摩托罗拉
半导体技术资料
八路总线缓冲器
该MC74VHC244是一种先进的高速CMOS八进制总线缓冲器
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持
CMOS的低功耗。
该MC74VHC244是一个非反相三态缓冲器，并且具有两个
低电平有效输出使能。此装置被设计成与3态中使用
存储器地址驱动器等
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲器输出
它提供了高抗噪性和稳定的输出。输入容忍
电压高达7V ，允许5V系统的接口， 3V的系统。
高速： tPD的= 3.9ns （典型值） ，在VCC = 5V
低功耗： ICC = 4μA （最大）在TA = 25℃
高抗干扰性： VNIH = VNIL = 28 ％ VCC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： VOLP = 0.9V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 136场效应管或34个等效门
逻辑图
A1
A2
A3
A4
数据
输入
B1
B2
B3
B4
2
4
6
8
11
13
15
17
18
16
14
12
9
7
5
3
YA1
YA2
YA3
MC74VHC244
DW后缀
20引脚SOIC封装
CASE 751D -04
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCXXXDW
SOIC
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
EIAJ SOIC
引脚分配
YA4
YB1
YB2
YB3
YB4
同相
输出
OEA
A1
YB4
A2
YB3
A3
YB2
A4
YB1
产量
使
1
OEA
19
OEB
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
OEB
YA1
B4
YA2
B3
YA3
B2
YA4
B1
功能表
输入
OEA ， OEB
L
L
H
6/97
输出
A，B
L
H
X
YA ， YB
L
H
Z
摩托罗拉1997年公司
1
REV 1
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的指示可能不利地
影响器件的可靠性。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHC244
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
50
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
S B升
符号
VOH
VCC
VOL
VOUT
VIH
TR ， TF
VIL
VIN
TA
IIN
最大输入
漏电流
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度，所有封装类型
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
P
参数
VIN = 5.5V或GND
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = - 4毫安
IOH = - 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOH = - 50μA
试验C迪我
T
条件
VCC = 3.3V
±0.3V
VCC = 5.0V
±0.5V
0至5.5
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
VCC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
2
– 40
民
2.0
0
0
0
0
1.50
VCC ×0.7
2.58
3.94
民
1.9
2.9
4.4
VCC
+ 85
最大
100
20
5.5
5.5
TA = 25°C
NS / V
单位
_
C
_
C
典型值
V
V
V
V
V
V
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
0.50
VCC ×0.3
±
0.1
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V CC） 。
未使用的输出必须悬空。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
1.50
VCC ×0.7
TA = - 40 85°C
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
v
0.50
VCC ×0.3
±
1.0
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
v
单位
U I
A
V
V
V
V
MC74VHC244
DC电气特性
符号
IOZ
参数
测试条件
VCC
V
5.5
5.5
TA = 25°C
典型值
TA = - 40 85°C
民
最大
±
2.5
40.0
民
最大
单位
A
A
最大的三态
漏电流
最大静态
电源电流
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
±
0.25
4.0
ICC
AC电气特性
（输入TR = TF = 3.0ns ）
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
参数
P
TA = 25°C
典型值
5.8
8.3
3.9
5.4
6.6
9.1
4.7
6.2
TA = - 40 85°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
试验C迪我
T
条件
民
最大
8.4
11.9
5.5
7.5
单位
U I
ns
最大传播延迟，
A到YA或B到YB
VCC = 3.3
±
0.3V
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC = 3.3
±
0.3V
（注1 ）
VCC - 5.0
±
0.5V
（注1 ）
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
10.0
13.5
6.5
8.5
tpZL ，
tpZH
输出使能时间
OEA到YA或OEB到YB
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
10.6
14.1
7.3
9.3
12.5
16.0
ns
8.5
10.5
tPLZ ，
tPHZ
输出禁止时间
OEA到YA或OEB到YB
10.3
6.7
14.0
9.2
1.5
1.0
10
16.0
10.5
1.5
1.0
10
ns
tOSLH ，
tOSHL
输出到输出偏斜
pF
CIN
最大输入电容
4
6
pF
pF
COUT
最大三态输出
电容（在输出
高阻态）
典型的25°C ， VCC = 5.0V
19
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容（N
i
（注2 ）
2.)
pF
F
1.参数设计保证。 tOSLH = | tPLHm - tPLHn | ， tOSHL = | tPHLm - tPHLn | 。
2. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC / 8 （每比特） 。 CPD用于确定空载
动态功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
噪声特性
（输入TR = TF = 3.0ns ， CL = 50pF的， VCC = 5.0V ）
TA = 25°C
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
VILD
安静输出最大动力VOL
安静的输出最低动态VOL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
参数
P
典型值
0.6
– 0.6
最大
0.9
– 0.9
3.5
1.5
单位
U I
V
V
V
V
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
3
摩托罗拉
MC74VHC244
八路总线缓冲器
该MC74VHC244是一种先进的高速CMOS八进制总线
BUFFER制造与硅栅CMOS技术。
该MC74VHC244是同相的3-
-state缓冲器，并具有两个
主动 -
- 低输出使能。此装置被设计成与所使用
3-
-state存储器地址驱动器等
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7 V ，允许5 V系统接口
3 V系统。
高速：吨
PD
= 3.9纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 4
mA
（最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 0.9 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
静电放电性能：人体模型> 2000 V
机器型号> 200 V
芯片的复杂性： 136场效应管
铅 - 免费包可用*
2
4
6
8
11
13
15
17
18
16
14
12
9
7
5
3
http://onsemi.com
标记图
20
20
1
VHC244
AWLYYWWG
1
SOIC-
-20 WB
DW后缀
CASE 751D
20
20
1
VHC
244
ALYW
1
TSSOP-
-20
DT后缀
CASE 948E
20
20
1
74VHC244
AWLYWW
1
A1
A2
A3
A4
B1
B2
B3
B4
YA1
YA2
YA3
YA4
YB1
YB2
YB3
YB4
同相
输出
SOIC EIAJ-
-20
M后缀
CASE 967
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
数据
输入
引脚分配
OEA
A1
YB4
A2
YB3
A3
YB2
A4
YB1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OEB
YA1
B4
YA2
B3
YA3
B2
YA4
B1
产量
使
1
OEA
19
OEB
图1.逻辑图
*关于我们铅的更多信息 - 免费战略和焊接详情，请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
订购信息
看到详细的订购和发货信息
订购信息表本数据手册的第2页。
2006年3月 - 启示录7
-
1
出版订单号：
MC74VHC244/D
MC74VHC244
功能表
输入
OEA ， OEB
L
L
H
A，B
L
H
X
输出
YA ， YB
L
H
Z
订购信息
设备
MC74VHC244DW - 已淘汰*
MC74VHC244DWR2
MC74VHC244DT
MC74VHC244DTR2
MC74VHC244M - 已淘汰*
MC74VHC244MEL
包
SOIC - 20世
SOIC - 20世
TSSOP--20
（铅 - 免费）
TSSOP--20
（铅 - 免费）
EIAJ SOIC - 20
（铅 - 免费）
EIAJ SOIC - 20
（铅 - 免费）
航运
38单位/铁
1000 /磁带和放大器;卷轴
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
1600单位/箱
2000 /磁带&卷轴
*此设备已经过时，可供参考的信息。
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
V
ESD
正直流电源电压
数字输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
参数
价值
--0.5到7.0
--0.5到7.0
--0.5到V
CC
+0.5
--20
±20
±25
±75
500
450
--65到150
>2000
>200
>2000
±300
96
128
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
V
I
闭锁
θ
JA
闭锁性能
mA
° C / W
热阻，结 - 到 - 环境
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. V
in
和V
OUT
应被约束的范围内GND
≤
(V
in
或V
OUT
)
≤
V
CC
。未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用的输出必须悬空。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 - 一个
3.经测试EIA / JESD22 - A115 - 一个
4.经测试JESD22 - C101 - 一个
5.经测试EIA / JESD78
http://onsemi.com
2
MC74VHC244
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）
T
A
= 25°C
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传播
延迟， A到YA或
B到YB
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
R
L
= 1 kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
R
L
= 1 kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
R
L
= 1 kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
R
L
= 1 kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
（注6 ）
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
（注6 ）
C
in
C
OUT
最大输入
电容
最多三个 - 国家
输出电容
（输出高 - 阻抗
状态）
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 50 pF的
4
6
民
典型值
5.8
8.3
3.9
5.4
6.6
9.1
4.7
6.2
10.3
6.7
最大
8.4
11.9
5.5
7.5
10.6
14.1
7.3
9.3
14.0
9.2
1.5
1.0
10
T
A
≤
85°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
10.0
13.5
6.5
8.5
12.5
16.0
8.5
10.5
16.0
10.5
1.5
1.0
10
-
-55°C
≤
T
A
≤
125°C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
11.0
14.5
7.5
9.5
13.5
17.0
9.5
11.5
17.0
11.5
1.5
1.5
10
pF
pF
ns
ns
ns
单位
ns
t
PZL
,
t
PZH
输出使能时间
OEA到YA或
OEB到YB
t
PLZ
,
t
PHZ
输出禁止时间
OEA到YA或
OEB到YB
t
OSLH
,
t
OSHL
输出到输出偏斜
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
C
PD
功率耗散电容（注7 ）
19
pF
6.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
-- t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
-- t
PHLn
|.
7. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 （每比特） 。
PD
被用于确定所述无 - 负载
动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒，C
L
= 50 pF的，V
CC
= 5.0 V)
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
参数
典型值
0.6
--0.6
最大
0.9
--0.9
3.5
1.5
单位
V
V
V
V
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
