摩托罗拉
半导体技术资料
八路总线收发器
该MC74VHC245是一种先进的高速CMOS八进制总线
收发器制造与硅栅CMOS技术。它实现了高
同时保持类似相当于双极肖特基TTL高速运转
CMOS的低功耗。
它的目的是为数据之间的双向异步通信
巴士。数据传输的方向是由所述优先级确定
DIR输入。输出使能引脚（OE）可以用于禁用该设备，所以
该公交车被有效隔离。
所有的输入都配有防止静电放电保护电路。
高速： tPD的= 4.0ns （典型值） ，在VCC = 5V
低功耗： ICC = 4μA （最大）在TA = 25℃
高抗干扰性： VNIH = VNIL = 28 ％ VCC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： VOLP = 1.2V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 308场效应管或77个等效门
MC74VHC245
DW后缀
20引脚SOIC封装
CASE 751D -04
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
应用笔记
1.不要强迫一个信号，一个I / O引脚，当它是一个主动的输出，可能损坏
发生。
2.所有浮动（高阻抗）输入或I / O引脚都必须固定方式
上拉或下拉电阻或总线终结器集成电路。
3，寄生二极管的总线和VCC端子之间形成。因此，
该VHC245不能用于接口5V直接3V的系统。
逻辑图
A1
A2
A3
A
数据
PORT
A4
A5
A6
A7
A8
DIR
OE
2
3
4
5
6
7
8
9
1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B
数据
PORT
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCXXXDW
SOIC
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
EIAJ SOIC
引脚分配
DIR
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
OE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
功能表
控制输入
OE
L
L
H
DIR
L
H
X
手术
O
i
从总线B发送到总线的数据
从总线A发送到总线B数据
公交车隔离（高阻抗状态）
6/97
摩托罗拉1997年公司
1
REV 1
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的指示可能不利地
影响器件的可靠性。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHC245
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
在静止空气中的功耗
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
75
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
S B升
符号
VOH
VCC
VOL
VOUT
VIH
TR ， TF
VIL
VIN
TA
IIN
最大输入
漏电流
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
P
参数
VIN = 5.5 V或GND
（ DIR ， OE ）
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = - 4毫安
IOH = - 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOH = - 50μA
试验C迪我
T
条件
VCC = 3.3V
±0.3V
VCC = 5.0V
±0.5V
0至5.5
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
VCC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
2
– 40
民
2.0
0
0
0
0
1.50
VCC ×0.7
2.58
3.94
民
1.9
2.9
4.4
VCC
+ 85
最大
100
20
5.5
5.5
TA = 25°C
NS / V
单位
_
C
_
C
典型值
V
V
V
V
V
V
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
0.50
VCC ×0.3
±
0.1
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V CC） 。
未使用的输出必须悬空。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
1.50
VCC ×0.7
TA = - 40 85°C
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
v
0.50
VCC ×0.3
±
1.0
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
v
单位
U I
A
V
V
V
V
AC电气特性
（输入TR = TF = 3.0ns ）
DC电气特性
符号
S B升
符号
tOSLH ，
tOSHL
tPLH的，
的TPH1
tPLZ ，
tPHZ
tpZL ，
tpZH
CI / O
ICC
IOZ
CPD
CIN
最大的三态
I / O容量
最大输入电容
DIR ， OE
输出到输出偏斜
输出禁止时间
OE为A或B
输出使能时间
OE为A或B
最大传播延迟，
A到B或B到A
最大静态
电源电流
最大的三态
漏电流
电力迪我I C
P
耗散电容（N
i
（注2 ）
2.)
参数
参数
P
VIN = VCC或GND
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
测试条件
VCC - 5.0
±
0.5V
（注1 ）
VCC = 3.3
±
0.3V
（注1 ）
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1 kΩ的
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1 kΩ的
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1 kΩ的
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1 kΩ的
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3V
试验C迪我
T
条件
VCC
V
5.5
5.5
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
民
民
TA = 25°C
典型值
TA = 25°C
11.5
8.5
11.0
典型值
7.0
5.8
7.3
4.0
5.5
5.8
8.3
8
4
典型的25°C ， VCC = 5.0V
±
0.25
最大
4.0
15.8
13.2
16.7
最大
8.5
10.6
8.4
11.9
1.0
1.5
9.7
5.5
7.5
10
21
TA = - 40 85°C
民
TA = - 40 85°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC / 8 （每比特） 。 CPD用于确定空载
动态功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
1.参数设计保证。 tOSLH = | tPLHm - tPLHn | ， tOSHL = | tPHLm - tPHLn | 。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
VILD
最大低电平动态输入电压
最小高级别动态输入电压
安静的输出最低动态VOL
安静输出最大动力VOL
参数
P
噪声特性
（输入TR = TF = 3.0ns ， CL = 50pF的， VCC = 5.0V ）
3
–0.9
典型值
0.9
TA = 25°C
–1.2
最大
1.5
3.5
1.2
MC74VHC245
±
2.5
40.0
最大
18.0
10.0
12.0
15.5
19.0
10.0
13.5
最大
11.0
1.0
1.5
6.5
8.5
10
摩托罗拉
单位
U I
pF
F
单位
U I
单位
V
V
V
V
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ON Semiconductort
该MC74VHC245是一种先进的高速CMOS八进制总线
收发器制造与硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极肖特基TTL高速运转
同时保持CMOS低功耗。
它是用于之间双向异步通信
数据总线。数据传输的方向是由确定的
在DIR输入电平。输出使能引脚（OE）可以用来
禁用该设备，以使总线有效地分离出来。
所有的输入都配备了防静电保护电路
放电。
高速：吨
PD
= 4.0ns （典型值），在V
CC
= 5V
低功耗：我
CC
= 4μA （最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： V
OLP
= 1.2V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 308场效应管或77个等效门
八路总线收发器
MC74VHC245
DW后缀
20引脚SOIC封装WIDE
CASE 751D -05
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCXXXDW
SOIC宽
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
EIAJ SOIC
w
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
应用笔记
不要强迫一个信号，一个I / O引脚，当它是一个主动的输出，
可能会损坏。
所有浮动（高阻抗）输入或I / O引脚必须固定
指上拉或下拉电阻或总线终结器集成电路。
寄生二极管总线和V之间形成
CC
终端。
因此， VHC245不能用于接口5V到3V系统
直接。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
启5
1
出版订单号：
MC74VHC245/D
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的表示可
器件的可靠性产生不利影响。下的功能操作绝对最大额定值
条件是不是暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
最大额定值*
符号
V
CC
V
OUT
T
英镑
I
CC
I
OK
I
OUT
V
in
P
D
I
IK
储存温度
在静止空气中的功耗
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
20
±
75
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
_C
V
V
V
DC电气特性
推荐工作条件
符号
符号
V
OH
V
OL
V
CC
V
OUT
V
IH
t
r
, t
f
V
IL
V
in
T
A
I
in
最大输入
漏电流
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
参数
V
in
= 5.5 V或GND
（ DIR ， OE ）
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50μA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
4mA
I
OH
=
8mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
50μA
测试条件
V
CC
= 3.3V
±0.3V
V
CC
=5.0V
±0.5V
http://onsemi.com
0至5.5
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
V
CC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
40
民
2.0
0
0
0
0
1.9
2.9
4.4
3
1.50
V
CC
x 0.7
2.58
3.94
民
+ 85
最大
V
CC
100
20
5.5
5.5
T
A
= 25°C
典型值
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
NS / V
单位
_C
V
V
V
0.50
V
CC
x 0.3
±
0.1
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
1.50
V
CC
x 0.7
T
A
=
4085 ℃下
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
0.50
V
CC
x 0.3
±
1.0
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
单位
μA
V
V
V
V
21
C
PD
功率耗散电容（注2 ）
pF
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 （每比特） 。
PD
用于确定空载
动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
DC电气特性
符号
符号
t
OSLH
,
t
OSHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
C
I / O
I
CC
I
OZ
C
in
最大的三态
I / O容量
最大输入电容
DIR ， OE
输出到输出偏斜
输出禁止时间
OE为A或B
输出使能时间
OE为A或B
最大传播延迟，
A到B或B到A
最大静态
电源电流
最大
三态漏
当前
参数
参数
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
测试条件
V
CC
= 5.0
±
0.5V
（注1 ）
V
CC
= 3.3
±
0.3V
（注1 ）
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1 kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1 kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1 kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1 kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
测试条件
V
CC
V
5.5
5.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
民
民
T
A
= 25°C
典型值
T
A
= 25°C
11.5
8.5
11.0
典型值
7.0
5.8
7.3
4.0
5.5
5.8
8.3
8
4
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
±
0.25
最大
4.0
8.5
10.6
15.8
13.2
16.7
最大
8.4
11.9
1.0
1.5
9.7
5.5
7.5
10
T
A
=
4085 ℃下
民
T
A
=
4085 ℃下
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
±
2.5
40.0
最大
18.0
10.0
12.0
15.5
19.0
10.0
13.5
最大
11.0
1.0
1.5
6.5
8.5
10
单位
单位
μA
μA
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ，C
L
= 50pF的，V
CC
= 5.0V)
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
最大低电平动态输入电压
最小高级别动态输入电压
安静的输出最低动态V
OL
静默输出最大动态V
OL
参数
http://onsemi.com
0.9
典型值
0.9
T
A
= 25°C
1.2
最大
1.5
3.5
1.2
单位
V
V
V
V
4
QQ：2881677436 复制
