MC74VHC1GT125
非反相缓冲器/
CMOS逻辑电平转换器
与LSTTL兼容输入
该MC74VHC1GT125是单门非反相缓冲器制造
与硅栅CMOS技术。它实现了高速操作
类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持CMOS
低功耗。
该MC74VHC1GT125需要三态控制输入（ OE ）是
置高的输出置于高阻抗状态。
该器件的输入与TTL型输入阈值和兼容
输出有一个完整的5 V CMOS电平输出摆幅。输入保护
该电路设备上允许的输入过压容限，
使器件能够被用作逻辑电平转换从3.0V，
CMOS逻辑5.0 V CMOS或1.8 V CMOS逻辑3.0 V
CMOS逻辑，而在高电压电源供电。
该MC74VHC1GT125输入结构时提供保护
电压为7V的施加，而与电源电压无关。这
允许要使用的MC74VHC1GT125接口5伏的电路到3V
电路。输出结构还当V提供保护
CC
= 0 V.
这些输入和输出结构有助于防止设备损坏造成的
由电源电压 - 输入/输出电压失配，电池备份，热
插入等。
http://onsemi.com
记号
图表
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
DF后缀
CASE 419A
W1
d
销1
D =日期代码
TSOP5/SOT23/SC59
DT后缀
CASE 483
W1
d
销1
D =日期代码
高速：吨
PD
= 3.5纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
CMOS兼容输出： V
OH
> 0.8 V
CC
; V
OL
< 0.1 V
CC
@Load
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 62 ;等效门= 16
功能表
OE 1
在一个2
GND 3
4输出Y
5 V
CC
A输入
L
H
X
OE输入
L
L
H
Y输出
L
H
Z
1
2
3
4
5
引脚分配
OE
IN A
GND
输出Y
V
CC
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
OE
IN A
输出Y
图2.逻辑符号
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 修订版8
出版订单号：
MC74VHC1GT125/D
MC74VHC1GT125
最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
q
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
V
CC
= 0
高电平或者低电平状态
特征
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5 7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
+20
+25
+50
200
333
260
+150
-65到+150
＆ GT ; 2000
＆ GT ; 200
不适用
±500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
I
LATCH -UP
闭锁性能
mA
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
特征
民
3.0
0.0
0.0
55
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
归一化故障率
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 110
°
C
TJ = 130
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间，岁月
TJ = 90
°
C
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
1
1
10
1000
图3.故障率与时间
结温
http://onsemi.com
2
AC电气特性
输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
DC电气特性
符号
t
PLH
,
t
PHL
符号
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
C
OUT
C
in
I
OPD
I
OZ
I
OPD
I
CCT
I
CC
I
IN
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
功率耗散电容（注6 ）
最大的三态
输出电容（输出
处于高阻态）
最大输入电容
最大输出
禁止时间， OE为Y
（网络连接
4
d5)
（图4和图5 ）
最大输出
启用时间， OE为Y
（图4和图5 ）
（网络连接
4
d5)
参数
最大传播
延迟，A为Y
y
（图3和图5 ）
（网络连接
3
d5)
输出漏
当前
最大的三态
漏电流
输出漏
当前
静态电源
当前
最大静态
电源电流
最大输入
漏电流
最底层
输出电压
g
V
IN
= V
IH
或V
IL
最小高级别
输出电压
g
V
IN
= V
IH
或V
IL
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
参数
输入： V
IN
= 3.4 V
其他输入： V
CC
或GND
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= - 4毫安
I
OH
= - 8毫安
V
OUT
= 5.5 V
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OUT
= V
CC
或GND
V
OUT
= 5.5 V
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 50
mA
测试条件
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15pF的
R
L
= R
I
= 500
W
C
L
= 50pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15pF的
R
L
= R
I
= 500
W
C
L
= 50pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15pF的
R
L
= R
I
= 500
W
C
L
= 50pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15pF的
R
L
= R
I
= 500
W
C
L
= 50pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
测试条件
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 4 （每个缓冲区） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
C
PD
MC74VHC1GT125
http://onsemi.com
V
CC
(V)
0
5.5
0.0
5.5
0.0
5.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
2.58
3.94
民
2.9
4.4
1.4
2.0
2.0
民
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
典型值
0.0
0.0
3.0
4.5
典型值
4.8
7.0
6.5
8.0
3.6
5.1
5.4
7.9
3.8
5.3
5.6
8.1
6
4
±
0.10
±
0.25
1.35
0.36
0.36
0.53
0.8
0.8
最大
9.7
13.2
最大
8.0
11.5
8.0
11.5
0.5
0.5
1.0
0.1
0.1
6.8
8.8
5.1
7.1
5.5
7.5
10
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
2.48
3.80
民
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.9
4.4
1.4
2.0
2.0
T
A
≤
85°C
T
A
≤
85°C
±
1.0
±
2.5
8.0
10.0
9.5
13.0
9.5
13.0
最大
1.50
0.44
0.44
0.53
0.8
0.8
最大
11.5
15.0
6.0
8.0
6.5
8.5
5.0
5.0
0.1
0.1
10
20
14
55
≤
T
A
≤
125°C
55
≤
T
A
≤
125°C
2.34
3.66
民
民
2.9
4.4
1.4
2.0
2.0
±
1.0
±
2.5
11.5
15.0
8.5
10.5
10.0
12.0
14.5
18.0
12.0
16.0
最大
1.65
0.52
0.52
0.53
0.8
0.8
最大
7.5
9.5
0.1
0.1
10
10
10
40
单位
ns
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pF
pF
pF
ns
ns
V
V
V
V
3
MC74VHC1GT125
开关波形
OE
V
CC
GND
t
PZL
Y
50% V
CC
t
PZH
Y
50% V
CC
t
PHZ
t
PLZ
高
阻抗
V
OL
+ 0.3V
V
OH
0.3V
高
阻抗
A
t
PLH
50%
t
PHL
50% V
CC
V
CC
GND
50%
Y
图4.开关波形
图5中。
测试点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
设备
下
TEST
测试点
产量
1 KW
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL 。
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH 。
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图6.测试电路
图7.测试电路
输入
图8.输入等效电路
设备订货信息
设备命名
设备
订单号
MC74VHC1GT125DF1
MC74VHC1GT125DF2
MC74VHC1GT125DT1
电路
指标
MC
MC
MC
温度
范围
识别码
74
74
74
设备
功能
T125
T125
T125
包
苏FFI X
DF
DF
DT
磁带&
REEL
苏FFI X
1
2
1
套餐类型
（名称/ SOT ＃ /
通用名）
SC - 88A / SOT- 353
/ SC- 70
SC - 88A / SOT- 353
/ SC- 70
TSOPS / SOT -23
/ SC- 59
磁带和
带尺寸
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
技术
VHC1G
VHC1G
VHC1G
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
MC74VHC1GT125
空穴
TAPE
顶带
带尾
（连接到集线器卷）
无组件
160毫米MIN
组件
进给方向
磁带首
无组件
400毫米MIN
图9.带完的成品
胶带尺寸mm
2.00
4.00
4.00
1.50 TYP
1.75
8.00
$0.30
3.50
$0.50
1
1.00分钟
进给方向
图10. SC - 70-5 / SC - 88A / SOT- 353 DF1卷的配置/方向
胶带尺寸mm
2.00
4.00
4.00
1.50 TYP
1.75
8.00
$0.30
3.50
$0.50
1
1.00分钟
进给方向
图11. SC- 70 / SC - 88A / SOT- 353 DF2和SOT23-5 / TSOP - 5 / SC59-5 DT1卷的配置/方向
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5
MC74VHC1GT125
非反相缓冲器/
CMOS逻辑电平转换器
与LSTTL兼容输入
该MC74VHC1GT125是单门非反相缓冲器制造
与硅栅CMOS技术。它实现了高速操作
类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持CMOS
低功耗。
该MC74VHC1GT125需要三态控制输入（ OE ）是
置高的输出置于高阻抗状态。
该器件的输入与TTL型输入阈值和兼容
输出有一个完整的5 V CMOS电平输出摆幅。输入保护
该电路设备上允许的输入过压容限，
使器件能够被用作逻辑电平转换从3.0V，
CMOS逻辑5.0 V CMOS或1.8 V CMOS逻辑3.0 V
CMOS逻辑，而在高电压电源供电。
该MC74VHC1GT125输入结构时提供保护
电压为7V的施加，而与电源电压无关。这
允许要使用的MC74VHC1GT125接口5伏的电路到3V
电路。输出结构还当V提供保护
CC
= 0 V.
这些输入和输出结构有助于防止设备损坏造成的
由电源电压 - 输入/输出电压失配，电池备份，热
插入等。
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记号
图表
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
DF后缀
CASE 419A
W1
d
销1
D =日期代码
TSOP5/SOT23/SC59
DT后缀
CASE 483
W1
d
销1
D =日期代码
高速：吨
PD
= 3.5纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
CMOS兼容输出： V
OH
> 0.8 V
CC
; V
OL
< 0.1 V
CC
@Load
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 62 ;等效门= 16
功能表
OE 1
在一个2
GND 3
4输出Y
5 V
CC
A输入
L
H
X
OE输入
L
L
H
Y输出
L
H
Z
1
2
3
4
5
引脚分配
OE
IN A
GND
输出Y
V
CC
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
OE
IN A
输出Y
图2.逻辑符号
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 修订版8
出版订单号：
MC74VHC1GT125/D
MC74VHC1GT125
最大额定值
（注1 ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
q
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
V
CC
= 0
高电平或者低电平状态
特征
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5 7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
+20
+25
+50
200
333
260
+150
-65到+150
＆ GT ; 2000
＆ GT ; 200
不适用
±500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
I
LATCH -UP
闭锁性能
mA
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
特征
民
3.0
0.0
0.0
55
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
归一化故障率
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 110
°
C
TJ = 130
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间，岁月
TJ = 90
°
C
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
1
1
10
1000
图3.故障率与时间
结温
http://onsemi.com
2
AC电气特性
输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
DC电气特性
符号
t
PLH
,
t
PHL
符号
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
C
OUT
C
in
I
OPD
I
OZ
I
OPD
I
CCT
I
CC
I
IN
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
功率耗散电容（注6 ）
最大的三态
输出电容（输出
处于高阻态）
最大输入电容
最大输出
禁止时间， OE为Y
（网络连接
4
d5)
（图4和图5 ）
最大输出
启用时间， OE为Y
（图4和图5 ）
（网络连接
4
d5)
参数
最大传播
延迟，A为Y
y
（图3和图5 ）
（网络连接
3
d5)
输出漏
当前
最大的三态
漏电流
输出漏
当前
静态电源
当前
最大静态
电源电流
最大输入
漏电流
最底层
输出电压
g
V
IN
= V
IH
或V
IL
最小高级别
输出电压
g
V
IN
= V
IH
或V
IL
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
参数
输入： V
IN
= 3.4 V
其他输入： V
CC
或GND
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= - 4毫安
I
OH
= - 8毫安
V
OUT
= 5.5 V
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OUT
= V
CC
或GND
V
OUT
= 5.5 V
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 50
mA
测试条件
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15pF的
R
L
= R
I
= 500
W
C
L
= 50pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15pF的
R
L
= R
I
= 500
W
C
L
= 50pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15pF的
R
L
= R
I
= 500
W
C
L
= 50pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15pF的
R
L
= R
I
= 500
W
C
L
= 50pF的
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
测试条件
6. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 4 （每个缓冲区） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
C
PD
MC74VHC1GT125
http://onsemi.com
V
CC
(V)
0
5.5
0.0
5.5
0.0
5.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
2.58
3.94
民
2.9
4.4
1.4
2.0
2.0
民
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
典型值
0.0
0.0
3.0
4.5
典型值
4.8
7.0
6.5
8.0
3.6
5.1
5.4
7.9
3.8
5.3
5.6
8.1
6
4
±
0.10
±
0.25
1.35
0.36
0.36
0.53
0.8
0.8
最大
9.7
13.2
最大
8.0
11.5
8.0
11.5
0.5
0.5
1.0
0.1
0.1
6.8
8.8
5.1
7.1
5.5
7.5
10
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
2.48
3.80
民
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.9
4.4
1.4
2.0
2.0
T
A
≤
85°C
T
A
≤
85°C
±
1.0
±
2.5
8.0
10.0
9.5
13.0
9.5
13.0
最大
1.50
0.44
0.44
0.53
0.8
0.8
最大
11.5
15.0
6.0
8.0
6.5
8.5
5.0
5.0
0.1
0.1
10
20
14
55
≤
T
A
≤
125°C
55
≤
T
A
≤
125°C
2.34
3.66
民
民
2.9
4.4
1.4
2.0
2.0
±
1.0
±
2.5
11.5
15.0
8.5
10.5
10.0
12.0
14.5
18.0
12.0
16.0
最大
1.65
0.52
0.52
0.53
0.8
0.8
最大
7.5
9.5
0.1
0.1
10
10
10
40
单位
ns
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pF
pF
pF
ns
ns
V
V
V
V
3
MC74VHC1GT125
开关波形
OE
V
CC
GND
t
PZL
Y
50% V
CC
t
PZH
Y
50% V
CC
t
PHZ
t
PLZ
高
阻抗
V
OL
+ 0.3V
V
OH
0.3V
高
阻抗
A
t
PLH
50%
t
PHL
50% V
CC
V
CC
GND
50%
Y
图4.开关波形
图5中。
测试点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
设备
下
TEST
测试点
产量
1 KW
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL 。
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH 。
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图6.测试电路
图7.测试电路
输入
图8.输入等效电路
设备订货信息
设备命名
设备
订单号
MC74VHC1GT125DF1
MC74VHC1GT125DF2
MC74VHC1GT125DT1
电路
指标
MC
MC
MC
温度
范围
识别码
74
74
74
设备
功能
T125
T125
T125
包
苏FFI X
DF
DF
DT
磁带&
REEL
苏FFI X
1
2
1
套餐类型
（名称/ SOT ＃ /
通用名）
SC - 88A / SOT- 353
/ SC- 70
SC - 88A / SOT- 353
/ SC- 70
TSOPS / SOT -23
/ SC- 59
磁带和
带尺寸
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
178 mm (7”)
3000单元
技术
VHC1G
VHC1G
VHC1G
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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4
MC74VHC1GT125
空穴
TAPE
顶带
带尾
（连接到集线器卷）
无组件
160毫米MIN
组件
进给方向
磁带首
无组件
400毫米MIN
图9.带完的成品
胶带尺寸mm
2.00
4.00
4.00
1.50 TYP
1.75
8.00
$0.30
3.50
$0.50
1
1.00分钟
进给方向
图10. SC - 70-5 / SC - 88A / SOT- 353 DF1卷的配置/方向
胶带尺寸mm
2.00
4.00
4.00
1.50 TYP
1.75
8.00
$0.30
3.50
$0.50
1
1.00分钟
进给方向
图11. SC- 70 / SC - 88A / SOT- 353 DF2和SOT23-5 / TSOP - 5 / SC59-5 DT1卷的配置/方向
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5
MC74VHC1GT125
非反相缓冲器/
CMOS逻辑电平转换器
与LSTTL兼容输入
该MC74VHC1GT125是单门非反相缓冲器
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL而
保持CMOS低功耗。
该MC74VHC1GT125需要三态控制输入（ OE ）来
设置高的输出置于高阻抗状态。
该器件的输入与TTL型输入阈值和兼容
输出有一个完整的5 V CMOS电平输出摆幅。输入保护
该电路设备上允许的输入过压容限，
使器件能够被用作逻辑电平转换从3伏
CMOS逻辑至5V CMOS逻辑或1.8 V CMOS逻辑3 V
CMOS逻辑，而在高电压电源供电。
该MC74VHC1GT125输入结构时提供保护
电压为7V的施加，而与电源电压无关。这
允许要使用的MC74VHC1GT125接口5伏的电路来
3 V的电路。输出结构还提供保护时，
V
CC
= 0 V.这些输入和输出结构有助于防止设备
破坏引起的电源电压 - 输入/输出电压失配，
电池备份，热插拔等。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
5
1
SC88A/SOT353/SC70
DF后缀
CASE 419A
5
W1 M
G
G
M
1
5
5
1
TSOP5/SOT23/SC59
DT后缀
CASE 483
1
W1 M
G
G
高速：吨
PD
= 3.5纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
TTL兼容的输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2 V
CMOS兼容输出： V
OH
> 0.8 V
CC
; V
OL
< 0.1 V
CC
@Load
掉电保护的输入端和输出
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 62 ;等效门= 16
无铅包可用
1
2
3
4
OE 1
在一个2
GND 3
4输出Y
5 V
CC
5
W1
M
G
=器件代码
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或位置可能会有所不同
根据生产地点。
引脚分配
OE
IN A
GND
输出Y
V
CC
功能表
A输入
OE输入
L
L
H
Y输出
L
H
Z
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
L
H
X
OE
IN A
输出Y
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
图2.逻辑符号
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年2月 - 12牧师
出版订单号：
MC74VHC1GT125/D
MC74VHC1GT125
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
q
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
带电器件模型（注3 ）
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注4 ）
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
V
CC
= 0
高电平或者低电平状态
特征
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5 7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
+20
+25
+50
200
333
260
+150
-65到+150
＆ GT ; 2000
＆ GT ; 200
不适用
±500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
I
闭锁
闭锁性能
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
3.经测试JESD22 - C101 -A
4.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
特征
民
3.0
0.0
0.0
55
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
归一化故障率
连接点
温度
5C
80
90
100
110
120
130
140
塑性=陶瓷故障率
UNTIL金属间OCCUR
TJ = 130
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 110
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 80
°
C
100
时间，岁月
TJ = 90
°
C
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
1
1
10
1000
图3.故障率与时间
结温
http://onsemi.com
2
14
C
PD
功率耗散电容（注5 ）
pF
5. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 4 （每个缓冲区） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
AC电气特性
输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
DC电气特性
符号
t
PLH
,
t
PHL
符号
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
I
OPD
I
OPD
I
CCT
V
OH
C
OUT
V
OL
V
IH
I
CC
I
OZ
C
in
V
IL
I
IN
最大的三态
输出电容
（输出高阻抗
状态）
最大输入电容
最大输出
禁止时间， OE为Y
（图4和5）
最大输出
启用时间， OE为Y
（图4和5）
参数
最大传播
延迟，A为Y
（图3和5）。
输出漏
当前
最大的三态
漏电流
输出漏
当前
静态电源
当前
最大静态
电源电流
最大输入
漏电流
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
参数
V
OUT
= 5.5 V
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OUT
= V
CC
或GND
V
OUT
= 5.5 V
输入： V
IN
= 3.4 V
其他输入： V
CC
or
GND
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= - 4毫安
I
OH
= - 8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 50
mA
测试条件
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
R
L
= R
I
= 500
W
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
R
L
= R
I
= 500
W
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
R
L
= R
I
= 500
W
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
R
L
= R
I
= 500
W
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
MC74VHC1GT125
http://onsemi.com
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
V
CC
(V)
0
5.5
0.0
5.5
0.0
5.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
2.58
3.94
民
2.9
4.4
1.4
2.0
2.0
民
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
典型值
0.0
0.0
3.0
4.5
典型值
4.8
7.0
6.5
8.0
3.6
5.1
5.4
7.9
3.8
5.3
5.6
8.1
6
4
±
0.25
±
0.10
1.35
0.36
0.36
0.53
0.8
0.8
最大
0.5
0.5
1.0
0.1
0.1
最大
9.7
13.2
8.0
11.5
8.0
11.5
6.8
8.8
5.1
7.1
5.5
7.5
10
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
2.48
3.80
民
2.9
4.4
1.4
2.0
2.0
民
T
A
≤
85°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
T
A
≤
85°C
±
1.0
±
2.5
1.50
0.44
0.44
0.53
0.8
0.8
最大
8.0
10.0
11.5
15.0
9.5
13.0
9.5
13.0
最大
5.0
5.0
0.1
0.1
20
6.0
8.0
6.5
8.5
10
55
≤
T
A
≤
125°C
55
≤
T
A
≤
125°C
2.34
3.66
民
民
2.9
4.4
1.4
2.0
2.0
±
1.0
±
2.5
10.0
12.0
14.5
18.0
11.5
15.0
8.5
10.5
12.0
16.0
最大
1.65
0.52
0.52
0.53
0.8
0.8
最大
7.5
9.5
0.1
0.1
10
10
10
40
单位
ns
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pF
pF
ns
ns
V
V
V
V
3
MC74VHC1GT125
开关波形
OE
50%
t
PZL
Y
50% V
CC
t
PZH
Y
50% V
CC
t
PHZ
t
PLZ
V
CC
GND
高
阻抗
V
OL
+ 0.3V
V
OH
0.3V
高
阻抗
A
t
PLH
50%
t
PHL
50% V
CC
V
CC
GND
Y
图4.开关波形
图5中。
测试点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
设备
下
TEST
测试点
产量
1 KW
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL 。
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH 。
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图6.测试电路
图7.测试电路
输入
图8.输入等效电路
订购信息
设备
MC74VHC1GT125DF1
M74VHC1GT125DF1G
MC74VHC1GT125DF2
M74VHC1GT125DF2G
MC74VHC1GT125DT1
M74VHC1GT125DT1G
包
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
（无铅）
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
（无铅）
TSOP - 5 / SOT - 23 / SC- 59
TSOP - 5 / SOT - 23 / SC- 59
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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4
MC74VHC1GT125
包装尺寸
SC- 88A ， SOT- 353 ， SC- 70
CASE 419A -02
ISSUE
A
G
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419A -01过时。新标准
419A02.
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边，突出物，或门
毛刺。
5
4
S
1
2
3
B
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
D
5 PL
0.2 (0.008)
M
B
M
N
J
C
英寸
民
最大
0.071
0.087
0.045
0.053
0.031
0.043
0.004
0.012
0.026 BSC
0.004
0.004
0.010
0.004
0.012
0.008 REF
0.079
0.087
MILLIMETERS
民
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
0.80
1.10
0.10
0.30
0.65 BSC
0.10
0.10
0.25
0.10
0.30
0.20 REF
2.00
2.20
H
K
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
mm
英寸
1.9
0.0748
尺度20:1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
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