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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2112页 > MC74VHC1GT66DTT1
MC74VHC1GT66,
NLVHC1GT66
SPST ( NO)常开
模拟开关
该MC74VHC1GT66 , NLVHC1GT66是一个单极单
掷(SPST)模拟开关。它实现高速传输
延迟和低导通电阻,同时保持低功耗
耗散。这种双向开关控制的模拟和数字电压
在整个电源电压范围可能有所不同(从V
CC
到GND) 。
该MC74VHC1GT66 , NLVHC1GT66在功能上兼容
高速CMOS MC74VHCT4066和单门
金属栅CMOS MC14066 。该设备已被设计成使
接通电阻(R
ON
)是在输入低得多和更线性
电压除R
ON
该金属栅CMOS或高速CMOS的
模拟开关。
较新的NLVHC1GT66提供相同的功能的
1.2x1.0x0.55毫米UDFN6包。
的ON / OFF控制输入与TTL型输入兼容
阈值允许装置被用作逻辑电平转换
从3 V CMOS逻辑至5V CMOS逻辑或1.8 V CMOS逻辑
到3 V CMOS逻辑,而在高电压电源供电。
此设备上的输入保护电路允许过压
宽容的输入,它提供保护时的电压高达
到7V的施加,而与电源电压无关。这允许
MC74VHC1GT66 , NLVHC1GT66到用于接口5伏的电路
到3V的电路。
特点
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
5
5
1
SC88A
DF后缀
CASE 419A
1
VE M
G
G
M
5
5
1
TSOP5
DT后缀
CASE 483
1
VE M
G
G
1
UDFN6
MU后缀
CASE 517AA
WW M
G
高速:吨
PD
= 20 ns(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 1.0
mA
(最大)在T
A
= 25°C
二极管保护的输入端和输出
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
ON / OFF控制输入OVT
芯片的复杂性:场效应管= 11 ;等效门= 3
无铅包可用
VE , W =器件代码
M
=日期代码*
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或位置可能会有所不同
根据生产地点。
引脚分配
1
2
3
4
5
IN / OUT X
A
OUT / IN
A
GND
对/ O FF控制
V
CC
功能表
ON / OFF控制输入
L
H
模拟开关的状态
关闭
On
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年2月 - 13牧师
出版订单号:
MC74VHC1GT66/D
MC74VHC1GT66 , NLVHC1GT66
IN / OUT X
A
1
5
V
CC
IN / OUT X
A
1
6
V
CC
OUT / IN
A
2
OUT / IN
A
2
5
NC
GND
3
4
开/关
控制
GND
3
4
开/关
控制
( SC - 88A , TSOP - 5 )
(UDFN6)
图1.引脚图
对/ O FF控制
IN / OUT X
A
U
X1
1
1
U
OUT / IN
A
图2.逻辑符号
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
IS
I
IK
I
CC
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
模拟输出电压
输入二极管电流
直流电源电流,V
CC
和GND
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
在偏置结温
热阻
功率消耗在静止空气中,在85°C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数:28 34
人体模型(注2 )
机器模型(注3 )
带电器件模型(注4 )
上述V
CC
及以下GND在125 ° C(注5 )
SC70-5 (注1 )
SOT235
SC705
SOT235
特征
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5 7.0
20
+25
*65
to
)150
260
)150
350
230
150
200
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
不适用
$500
V
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
°C
° C / W
mW
I
闭锁
闭锁性能
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距,用10毫米×1英寸, 2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
http://onsemi.com
2
MC74VHC1GT66 , NLVHC1GT66
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字输入电压
模拟输入电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
特征
2.0
GND
GND
55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 %接合故障
归一化故障率
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间,时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间,岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
T
J
=120
°
C
T
J
=100
°
C
T
J
= 90
°
C
T
J
= 80
°
C
100
T
J
= 130
°
C
T
J
=110
°
C
10
时间,岁月
1
1
1000
图3.故障率与时间的结温
http://onsemi.com
3
MC74VHC1GT66 , NLVHC1GT66
DC电气特性
V
CC
(V)
3.0
4.5
5.5
R
ON
=每规格
3.0
4.5
5.5
V
IN
= V
CC
或GND
0
5.5
5.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
0.53
0.8
0.8
±0.1
0.53
0.8
0.8
±1.0
0.53
0.8
0.8
±1.0
mA
T
A
= 25°C
1.2
2.0
2.0
最大
T
A
85°C
1.2
2.0
2.0
最大
55°C
T
A
125°C
1.2
2.0
2.0
V
最大
单位
V
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
ON / OFF控制输入
最底层
输入电压
ON / OFF控制输入
最大输入
漏电流
ON / OFF控制输入
最大静态
电源电流
电源电流
最大“开”
阻力
最大断通道
漏电流
测试条件
R
ON
=每规格
V
IL
I
IN
I
CC
I
CCT
R
ON
V
IN
= V
CC
或GND
V
IO
= 0 V
ON / OFF控制在
3.4 V
V
IN
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND
|I
IS
|
10毫安(图4 )
V
IN
= V
IL
V
IS
= V
CC
或GND
开关关闭(图5 )
1.0
1.35
60
45
40
0.1
20
1.5
70
50
45
0.5
40
1.65
100
60
55
1.0
mA
mA
W
I
关闭
mA
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
/t
f
= 3.0纳秒
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
0.0
5.0
T
A
= 25°C
典型值
1
0.6
0.6
0.6
32
28
24
20
32
28
24
20
3
4
4
T
A
85°C
55°C
T
A
125°C
最大
7
4
2
1
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
测试条件
最大
5
2
1
1
最大
6
3
1
1
单位
ns
最大传播
延迟,输入X到Y
Y
A
=打开
(图7,图14)
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传播
延时,ON / OFF控制
模拟输出
最大传播
延时,ON / OFF控制
模拟输出
最大输入
电容
R
L
= 1000
W
(图8,图15)
40
35
30
25
40
35
30
25
10
10
10
45
40
35
30
45
40
35
30
10
10
10
50
45
40
35
50
45
40
35
10
10
10
ns
t
PZL
,
t
PZH
R
L
= 1000
W
ns
(图8,图15)
C
IN
ON / OFF控制输入
控制输入= GND
模拟量I / O
穿心
pF
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
18
C
PD
功率耗散电容(注6 )
pF
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到:我
CC ( OPR
)
= C
PD

V
CC

f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载动态
功耗; P
D
= C
PD

V
CC2

f
in
+ I
CC

V
CC
.
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4
MC74VHC1GT66 , NLVHC1GT66
额外的应用特性
(电压参考GND除非另有说明)
符号
BW
参数
测试条件
V
CC
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
限制25℃
150
175
180
单位
最大的同频带宽
或者最低频率响应
(图10 )
f
in
= 1 MHz的正弦波
调整F
in
电压,以获得0 dBm的在V
OS
增加F
in
=频率,直到分贝仪读取-3分贝
R
L
= 50
W
f
in
正弦波
调整F
in
电压,以获得0 dBm的在V
IS
f
in
= 10千赫,R
L
= 600
W
V
in
1 MHz的方波(T
r
= t
f
= 2ns的)
R
L
= 600
W
兆赫
ISO
关闭
关通道穿心隔离
(图11)
穿心噪声控制到
开关
(图12)
总谐波失真
(图13)
80
80
80
dB
噪音
饲料
45
60
130
mV
PP
THD
f
in
= 1千赫,R
L
= 10千瓦
总谐波失真THD =
THD
来源
V
IS
= 3.0 V
PP
正弦波
V
IS
= 5.0 V
PP
正弦波
%
3.3
5.5
0.30
0.15
绘图仪
动力
供应
+
V
CC
1
2
3
4
5
1
V
IH
2
V
CC
A
3
4
V
IL
5
V
CC
V
CC
DC参数
分析仪
电脑
图4.导通电阻测试设置
图5.最大断道泄漏电流
测试设置
V
CC
A
N / C
1
2
3
4
5
V
CC
1
V
IH
TEST
2
3
4
5
V
CC
V
IH
图6.最大导通通道漏电流
测试设置
图7.传输延迟测试设置
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5
模拟开关
MC74VHC1GT66
该MC74VHC1GT66是制造与硅栅CMOS技术先进的高速CMOS双向模拟开关。它
实现高速传输延迟和低导通电阻,同时保持低功耗。这种双向开关控制
模拟和数字电压在整个电源电压范围(从VCC和GND ) ,可能会有所不同。
该MC74VHC1GT66是在功能上非常高速CMOS MC74VHCT4066的单栅兼容。该装置具有
被设计成使得在ON电阻( RON)是在输入电压低得多的,更线性。
的ON / OFF控制输入与TTL型输入门限允许设备作为从逻辑电平转换器兼容
3.0 V CMOS逻辑至5.0 V CMOS逻辑或从1.8 V CMOS逻辑至3.0V CMOS逻辑在高压电源而工作。
此设备上的输入保护电路允许过压容限输入,可提供保护时,高达7电压
V的应用,而不管电源电压。这允许使用的MC74VHC1GT66接口5伏的电路到3V的电路。
高速:吨
PD
= 20 ns(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 2
A
(最大)在T
A
= 25°C
二极管保护的输入端和输出
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
开/关控制输入OVT
标记DIAGRAMS
5
4
1
2
3
VE
d
SC–70/SC–88A/SOT–353
DF后缀
CASE 419A
销1
D =日期代码
5
4
图1.引脚
( TOP VIEW )
1
2
3
VE
d
图2.逻辑符号
销1
D =日期代码
SOT–23/TSOP–5/SC–59
DT后缀
CASE 483
引脚分配
1
2
3
4
5
IN / OUT X
A
OUT / IN
A
GND
对/ O FF控制
V
CC
功能表
开/关控制输入的状态模拟开关
L
H
关闭
On
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册第6页部分。
VHT66–1/6
MC74VHC1GT66
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
IS
I
IK
I
CC
P
D
T
L
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
模拟输出电压
输入二极管电流
直流电源电流,V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
焊接温度1毫米的情况下10秒
储存温度
ESD耐压
人体模型(注3 )
机器模型(注4 )
带电器件模型(注5 )
参数
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 7.0
-0.5到+7.0
–20
+25
200
450
260
-65到+150
>2000
& GT ; 200
不适用
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
V
SC- 88A (注2 )
TSOP5 (注2 )
I
LATCH -UP
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C(注6 )
± 500
mA
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
eyond那些可能表明设备的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。功能操作应仅限于推荐工作条件。
2.降额 - SC- 88A封装: -3毫瓦/°C, 65 ° C至125°C
- TSOP5包装: -6毫瓦/°C, 65 ° C至125°C
3.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
4.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
5.经测试JESD22 - C101 -A
6.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
,t
f
直流电源电压
直流输入电压
模拟输入电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
2.0
GND
GND
– 55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+ 125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
θ
JA
包的等于1 /降额。更高的结温度可以影响每设备的预期寿命
表,如下图所示。
连接点
温度°C
80
90
100
110
120
130
140
时间,
小时
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间,
岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 %接合故障
1
1
10
100
1000
时间,岁月
图3.故障率与时间的结温
VHT66–2/6
MC74VHC1GT66
DC电气特性
V
CC
符号
参数
V
IH
最小高级别
输入电压
ON / OFF控制输入
V
IL
最底层
输入电压
R
ON
=每规格
3.0
4.5
5.5
V
IN
= x垂直
cc
或GND 0至5.5
0.53
0.8
0.8
±
0.1
0.53
0.8
0.8
±
1.0
0.53
0.8
0.8
±
1.0
A
测试条件
R
ON
=每规格
(V)
3.0
4.5
5.5
T
A
= 25°C
1.2
2.0
2.0
最大
T
A
& LT ;
85°C
T
A
<125°C
1.2
2.0
2.0
最大
1.2
2.0
2.0
V
最大
单位
V
I
IN
最大输入
漏电流
ON / OFF控制输入
I
CC
I
CCT
R
ON
最大静态
电源电流
静态电源
当前
最大“开”
阻力
最大断通道
漏电流
V
IN
= V
CC
或GND
对/ O FF控制
在3.4 V
V
IN
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND
|I
IS
|
& LT ;
10毫安(图4 )
V
IN
= V
IL
V
IS
= V
CC
或GND
开关关闭(图5 )
5.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
2.0
1.35
60
45
40
0.1
20
1.50
70
50
45
0.5
40
1.65
100
60
55
1.0
A
mA
I
关闭
mA
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
/ t
f
= 3.0纳秒
符号
参数
测试条件
Y
A
=打开
(图14 )
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
T
A
= 25°C
最小典型最大
1
0
0
0
32
28
24
20
32
28
24
20
3
4
4
5
2
1
1
40
35
30
25
40
35
30
25
10
10
10
T
A
& LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
最大最小最大单位
6
3
1
1
45
40
35
30
45
40
35
30
10
10
10
7
4
2
1
50
45
40
35
50
45
40
35
10
10
10
ns
ns
ns
t
PLH
,最大的传播史
t
PHL
延迟,
输入X到Y
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传播史
延迟,
ON / OFF控制,以
模拟输出
t
PZL
,最大的传播史
延迟,
t
PZH
ON / OFF控制,以
模拟输出
C
IN
最大输入
电容
R
L
= 1000
(图15 )
2.0
3.0
4.5
5.5
R
L
= 1000
(图15 )
2.0
3.0
4.5
5.5
0.0
5.0
ON / OFF控制输入
控逆变输入= GND
模拟量I / O
穿心
pF
C
PD
功率耗散电容(注6 )
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
18
pF
7. C
PD
被定义为内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。平均工作电流可以由下式得到:我
CC ( OPR )
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
.
C
PD
被用于确定所述无糖
加载动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC 2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
VHT66–3/6
MC74VHC1GT66
额外的应用特性
(电压参考GND除非另有说明)
符号
BW
参数
测试条件
V
极限
CC
25°C
150
175
180
–80
–80
–80
45
60
130
单位
兆赫
最大导通通道宽度F
in
= 1 MHz的正弦波
或者最低频率响应调整F
in
电压,以获得0 dBm的在V
OS
(图10 )
增加F
in
=频率,直到分贝仪读取-3分贝
R
L
= 50
,
C
L
= 10 pF的
关通道穿心
f
in
正弦波
调整F
in
电压,以获得0 dBm的在V
IS
f
in
= 10千赫,R
L
= 600
,
C
L
= 50 pF的
V
in
<1 MHz的方波(T
r
= t
f
= 2ns的)
调整R
L
在安装程序,这样我
s
= 0 A
R
L
= 600
,
C
L
= 50 pF的
f
in
= 1千赫,R
L
= 10 k
,
C
L
= 50 pF的
总谐波失真THD =
THD
来源
V
IS
= 3.0 V
PP
正弦波
V
IS
= 5.0 V
PP
正弦波
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
ISO
关闭
dB
隔离
(图11 )
噪音
饲料
穿心噪声控制到
开关
(图12 )
THD
总谐波失真
(图13 )
mV
PP
%
3.3
5.5
0.30
0.15
图4.导通电阻测试设置
图5.最大断道泄漏电流
测试设置
图6.最大导通通道漏电流
测试设置
图7.传输延迟测试设置
VHT66–4/6
MC74VHC1GT66
测试T当切换到位置1
PLZ
和T
PZL
测试T当切换到位置2
PHZ
和T
PZH
图8.传输延迟输出使能/禁用
测试设置
图9.功率耗散电容
测试设置
图10.最大导通通道带宽
测试设置
图11.关通道穿心隔离
测试设置
图12.穿心噪声,开/关控制,
模拟输出,测试设置
图13.总谐波失真测试
建立
VHT66–5/6
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