摩托罗拉
半导体技术资料
八路D型锁存器
具有三态输出
该MC74VHC373是一种先进的高速CMOS八进制锁存器与
三态输出与制造的硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极肖特基TTL ，而高速运转
保持CMOS低功耗。
这8位D型锁存器由一个锁存使能控制输入端和一个输出
使能输入。当输出使能输入为高时， 8输出处于
高阻抗状态。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲器输出
它提供了高抗噪性和稳定的输出。输入容忍
电压高达7V ，允许5V系统的接口， 3V的系统。
高速： tPD的= 5.0ns （典型值） ，在VCC = 5V
低功耗： ICC = 4μA （最大）在TA = 25℃
高抗干扰性： VNIH = VNIL = 28 ％ VCC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： VOLP = 0.9V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 186场效应管或46.5等效门
MC74VHC373
DW后缀
20引脚SOIC封装
CASE 751D -04
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCXXXDW
SOIC
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
EIAJ SOIC
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
3
4
7
8
13
14
17
18
2
5
6
9
12
15
16
19
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
引脚分配
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
LE
LE
OE
11
1
D3
Q3
GND
功能表
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
6/97
摩托罗拉1997年公司
1
REV 1
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的指示可能不利地
影响器件的可靠性。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHC373
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
75
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
S B升
符号
VOH
VCC
VOL
VOUT
VIH
TR ， TF
VIL
VIN
TA
IIN
最大输入
漏电流
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
P
参数
VIN = 5.5 V或GND
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = - 4毫安
IOH = - MA8
VIN = VIH或VIL
IOH = - 50μ
A
试验C迪我
T
条件
VCC = 3.3V
VCC = 5.0V
0至5.5
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
VCC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
2
– 40
民
2.0
0
0
0
0
1.50
VCC ×0.7
2.58
3.94
民
1.9
2.9
4.4
VCC
+ 85
最大
100
20
5.5
5.5
TA = 25°C
NS / V
单位
_
C
_
C
典型值
V
V
V
V
V
V
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
0.50
VCC ×0.3
±
0.1
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V CC） 。
未使用的输出必须悬空。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
1.50
VCC ×0.7
TA = - 40 85°C
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
v
0.50
VCC ×0.3
±
1.0
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
v
单位
U I
A
V
V
V
V
AC电气特性
（输入TR = TF = 3.0ns ）
DC电气特性
符号
S B升
符号
tOSLH ，
tOSHL
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLZ ，
tPHZ
tpZL ，
tpZH
COUT
ICC
IOZ
CIN
最大三态输出
电容（在输出
高阻态）
最大输入电容
输出到输出偏斜
输出禁止时间，
OE为Q
输出使能时间，
OE为Q
最大传播延迟，
LE到Q
最大传播延迟，
D到Q
最大静态
电源电流
最大的三态
漏电流
参数
参数
P
VIN = VCC或GND
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
测试条件
VCC = 5.5
±
0.5V
（注1 ）
VCC = 3.3
±
0.3V
（注1 ）
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3V
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3V
试验C迪我
T
条件
VCC
V
5.5
5.5
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
民
民
TA = 25°C
典型值
TA = 25°C
典型值
6.5
9.5
5.5
7.0
7.3
9.8
5.0
6.5
7.3
9.8
4.9
6.4
7.0
9.5
6
4
典型的25°C ， VCC = 5.0V
±
0.25
最大
4.0
13.2
最大
11.4
14.9
11.4
14.9
11.0
14.5
8.1
10.1
1.0
1.5
9.2
7.2
9.2
7.2
9.2
10
TA = - 40 85°C
民
TA = - 40 85°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC / 8 （每锁存器） 。 CPD用于确定空载
动态功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
1.参数设计保证。 tOSLH = | tPLHm - tPLHn | ， tOSHL = | tPHLm - tPHLn | 。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
CPD
VILD
电力迪我I C
P
耗散电容（N
i
（注2 ）
2.)
最大低电平动态输入电压
最小高级别动态输入电压
安静的输出最低动态VOL
安静输出最大动力VOL
参数
P
噪声特性
（输入TR = TF = 3.0ns ， CL = 50 pF的， VCC = 5.0V ）
3
– 0.6
典型值
0.6
27
TA = 25°C
– 0.9
最大
1.5
3.5
0.9
MC74VHC373
±
2.5
40.0
最大
10.5
15.0
13.5
17.0
13.5
17.0
13.0
16.5
最大
8.5
10.5
8.5
10.5
9.5
11.5
1.0
1.5
10
摩托罗拉
单位
U I
pF
F
单位
U I
单位
V
V
V
V
A
A
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
摩托罗拉
半导体技术资料
八路D型锁存器
具有三态输出
该MC74VHC373是一种先进的高速CMOS八进制锁存器与
三态输出与制造的硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极肖特基TTL ，而高速运转
保持CMOS低功耗。
这8位D型锁存器由一个锁存使能控制输入端和一个输出
使能输入。当输出使能输入为高时， 8输出处于
高阻抗状态。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲器输出
它提供了高抗噪性和稳定的输出。输入容忍
电压高达7V ，允许5V系统的接口， 3V的系统。
高速： tPD的= 5.0ns （典型值） ，在VCC = 5V
低功耗： ICC = 4μA （最大）在TA = 25℃
高抗干扰性： VNIH = VNIL = 28 ％ VCC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： VOLP = 0.9V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 186场效应管或46.5等效门
MC74VHC373
DW后缀
20引脚SOIC封装
CASE 751D -04
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCXXXDW
SOIC
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
EIAJ SOIC
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
3
4
7
8
13
14
17
18
2
5
6
9
12
15
16
19
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
引脚分配
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
LE
LE
OE
11
1
D3
Q3
GND
功能表
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
6/97
摩托罗拉1997年公司
1
REV 1
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的指示可能不利地
影响器件的可靠性。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHC373
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
75
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
S B升
符号
VOH
VCC
VOL
VOUT
VIH
TR ， TF
VIL
VIN
TA
IIN
最大输入
漏电流
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
P
参数
VIN = 5.5 V或GND
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = - 4毫安
IOH = - MA8
VIN = VIH或VIL
IOH = - 50μ
A
试验C迪我
T
条件
VCC = 3.3V
VCC = 5.0V
0至5.5
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
VCC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
2
– 40
民
2.0
0
0
0
0
1.50
VCC ×0.7
2.58
3.94
民
1.9
2.9
4.4
VCC
+ 85
最大
100
20
5.5
5.5
TA = 25°C
NS / V
单位
_
C
_
C
典型值
V
V
V
V
V
V
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
0.50
VCC ×0.3
±
0.1
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V CC） 。
未使用的输出必须悬空。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
1.50
VCC ×0.7
TA = - 40 85°C
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
v
0.50
VCC ×0.3
±
1.0
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
v
单位
U I
A
V
V
V
V
AC电气特性
（输入TR = TF = 3.0ns ）
DC电气特性
符号
S B升
符号
tOSLH ，
tOSHL
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLZ ，
tPHZ
tpZL ，
tpZH
COUT
ICC
IOZ
CIN
最大三态输出
电容（在输出
高阻态）
最大输入电容
输出到输出偏斜
输出禁止时间，
OE为Q
输出使能时间，
OE为Q
最大传播延迟，
LE到Q
最大传播延迟，
D到Q
最大静态
电源电流
最大的三态
漏电流
参数
参数
P
VIN = VCC或GND
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
测试条件
VCC = 5.5
±
0.5V
（注1 ）
VCC = 3.3
±
0.3V
（注1 ）
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3V
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3V
试验C迪我
T
条件
VCC
V
5.5
5.5
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
民
民
TA = 25°C
典型值
TA = 25°C
典型值
6.5
9.5
5.5
7.0
7.3
9.8
5.0
6.5
7.3
9.8
4.9
6.4
7.0
9.5
6
4
典型的25°C ， VCC = 5.0V
±
0.25
最大
4.0
13.2
最大
11.4
14.9
11.4
14.9
11.0
14.5
8.1
10.1
1.0
1.5
9.2
7.2
9.2
7.2
9.2
10
TA = - 40 85°C
民
TA = - 40 85°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC / 8 （每锁存器） 。 CPD用于确定空载
动态功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
1.参数设计保证。 tOSLH = | tPLHm - tPLHn | ， tOSHL = | tPHLm - tPHLn | 。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
CPD
VILD
电力迪我I C
P
耗散电容（N
i
（注2 ）
2.)
最大低电平动态输入电压
最小高级别动态输入电压
安静的输出最低动态VOL
安静输出最大动力VOL
参数
P
噪声特性
（输入TR = TF = 3.0ns ， CL = 50 pF的， VCC = 5.0V ）
3
– 0.6
典型值
0.6
27
TA = 25°C
– 0.9
最大
1.5
3.5
0.9
MC74VHC373
±
2.5
40.0
最大
10.5
15.0
13.5
17.0
13.5
17.0
13.0
16.5
最大
8.5
10.5
8.5
10.5
9.5
11.5
1.0
1.5
10
摩托罗拉
单位
U I
pF
F
单位
U I
单位
V
V
V
V
A
A
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
QQ：2881677436 复制
