MC74VHC259
8-
位的寻址
锁存/ 1 -8解码器
-of-
CMOS逻辑电平转换器
与LSTTL-
兼容的输入
该MC74VHC259是一个8
位的寻址锁存与制造
硅栅CMOS技术。它实现了类似于高速操作
同时保持CMOS低等效双极肖特基TTL器件
功耗。
该VHC259被设计为在通用存储应用
数字系统。该设备具有4种操作模式中所示的
模式选择表。在可寻址锁存模式中，数据在数据
被写入到所寻址的锁存器。该解决锁存如下数据
输入与所有的非
可编址锁存器留在他们以前的状态。在
内存模式下，所有的锁存器保持之前的状态，并
不受数据或地址输入。在单-eight解码
-of-
或解复用模式中，被寻址的输出如下的数据的状态，在
在低状态的所有其它输出。在复位模式下，所有的输出
低和不受地址和数据输入。当操作
VHC259作为一个可寻址锁存器，改变所述一个以上的位
地址可以并处一过错误的地址。因此，这应
只而在内存模式下进行。
该MC74VHC259输入结构时提供保护电压
多达7 V被施加，而与电源电压无关。这允许
要使用MC74VHC259接口5伏的电路到3V的电路。
高速：吨
PD
= 7.6纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 2
μA
（最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
CMOS - 兼容输出： V
OH
> 0.8 V
CC
; V
OL
< 0.1 V
CC
@Load
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000 V
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
9
SOIC-
-16
后缀
CASE 751B
VHC259
AWLYYWW
1
8
16
9
TSSOP-
-16
DT后缀
CASE 948F
VHC259
AWLYWW
1
8
16
9
SOIC EIAJ-
-16
M后缀
CASE 966
VHC259
ALYW
1
8
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
这些器件采用有铅
-free包（多个） 。本文规格
适用于标准和有铅
- 免费设备。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com具体有铅
- 免费订购部件号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
A0
A1
A2
Q0
Q1
Q2
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
RESET
启用
DATA IN
Q7
Q6
Q5
Q4
订购信息
设备
MC74VHC259D
MC74VHC259DR2
MC74VHC259DT
包
SOIC--16
SOIC--16
TSSOP--16
SOIC
EIAJ--16
SOIC
EIAJ--16
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
2500个/卷
50单位/铁
2000个/卷
MC74VHC259DTR2 TSSOP - 16
MC74VHC259M
MC74VHC259MEL
图1.引脚分配
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月 - 第3版
-
1
出版订单号：
MC74VHC259/D
MC74VHC259
最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
V
ESD
正直流电源电压
数字输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
和下面GND在125℃下（注5 ）
SOIC封装
TSSOP
SOIC封装
TSSOP
参数
价值
--0.5到7.0
--0.5到7.0
--0.5到V
CC
+0.5
--20
±20
±25
±75
200
180
--65到150
>2000
>200
>2000
±300
143
164
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
V
I
锁存器 - 最多
θ
JA
锁存器 - 性能最多
mA
° C / W
热阻，结到环境
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应被限制到
推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 - 一个
3.经测试EIA / JESD22 - A115 - 一个
4.经测试JESD22 - C101 - 一个
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围，所有封装类型
输入信号上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V + 0.3 V
V
CC
= 5.0 V + 0.5 V
特征
民
2.0
0
0
--55
0
最大
5.5
5.5
V
CC
125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 130
°
C
TJ = 110
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间，岁月
TJ = 90
°
C
1
1
10
1000
图5.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
4
MC74VHC259
DC特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最小高 - 级别
输入电压
最大低 - 级
输入电压
最大高 - 级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= --50
μA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
OL
最大低 - 级
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
μA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
IN
I
CC
输入漏电流
最大静态
电源电流
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
条件
(V)
2.0
3.0to 5.5
2.0
3.0to 5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0至5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.36
0.36
±0.1
4.0
0.1
0.1
0.1
2.0
3.0
4.5
民
1.5
V
CCx中
0.7
0.5
V
CCx中
0.3
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
40.0
T
A
= 25°C
典型值
最大
-
-55°C
≤
T
A
≤
125°C
民
1.5
V
CCx中
0.7
0.5
V
CCx中
0.3
最大
单位
V
V
V
V
V
V
μA
μA
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
T
A
= 25°C
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大
传播延迟，
数据输出
（图6和图11）
最大
传播延迟，
地址选择
产量
（图7和图11 ）
最大
传播延迟，
使能到输出
（图8和图11）
最大
传播延迟，
复位输出
（图9和11 ）
最大输入
电容
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
民
典型值
6.0
8.5
4.9
7.0
6.0
8.5
4.9
7.0
6.0
8.5
4.9
7.0
6.0
8.5
4.9
7.0
6
最大
8.5
12.5
8.0
10.0
8.5
12.5
8.0
10.0
8.5
12.5
8.0
10.0
8.5
12.5
8.0
10.0
10
T
A
≤
85°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
11.5
14.5
9.5
11.5
11.5
14.5
9.5
11.5
11.5
14.5
9.5
11.5
11.5
14.5
9.5
11.5
10
-
-55°C
≤
T
A
≤
125°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
11.5
14.5
9.5
11.5
11.5
14.5
9.5
11.5
11.5
14.5
9.5
11.5
11.5
14.5
9.5
11.5
10
pF
ns
ns
ns
单位
ns
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PHL
C
IN
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
30
C
PD
功率耗散电容（注1 ）
pF
1. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
被用于确定所述无 - 负载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
http://onsemi.com
5
MC74VHC259
8位可寻址
锁存器/ 1- - 8解码器
CMOS逻辑电平转换器
与LSTTL兼容输入
该MC74VHC259是一个8位可寻址锁存与制造
硅栅CMOS技术。它实现了类似于高速操作
同时保持CMOS低等效双极肖特基TTL器件
功耗。
该VHC259被设计为在通用存储应用
数字系统。该设备具有4种操作模式中所示的
模式选择表。在可寻址锁存模式中，数据在数据
被写入到所寻址的锁存器。该解决锁存如下数据
输入，留在他们以前的状态的所有非寻址锁存器。在
内存模式下，所有的锁存器保持之前的状态，并
不受数据或地址输入。在所述一对的八个解码
或解复用模式中，被寻址的输出如下的数据的状态，在
在低状态的所有其它输出。在复位模式下，所有的输出
低和不受地址和数据输入。当操作
VHC259作为一个可寻址锁存器，改变所述一个以上的位
地址可以并处一过错误的地址。因此，这应
只而在内存模式下进行。
该MC74VHC259输入结构时提供保护电压
多达7 V被施加，而与电源电压无关。这允许
要使用MC74VHC259接口5伏的电路到3V的电路。
高速：吨
PD
= 7.6纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 2
A
（最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
CMOS兼容输出： V
OH
> 0.8 V
CC
; V
OL
< 0.1 V
CC
@Load
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000 V
A0
A1
A2
Q0
Q1
Q2
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
RESET
启用
DATA IN
Q7
Q6
Q5
Q4
MC74VHC259MEL
设备
MC74VHC259D
MC74VHC259DR2
MC74VHC259DT
包
SOIC–16
SOIC–16
TSSOP–16
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
2500个/卷
50单位/铁
2000个/卷
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
9
SOIC–16
后缀
CASE 751B
VHC259
AWLYYWW
1
8
16
9
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
VHC259
AWLYWW
1
8
16
9
EIAJ SOIC -16
M后缀
CASE 966
VHC259
ALYW
1
8
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
MC74VHC259DTR2 TSSOP -16
MC74VHC259M
SOIC
EIAJ–16
SOIC
EIAJ–16
图1.引脚分配
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年4月 - 第2版
出版订单号：
MC74VHC259/D
MC74VHC259
最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
V
ESD
正直流电源电压
数字输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
和下面GND在125℃下（注5 ）
SOIC封装
TSSOP
SOIC封装
TSSOP
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
–20
$20
$25
$75
200
180
-65到+150
>2000
>200
>2000
$300
143
164
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
V
I
LATCH -UP
q
JA
闭锁性能
mA
° C / W
热阻，结到环境
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应被限制到
推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围，所有封装类型
输入信号上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V + 0.3 V
V
CC
= 5.0 V + 0.5 V
特征
民
2.0
0
0
–55
0
最大
5.5
5.5
V
CC
125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 110
°
C
TJ = 130
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间，岁月
TJ = 90
°
C
1
1
10
1000
图5.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
4
MC74VHC259
DC特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最小高级别
输入电压
最底层
输入电压
最高层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= –50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
IN
I
CC
输入漏电流
最大静态
电源电流
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
条件
(V)
2.0
3.0to 5.5
2.0
3.0to 5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0至5.5
5.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.36
0.36
±0.1
4.0
0.1
0.1
0.1
2.0
3.0
4.5
民
1.5
V
CCx中
0.7
0.5
V
CCx中
0.3
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
40.0
A
A
V
T
A
= 25°C
典型值
最大
–55°C
≤
T
A
≤
125°C
民
1.5
V
CCx中
0.7
0.5
V
CCx中
0.3
最大
单位
V
V
V
V
V
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
T
A
= 25°C
典型值
6.0
8.5
4.9
7.0
6.0
8.5
4.9
7.0
6.0
8.5
4.9
7.0
6.0
8.5
4.9
7.0
6
T
A
≤
85°C
–55°C
≤
T
A
≤
125°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
符号
参数
测试条件
民
最大
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
最大
单位
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大
传播延迟，
g
y
数据输出
吨吨吨吨
（图6和图11）
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
8.5
12.5
8.0
10.0
8.5
12.5
8.0
10.0
8.5
12.5
8.0
10.0
8.5
12.5
8.0
10.0
10
11.5
14.5
9.5
11.5
11.5
14.5
9.5
11.5
t
PLH
,
t
PHL
最大
传播延迟，
地址选择
产量
（图7和图11 ）
最大
传播延迟，
g
y
BL吨吨吨
使能到输出
（图8和图11）
最大
传播延迟，
g
y
复位输出
R
TT 吨吨
（图9和11 ）
最大输入
电容
11.5
14.5
9.5
11.5
11.5
14.5
9.5
11.5
ns
t
PLH
,
t
PHL
11.5
14.5
9.5
11.5
11.5
14.5
9.5
11.5
ns
t
PHL
11.5
14.5
9.5
11.5
10
11.5
14.5
9.5
11.5
10
ns
C
IN
pF
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
30
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
pF
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
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5
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