2输入异或门/ CMOS逻辑电平转换器
与LSTTL兼容输入
MC74VHC1GT86
该MC74VHC1GT86是一种先进的高速CMOS 2输入异或门制造与硅栅CMOS技术。
它实现了类似相当于双极肖特基TTL高速运转，同时保持CMOS低功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲器输出，提供高抗噪声和稳定的输出。
该器件的输入与TTL型输入阈值兼容，输出有一个完整的5 V CMOS电平输出摆幅。输入
在此设备上的保护电路允许在输入过电压容限，使器件被用作从一个逻辑电平转换
3.0 V CMOS逻辑至5.0V CMOS逻辑或从1.8 V CMOS逻辑至3.0V CMOS逻辑在高压电源而工作。
该MC74VHC1GT86输入结构时提供保护电压高达7V的施加，而与电源电压无关。这
允许使用的MC74VHC1GT86接口5伏的电路到3V的电路。输出结构还提供保护时，
V
CC
= 0 V.这些输入和输出结构有助于防止因电源电压设备的破坏 - 输入/输出电压不匹配，
电池备份，热插拔等。
高速：吨
PD
= 4.8纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
掉电保护的输入端和输出
低功耗：我
CC
= 2 MA（最大）在T
A
= 25°C
平衡传输延迟
TTL兼容的输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
CMOS兼容输出： V
OH
> 0.8 V
CC
;
芯片的复杂性：场效应管= 83 ;等效门= 16
V
OL
< 0.1 V
CC
@Load
标记DIAGRAMS
5
4
1
2
3
VM
d
SC–70/SC–88A/SOT–353
DF后缀
CASE 419A
销1
D =日期代码
4
5
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
1
2
3
VM
d
图2.逻辑符号
销1
D =日期代码
SOT–23/TSOP–5/SC–59
DT后缀
CASE 483
功能表
引脚分配
1
2
3
4
5
IN B
IN A
GND
输出Y
V
CC
A
L
L
H
H
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
L
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册第4页部分。
VHT86–1/4
MC74VHC1GT86
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
θ
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
参数
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 7.0
- 0.5 7.0
-0.5到V
cc
+ 0.5
–20
+20
+ 25
+50
200
333
260
+ 150
-65到+150
>2000
＆ GT ; 200
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
V
CC
=0
高电平或者低电平状态
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
不适用
I
LATCH -UP
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
± 500
mA
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
eyond那些可能表明设备的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。功能操作应仅限于推荐工作条件。
2.降额 - SC- 88A封装： -3毫瓦/°C， 65 ° C至125°C
- TSOP5包装： -6毫瓦/°C， 65 ° C至125°C
3.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
4.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
5.经测试JESD22 - C101 -A
6.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
,t
f
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
民
3.0
0.0
0.0
– 55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+ 125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，
小时
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，
岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
器件结温VERSUS
1
1
10
100
1000
时间，岁月
图3.故障率与时间的结温
VHT86–2/4
MC74VHC1GT86
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
V
CC
(V)
3.0
4.5
5.5
V
IL
最底层
输入电压
3.0
4.5
5.5
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
IN
I
CC
I
CCT
I
OPD
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
静态电源
当前
输出漏
当前
3.0
4.5
0.36
0.36
±
0.1
T
A
= 25°C
T
A
＆ LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
最小值典型值最大值最小值最大值最小值最大值单位
V
1.4
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.1
0.1
3.0
4.5
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1.0
1.4
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
1.4
2.0
2.0
V
0.53
0.8
0.8
V
2.9
4.4
2.34
3.66
V
0.1
0.1
0.52
0.52
±
1.0
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= – 50
A
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
A
V
IN
= 5.5 V或GND 0 to5.5
V
IN
= V
CC
或GND
输入： V
IN
= 3.4 V
V
OUT
= 5.5 V
5.5
5.5
0.0
A
A
mA
A
2.0
1.35
0.5
20
1.50
5.0
40
1.65
10
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大
传播延迟，
输入A或B与Y
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
IN
最大输入
电容
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
11
pF
3.1
4.2
5.5
6.8
8.8
10
8.0
10.0
10
10.0
12.0
10
pF
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
T
A
＆ LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
T
A
= 25°C
最小值典型值
最大值最小值最大值最小值最大值单位
5.0
6.2
11.0
14.5
13.0
16.5
15.5
19.5
ns
7. C
PD
被定义为内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR ）
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
.
C
PD
被用于确定所述无糖
加载动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC 2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
VHT86–3/4
MC74VHC1GT86
2输入异或门/
CMOS逻辑电平转换器
与LSTTL兼容输入
该MC74VHC1GT86是一种先进的高速CMOS 2输入
异或门制造与硅栅CMOS技术。它
实现类似相当于双极肖特基高速运转
TTL ，同时保持CMOS低功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。
该器件的输入与TTL型输入阈值和兼容
输出有一个完整的5 V CMOS电平输出摆幅。输入保护
该电路设备上允许的输入过压容限，
使器件能够被用作逻辑电平转换从3伏
CMOS逻辑至5V CMOS逻辑或1.8 V CMOS逻辑3 V
CMOS逻辑，而在高电压电源供电。
该MC74VHC1GT86输入结构时提供保护
电压为7V的施加，而与电源电压无关。这
允许要使用的MC74VHC1GT86接口5伏的电路来
3 V的电路。输出结构还提供保护时，
V
CC
= 0 V.这些输入和输出结构有助于防止设备
破坏引起的电源电压 - 输入/输出电压失配，
电池备份，热插拔等。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
5
1
SC88A/SOT353/SC70
DF后缀
CASE 419A
5
VM M
G
G
M
1
5
VM M
G
G
1
5
1
TSOP5/SOT23/SC59
DT后缀
CASE 483
VM
M
G
=器件代码
=日期代码*
= Pb-Free包装
高速：吨
PD
= 4.8纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2 V
CMOS兼容输出： V
OH
> 0.8 V
CC
; V
OL
< 0.1 V
CC
@Load
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 83 ;等效门= 16
无铅包可用
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或位置可能会有所不同
根据生产地点。
引脚分配
1
2
3
4
5
IN B
IN A
GND
输出Y
V
CC
IN B
IN A
GND
1
2
3
5
V
CC
功能表
输入
A
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
L
4
输出Y
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
L
L
H
H
IN A
IN B
=1
输出Y
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
图2.逻辑符号
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年2月 - 15牧师
出版订单号：
MC74VHC1GT86/D
MC74VHC1GT86
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
q
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
V
CC
= 0
高电平或者低电平状态
特征
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5 7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
+20
+25
+50
200
333
260
+150
-65到+150
＆ GT ; 2000
＆ GT ; 200
不适用
±500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
I
闭锁
闭锁性能
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.降额 - SC- 88A封装： -3毫瓦/°C， 65 °至125°C
- TSOP5包装： -3毫瓦/ _C从65_至125_C
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
V
CC
= 0
高电平或者低电平状态
特征
民
3.0
0.0
0.0
0.0
55
0
0
最大
5.5
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 130
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 110
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间，岁月
TJ = 90
°
C
1
1
10
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
2
MC74VHC1GT86
DC电气特性
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
最底层
输入电压
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
输入： V
IN
= 3.4 V
V
OUT
= 5.5 V
测试条件
(V)
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
0
5.5
5.5
5.5
0.0
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
1.0
1.35
0.5
3.0
4.5
民
1.4
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
20
1.50
5.0
T
A
= 25°C
典型值
最大
T
A
≤
85°C
民
1.4
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.52
0.52
±1.0
40
1.65
10
mA
mA
mA
mA
V
V
最大
55
≤
T
A
≤
125°C
民
1.4
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
最大
单位
V
V
IL
V
V
OH
V
V
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
IN
I
CC
I
CCT
I
OPD
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
静态电源
当前
输出漏
当前
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
测试条件
民
T
A
= 25°C
典型值
5.0
6.2
3.1
4.2
5.5
T
A
≤
85°C
55
≤
T
A
≤
125°C
民
最大
最大
民
最大
单位
ns
最大传播
延迟，输入A或B与Y
V
CC
= 3.3
±
0.3 VC
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 VC
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
11.0
14.5
6.8
8.8
10
13.0
16.5
15.5
19.5
10.0
12.0
10
8.0
10.0
10
C
IN
最大输入
电容
pF
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
11
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
pF
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
http://onsemi.com
3
MC74VHC1GT86
3.0 V
A或B
50%
GND
t
PLH
Y
50%
V
OL
t
PHL
V
OH
图4.开关波形
测试点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
图5.测试电路
订购信息
设备
MC74VHC1GT86DFT1
M74VHC1GT86DFT1G
MC74VHC1GT86DFT2
M74VHC1GT86DFT2G
MC74VHC1GT86DTT1
M74VHC1GT86DTT1G
包
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
（无铅）
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
（无铅）
TSOP - 5 / SOT - 23 / SC- 59
TSOP - 5 / SOT - 23 / SC- 59
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
MC74VHC1GT86
包装尺寸
SC- 88A ， SOT- 353 ， SC- 70
CASE 419A -02
ISSUE
A
G
5
4
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419A -01过时。新标准
419A02.
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边，突出物，或门
毛刺。
S
1
2
3
B
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
D
5 PL
0.2 (0.008)
M
B
M
N
J
C
英寸
民
最大
0.071
0.087
0.045
0.053
0.031
0.043
0.004
0.012
0.026 BSC
0.004
0.004
0.010
0.004
0.012
0.008 REF
0.079
0.087
MILLIMETERS
民
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
0.80
1.10
0.10
0.30
0.65 BSC
0.10
0.10
0.25
0.10
0.30
0.20 REF
2.00
2.20
H
K
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
mm
英寸
1.9
0.0748
尺度20:1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
乐山无线电公司， LTD 。
2输入异或门/ CMOS逻辑电平转换器
与LSTTL兼容输入
MC74VHC1GT86
该MC74VHC1GT86是一种先进的高速CMOS 2输入异或门制造与硅栅CMOS技术。
它实现了类似相当于双极肖特基TTL高速运转，同时保持CMOS低功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲器输出，提供高抗噪声和稳定的输出。
该器件的输入与TTL型输入阈值兼容，输出有一个完整的5 V CMOS电平输出摆幅。输入
在此设备上的保护电路允许在输入过电压容限，使器件被用作从一个逻辑电平转换
3.0 V CMOS逻辑至5.0V CMOS逻辑或从1.8 V CMOS逻辑至3.0V CMOS逻辑在高压电源而工作。
该MC74VHC1GT86输入结构时提供保护电压高达7V的施加，而与电源电压无关。这
允许使用的MC74VHC1GT86接口5伏的电路到3V的电路。输出结构还提供保护时，
V
CC
= 0 V.这些输入和输出结构有助于防止因电源电压设备的破坏 - 输入/输出电压不匹配，
电池备份，热插拔等。
高速：吨
PD
= 4.8纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
掉电保护的输入端和输出
低功耗：我
CC
= 2 MA（最大）在T
A
= 25°C
平衡传输延迟
TTL兼容的输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
CMOS兼容输出： V
OH
> 0.8 V
CC
;
芯片的复杂性：场效应管= 83 ;等效门= 16
V
OL
< 0.1 V
CC
@Load
标记DIAGRAMS
5
4
1
2
3
VM
d
SC–70/SC–88A/SOT–353
DF后缀
CASE 419A
销1
D =日期代码
4
5
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
1
2
3
VM
d
图2.逻辑符号
销1
D =日期代码
SOT–23/TSOP–5/SC–59
DT后缀
CASE 483
功能表
引脚分配
1
2
3
4
5
IN B
IN A
GND
输出Y
V
CC
A
L
L
H
H
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
L
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册第4页部分。
VHT86–1/4
乐山无线电公司， LTD 。
MC74VHC1GT86
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
θ
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
参数
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 7.0
- 0.5 7.0
-0.5到V
cc
+ 0.5
–20
+20
+ 25
+50
200
333
260
+ 150
-65到+150
>2000
＆ GT ; 200
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
V
CC
=0
高电平或者低电平状态
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
不适用
I
LATCH -UP
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
± 500
mA
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
eyond那些可能表明设备的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。功能操作应仅限于推荐工作条件。
2.降额 - SC- 88A封装： -3毫瓦/°C， 65 ° C至125°C
- TSOP5包装： -6毫瓦/°C， 65 ° C至125°C
3.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
4.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
5.经测试JESD22 - C101 -A
6.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
,t
f
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
民
3.0
0.0
0.0
– 55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+ 125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，
小时
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，
岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
器件结温VERSUS
1
1
10
100
1000
时间，岁月
图3.故障率与时间的结温
VHT86–2/4
乐山无线电公司， LTD 。
MC74VHC1GT86
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
V
CC
(V)
3.0
4.5
5.5
V
IL
最底层
输入电压
3.0
4.5
5.5
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
IN
I
CC
I
CCT
I
OPD
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
静态电源
当前
输出漏
当前
3.0
4.5
0.36
0.36
±
0.1
T
A
= 25°C
T
A
＆ LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
最小值典型值最大值最小值最大值最小值最大值单位
V
1.4
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
2.9
4.4
2.58
3.94
0.0
0.0
0.1
0.1
3.0
4.5
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1.0
1.4
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
1.4
2.0
2.0
V
0.53
0.8
0.8
V
2.9
4.4
2.34
3.66
V
0.1
0.1
0.52
0.52
±
1.0
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= – 50
A
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
A
V
IN
= 5.5 V或GND 0 to5.5
V
IN
= V
CC
或GND
输入： V
IN
= 3.4 V
V
OUT
= 5.5 V
5.5
5.5
0.0
A
A
mA
A
2.0
1.35
0.5
20
1.50
5.0
40
1.65
10
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大
传播延迟，
输入A或B与Y
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
IN
最大输入
电容
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
11
pF
3.1
4.2
5.5
6.8
8.8
10
8.0
10.0
10
10.0
12.0
10
pF
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
T
A
＆ LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
T
A
= 25°C
最小值典型值
最大值最小值最大值最小值最大值单位
5.0
6.2
11.0
14.5
13.0
16.5
15.5
19.5
ns
7. C
PD
被定义为内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR ）
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
.
C
PD
被用于确定所述无糖
加载动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC 2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
VHT86–3/4
QQ：2880707522 复制
