V

（注1 ）

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 50pF的

7.0

10.5

5.0

7.0

t

PZL

,

t

PZH

输出使能时间，

OE为Y

10.5

14.0

7.2

9.2

12.5

16.0

ns

8.5

10.5

t

PLZ

,

t

PHZ

输出禁止时间，

OE为Y

11.2

6.0

15.4

8.8

1.5

1.0

10

17.5

10.0

1.5

1.0

10

ns

t

OSLH

,

t

OSHL

输出到输出偏斜

ns

C

in

最大输入电容

4

6

pF

C

OUT

最大三态输出

电容（输出高

阻抗状态）

典型的25°C ，V

CC

= 5.0V

18

C

PD

功率耗散电容（注2 ）

pF

1.参数设计保证。吨

OSLH

= |t

PLHm

t

PLHn

|, t

OSHL

= |t

PHLm

t

PHLn

|.

2. C

PD

是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。

平均工作电流可以由下式得到：我

CC （ OPR

)

= C

PD

V

CC

f

in

+ I

CC

/ 8 （每比特）。

PD

用于确定空载

动态功耗; P

D

= C

PD

V

CC2

f

in

+ I

CC

V

CC

.

噪声特性

（输入吨

r

= t

f

= 3.0ns ，C

L

= 50pF的，V

CC

= 5.0V)

T

A

= 25°C

符号

V

OLP

V

OLV

V

IHD

V

ILD

静默输出最大动态V

OL

安静的输出最低动态V

OL

最小高级别动态输入电压

最大低电平动态输入电压

参数

典型值

0.9

最大

1.2

3.5

1.5

单位

V

开关波形

V

CC

V

CC

A

t

PLH

50% V

CC

Y

50%

t

PHL

GND

Y

50% V

CC

t

PZH

50% V

CC

t

PHZ

V

OH

0.3V

高

阻抗

V

OL

+0.3V

OE1或OE2

50%

t

PZL

t

PLZ

50%

GND

高

阻抗

Y

图2中。

网络连接gure 3 。

http://onsemi.com

3

MC74VHC541

测试电路

TEST

点

产量

设备

下

TEST

C

L

*

设备

下

TEST

产量

TEST

点

1kW

C

L

*

连接到V

CC

当

测试吨

PLZ

和T

PZL

.

连接到GND WHEN

测试吨

PHZ

和T

PZH

.

*包括所有探测和夹具电容

图4中。

图5中。

输入

图6.输入等效电路

订购信息

设备

MC74VHC541DWR2

MC74VHC541DWR2G

MC74VHC541DT

MC74VHC541DTG

MC74VHC541DTR2

MC74VHC541DTR2G

MC74VHC541MEL

MC74VHC541MELG

包

SOIC20WB

（无铅）

TSSOP20*

SOEIAJ20

（无铅）

航运

1000 /磁带&卷轴

75单位/铁

2500 /磁带&卷轴

2000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

*这个包本身是无铅。

标记DIAGRAMS

SOIC20WB

20

VHC541

AWLYYWWG

1

20

VHC

541

ALYWG

G

1

TSSOP20

20

74VHC541

AWLYWWG

1

A

=大会地点

WL ， L =晶圆地段

YY ，Y =年

WW ，W =工作周

G或

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

SOEIAJ20

http://onsemi.com

4

MC74VHC541

包装尺寸

SOIC- 20 WB

DW后缀

CASE 751D -05

ISSUE摹

D

注意事项：

1.尺寸以毫米为单位。

2. INTERPRET尺寸和公差

按照ASME Y14.5M ， 1994年。

3.尺寸D和E不包括塑模

前伸。

4.最大模具PROTRUSION 0.15每边。

5.尺寸b不包括密封条

前伸。 ALLOWABLE PROTRUSION

SHALL BE 0.13合计总额超过B的

DIMENSION最大材料

条件。

暗淡

A

A1

B

C

D

E

e

H

h

L

q

MILLIMETERS

民

最大

2.35

2.65

0.10

0.25

0.35

0.49

0.23

0.32

12.65

12.95

7.40

7.60

1.27 BSC

10.05

10.55

0.25

0.75

0.50

0.90

0

_

7

_

A

11

X 45

_

q

H

M

B

M

20

10X

0.25

E

1

10

20X

B

0.25

M

B

T A

S

B

S

A

座位

飞机

h

18X

e

A1

T

C

TSSOP20

DT后缀

CASE 948E -02

问题B

20X

L

K

REF

M

0.15 （ 0.006 ）T ü

S

0.10 (0.004)

ü

S

V

S

B

L

销1

IDENT

1

10

J J1

U

N

0.15 （ 0.006 ）T ü

S

A

V

N

F

C

D

0.100 (0.004)

T

座位

飞机

G

H

DETAIL ê

http://onsemi.com

5

第N-N

M

DETAIL ê

2X

L/2

20

11

K

K1

0.25 (0.010)

注意事项：

1.尺寸和公差

符合ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：

毫米。

3，维A不包括

毛边，突出或

毛刺。塑模的毛边或毛刺

不得超过0.15 （ 0.006 ） PER

SIDE 。

4.尺寸b不包括

间的薄膜或凸出部分。

引脚间的薄膜或突出

不大于0.25 （ 0.010 ） PER

SIDE 。

5.尺寸k不包括

dambar突出。 ALLOWABLE

DAMBAR突出为0.08

（ 0.003 ）总计超过K型

DIMENSION最大材料

条件。

6.终端号码显示

仅供参考。

7，维A和B是被

DETERMINED AT基准面-W- 。

MILLIMETERS

民

最大

6.40

6.60

4.30

4.50

1.20

0.05

0.15

0.50

0.75

0.65 BSC

0.27

0.37

0.09

0.20

0.09

0.16

0.19

0.30

0.19

0.25

6.40 BSC

0

_

8

_

英寸

民

最大

0.252

0.260

0.169

0.177

0.047

0.002

0.006

0.020

0.030

0.026 BSC

0.011

0.015

0.004

0.008

0.004

0.006

0.007

0.012

0.007

0.010

0.252 BSC

0

_

8

_

W

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

J1

K

K1

L

M